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RF 封裝的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦李揚寫的 基於SiP技術的微系統 和許明哲的 先進微電子3D-IC 構裝(4版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站PowerPoint 簡報 - 鈦昇科技也說明：Plasma Clean RF / Microwave. Plasma Etching & Desmear ... CO,IR,SHG,UV. RF and Microwave ... 高階封裝. 發展TGV,TSV技術針對3D封裝. 製程提供方案。 Products.
這兩本書分別來自電子工業 和五南所出版 。
國立臺北科技大學 環境工程與管理研究所 王立邦所指導 吳德懷的 利用焙燒暨酸浸法從廢棄LED晶粒中回收鎵金屬資源 （2021），提出RF 封裝關鍵因素是什麼，來自於發光二極體、氮化鎵、鎵、回收、焙燒、浸漬。
而第二篇論文國立高雄科技大學 電子工程系 潘建源所指導 何松林的 毫米波封裝式天線量測方法之研究 （2021），提出因為有 米波封裝式天線、低介電係數材質、探針量測平台的重點而找出了 RF 封裝的解答。
最後網站5G mmWave天線封裝AiP的應用趨勢 - ASE則補充：以智慧手機為例，分析智慧手機用到多個天線封裝AiP模組，其中射頻前端模組(RF FEM)、WiFi 6E、藍牙、電源管理積體電路(PMIC)及AP/BB等都可運用系統級 ...
基於SiP技術的微系統
為了解決RF 封裝 的問題，作者李揚 這樣論述：
本書採用原創概念、熱點技術和實際案例相結合的方式，講述了SiP技術從構思到實現的整個流程。 全書分為三部分：概念和技術、設計和模擬、專案和案例，共30章。第1部分基於SiP及先進封裝技術的發展，以及作者多年積累的經驗，提出了功能密度定律、Si3P和4D集成等原創概念，介紹了SiP和先進封裝的技術，共5章。第2部分依據EDA軟體平臺，闡述了SiP和HDAP的設計模擬驗證方法，涵蓋了Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋入、平面埋入、RF、Rigid-Flex、4D SiP
設計、多版圖項目及多人協同設計等熱點技術，以及SiP 和HDAP的各種模擬、電氣驗證和物理驗證，共16章。第3部分介紹了不同類型SiP實際項目的設計模擬和實現方法，共9章。 李揚（Suny Li），SiP技術專家，畢業于北京航空航太大學，獲航空宇航科學與技術專業學士及碩士學位。擁有20年工作經驗，曾參與指導各類SiP專案40多項。2012年出版技術專著《SiP系統級封裝設計與模擬》（電子工業出版社），2017年出版英文技術專著SiP System-in-Package design and simulation（WILEY）。IEEE高級會員，中國電子學會高級會員，中國圖學
學會高級會員，已獲得10余項國家專利，發表10餘篇論文。曾在中國科學院國家空間中心、SIEMENS（西門子）中國有限公司工作。曾經參與中國載人航太工程“神舟飛船”和中歐合作的“雙星計畫”等專案的研究工作。目前在奧肯思（北京）科技有限公司（AcconSys）工作，擔任技術專家，主要負責SiP及微系統產品的研發工作，以及SiP和IC封裝設計軟體的技術支援和專案指導工作。
利用焙燒暨酸浸法從廢棄LED晶粒中回收鎵金屬資源
為了解決RF 封裝 的問題，作者吳德懷 這樣論述：
