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介電常數k的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦黃定加,黃玲媛,黃玲惠 寫的 物理化學Ⅱ(量子力學篇) 和羅吉宗的 薄膜科技與應用(第五版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站介電係數k - Jex也說明：電木棒，極性基團少，反射率，極性基團多，我們根據高分子材料的極性也可以大致推測材料介電常數大小， 表示為伏特每單位厚度. 物質的介電強度越大，那算出的共振頻點 ...
這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。
國立高雄科技大學 半導體工程系 顏志峰所指導 柯智懷的 以溶膠凝膠法製備新穎氧化鋁/氧化鋅複合薄膜及其電性探討 （2021），提出介電常數k關鍵因素是什麼，來自於溶膠凝膠法、氧化鋅、氧化鋁、電特性。
而第二篇論文國立交通大學 材料科學與工程學系所 呂志鵬所指導 范聖為的 以矽氮烷前驅物利用電漿輔助原子層沉積碳氮化矽薄膜之研究 （2019），提出因為有 低介電阻障層、蝕刻停止層、電漿輔助原子層沉積、矽氮烷前驅物、低介電常數、碳氮化矽薄膜、表面改質、原子層沉積成長機制的重點而找出了 介電常數k的解答。
最後網站介電係數k – 介電常數公式 - Aaeflm則補充：介電常數Dielectric Constant K 相對介電常數是的材料誘電率（介電常數），ε，對可用空間誘電率（介電常數）的比例，ε0，在無約束條件，即遠低於機械共振的一部分。
物理化學Ⅱ(量子力學篇)
為了解決介電常數k 的問題，作者黃定加,黃玲媛,黃玲惠 這樣論述：
本書中之論述力求簡明扼要、循序漸進，且於書中多舉例題以提昇學習的效果，並於各章的後面均附習題，以備讀者自行研習解答，增進對於有關理論的瞭解。本書中之專有名詞的後面，均附其對照的英文名詞。本書的內容適合作為一般大學及科技大學之化學、化學工程、環境工程、材料科技、生化科技與醫藥學系及相關研究所之物理化學及相關課程的教材，亦可作為從事上述各領域之研究及工作人員的參考書。本書所包括的內容較多、範圍較廣且較深入，教師可配合系所之發展重點及需要，自行選擇適合的章節內容講授。 本書特色 1.本書中之論述力求簡明扼要、循序漸進，且於書中多舉例題以提昇學習的效果，並於各章的後面均附習題，以備
讀者自行研習解答，增進對於有關理論的瞭解。 2.本書的內容適合作為一般大學及科技大學之化學、化學工程、環境工程、材料科技、生化科技與醫藥學系及相關研究所之物理化學及相關課程的教材，亦可作為從事上述各領域之研究及工作人員的參考書。 3.本書所包括的內容較多、範圍較廣且較深入，教師可配合系所之發展重點及需要，自行選擇適合的章節內容講授。
以溶膠凝膠法製備新穎氧化鋁/氧化鋅複合薄膜及其電性探討
為了解決介電常數k 的問題，作者柯智懷 這樣論述：
摘要 iAbstract ii致謝 iv目錄 v圖目錄 viii表目錄 xi第一章 緒論 11-1 前言 11-2 High-k材料之揀選 21-3 研究動機 21-4 論文架構 5第二章 理論基礎與文獻回顧 62-1 氧化鋅介紹 62-2 氧化鋁介紹 62-2-1 α– Al2O3 72-2-2 Boehmite 72-2-3 γ- Al2O3 72-2-4 θ- Al2O3 82-3 溶膠-凝膠法(Sol-Gel) 112-4 MOS基本理論 122-4-1 聚積區 132-4-2 空乏區 162-4-3 反轉區 182-4-4 平帶電壓
202-4-5 介電常數k值 232-4-6 介面狀態密度 232-4-7 Terman method 232-4-8 High-Low method 242-4-9 G-V method 242-5 氧化層的缺陷電荷 252-5-1 介面陷阱電荷(interface trapped charge, Qit) 262-5-2 固定氧化層電荷(fixed oxide charge, Qf) 262-5-3 氧化層陷阱電荷(oxide trapped charge, Qot) 272-5-4 可移動離子電荷(mobile ionic charge, Qm) 27第三章 實驗流程