LED是發光二極體(Light Emitting Diode)的簡稱。由於LED燈具有節能、無汞等特性，在照明市場之需求日益增加，LED在許多領域已經取代了傳統光源(白熾燈、螢光燈等)。LED燈之高效率白光照明主要是由LED晶粒中氮化鎵(GaN)半導體所產生。隨著LED市場的擴大，未來將產生大量的LED廢棄物。因此，回收廢棄LED中所含的鎵金屬資源對於資源的可持續利用和環境保護都具有重要意義。本研究以廢棄LED燈珠為對象，利用焙燒與酸浸法從其LED晶粒中回收鎵金屬資源，主要包括三個部分：化學組成分析、氟化鈉焙燒處理與酸溶浸漬等。探討各項實驗因子包括焙燒溫度、焙燒時間、礦鹼比、酸浸漬種類及濃度
、浸漬時間、及浸漬固液比等，對於鎵金屬浸漬率之影響，並與各文獻方法所得到的鎵金屬浸漬效果進行比較。研究結果顯示，LED晶粒中含有鎵5.21 wt.%，氟化鈉焙燒暨酸溶浸漬之最佳條件為焙燒溫度900 ℃、焙燒時間3hr、礦鹼比1:6.95、鹽酸浸漬濃度0.5 M、浸漬溫度25 ℃、浸漬時間10mins、固液比2.86 g/L，鎵金屬浸漬率為98.4%。與各文獻方法相比較，本方法可於相對低溫且常壓下獲得較高之鎵金屬浸漬效果。
先進微電子3D-IC 構裝(4版)
為了解決RF 封裝 的問題，作者許明哲 這樣論述：
在構裝技術尚未完全進入3D TSV量產之前，FOWLP為目前最具發展潛力的新興技術。此技術起源於英飛凌(Infineon)在2001年所提出之嵌入式晶片扇出專利，後續於2006年發表技術文件後，環氧樹脂化合物(EMC)之嵌入式晶片，也稱作扇出型晶圓級構裝(FOWLP)，先後被應用於各種元件上，例如：基頻(Baseband)、射頻(RF)收發器和電源管理IC(PMIC)等。其中著名公司包括英飛凌、英特爾(Intel)、Marvell、展訊(Spreadtrum)、三星(Samsung)、LG、華為(Huawei)、摩托羅拉(Motorola)和諾基亞(Nokia)等，許多
半導體外包構裝測試服務(OSATS)和代工廠(Foundry)，亦開發自己的嵌入式FOWLP，預測在未來幾年，FOWLP市場將有爆炸性之成長。有鑑於此，第三版特別新增第13章扇出型晶圓級(Fan-out WLP)構裝之基本製程與發展概況、第14章嵌入式扇出型晶圓級或面板級構裝(Embedded Fan-out WLP/PLP)技術，以及第15章 3D-IC導線連接技術之發展狀況。在最新第四版特別增加：第16章扇出型面版級封裝技術的演進，第17章3D-IC異質整合構裝技術。
毫米波封裝式天線量測方法之研究
為了解決RF 封裝 的問題，作者何松林 這樣論述：
本論文研究目標為一座可同時量測毫米波封裝式天線模組(AiP)的天線散射參數以及輻射場型的量測系統，系統組成有兩個部分，第一部分是一個結合防震系統、高倍數顯微鏡及低介電係數材質治具所建構出來的探針量測平台，平台具有4.29N的反作用支撐力可以承受探針探測時的壓力，使平台不凹陷不變型，加上良好的防震系統設計，能保護探針在探測過程中不受環境震動而影響到量測精準度。第二部分是一個具有雙軸掃瞄功能的縮距遠場微波量測暗室，雙軸裝置加上縮距遠場量測系統設計，可以用來掃瞄天線的3D輻射場型。因為探針系統與量測暗室彼此獨立，在掃瞄天線輻射場型時，不會因為雙軸裝置的移動而影響探針探測受測物的量測精準度。此外，縮
距遠場的反射鏡可以投射出3 cm2的量測靜區，靜區的功率振幅變化量小於1dB，相位振幅變化量小於10°。此探針式量測系統除了可以用來量測毫米波封裝式天線的特性外，結合一個波束成形的計算公式，可以驗證封裝式陣列天線在無射頻晶片控制下的波束成形結果。同時使用含射頻晶片的實際產品來驗證此系統與波束建模的實用性。