與方法 293-1 實驗方法與實驗參數 293-1-1 氧化鋁(Al2O3)溶液製備流程 293-1-2 氧化鋅(ZnO)溶液製備流程 303-2 實驗流程 313-2-1 基板清洗步驟 313-2-2 沉積Al2O3/ZnO薄膜步驟 333-3 歐姆接觸 343-4 實驗設備儀器 353-5 實驗器材及藥品 363-6 場發射電子顯微鏡(SEM) 36第四章 結果與討論 384-1 薄膜沉積參數 384-2 氧化層薄膜SEM載面圖 394-2-1 遲滯現象 424-2-2 氮氣退火後對ZnO、Al2O3、Al2O3/ZnO薄膜電特性分析 43第五章 結論 5
5參考文獻 56
薄膜科技與應用(第五版)
為了解決介電常數k 的問題，作者羅吉宗 這樣論述：
薄膜技術的進展和表面界面物理導入，使電子元件實現了輕薄短小，且有效控制半導體材料和固態元件之品質。坊間有多種薄膜技術叢書，但多僅闡述製作技術。本書將引導對薄膜有興趣者認識真空、電漿、長膜機制，製作高品質薄膜的要件，薄膜品質之鑑定和薄膜製作技術如何改善電子元件功能等。本書前四章介紹薄膜沉積所用到的真空、電漿、熱力、動力等薄膜生長機制；第五、六章介紹高品質薄膜對元件電性之影響；第七、八章說明量測薄膜特性之技術與原理。是一本適合大學、科大機械、電機、化工、材料系三、四年級「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。 本書特色 1.薄
膜是實踐電子元件輕薄短小、低損耗能量之關鍵技術，使固態電子產品之進步發展得以靈活設計及精確控制其品質。 2.薄膜技術涉及多門學科領域，本書將薄膜的應用與製作薄膜所用到的真空技術、熱力、電漿科技皆有所涵蓋。 3.本書內容共為八章，前四章介紹薄膜製作技術所用到的各種裝備與物理機制，第五、六章說明如何製作高品質薄膜和薄膜品質對元件電性的影響，第七、八兩章說明量測薄膜特性的各種技術與原理。 4.適合大學、科大機械、電機、化工、材料系「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。
以矽氮烷前驅物利用電漿輔助原子層沉積碳氮化矽薄膜之研究
為了解決介電常數k 的問題，作者范聖為 這樣論述：
隨著半導體元件尺寸微縮超過22奈米技術節點，積體電路互連層所造成之時間延遲已經會佔總元件延遲時間可觀之比例。為了抑制銅-低介電層中不斷增加的電容，微縮擴散阻障層 (barrier) 及蝕刻停止層 (etch stop, ES) 之厚度並降低其介電常數是一個主要的方法。此應用上迫切需要一個無缺陷、超薄且低介電常數 (k≤ 5.0) 之擴散阻障層/蝕刻停止層之材料，與以往傳統的電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD) 相比，電漿輔助原子層沉積技術 (PEALD) 是一個高度理想的方式以達成上述各項要求。本文中，我們選用具有相對較高碳/矽比且帶有活性乙烯基之矽氮烷作為反應前驅物，並使用氮氣電漿在電漿輔
助原子層沉積過程中。具體而言，環狀1, 3, 5-trimrthyl-1, 3, 5-trivinyl-cyclosilazane (VSZ) 及直鏈狀1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane (DVTMDS) 分別透過PECVD及PEALD技術，其被用於沉積低介電碳氮化矽薄膜並比較不同前驅物所造成之影響。除此之外，本文亦闡述了基板的表面處理以及前驅物ALD成長機制。於矽及銅基板表面於200 ℃ 下進行氮氣電漿前處理使其達成原子層沉積成長區間。與電漿輔助化學氣相沉積方式相比，PEALD碳氮化矽膜具有更高的膜密度（VSZ為1.8-2.0 g / cm3，
DVTMDS為1.67-1.80 g / cm3），這可以歸因於PEALD中-Si-H，-CHx和-CN-H等末端基的消除及，透過電漿完整的反應並消除末端基，使其產生較緊密的薄膜結構。當利用電將輔助原子層沉積碳氮化矽薄膜時，鏈狀DVTMDS仍然保留部分短碳鏈之乙烯橋結構作為碳摻雜，而環狀VSZ則具有較緻密的Si-N結構。當比較透過PEALD沉積碳氮化矽薄膜時，分別使用環狀VSZ及鏈狀DVTMDS做為前驅物，DVTMDS仍可保留短碳橋，然而VSZ則具有較緻密的Si-N之結構。相較於DVTMDS沉積之薄膜其介電常數(k = 3.81-3.94) 較以VSZ沉積之碳氮化矽薄膜較高（k = 3.81-
3.94）。在PEALD的假設成長模型中，氮氣電漿在200 ℃ 沉積溫度下可使基板表面氮化，使得矽氮烷前驅物可利用活性乙烯基吸附於表面和快速的表面擴散，進一步達成ALD成長。綜合來說，使用非氯基之矽氮烷前驅物可避免因含氯副產物所造成機台腐蝕及元件可靠度下降之問題。此外，使用高含碳矽氮烷前驅物，經由PEALD沉積之碳氮化矽薄膜可作為應用於次世代微電子元件中緻密且低介電之材料。