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控制區域網路為基礎的車用電壓調節系統之硬體迴路模擬器開發

為了解決r迴圈存檔的問題，作者陳柏勳 這樣論述：

摘要本論文運用圖形化語言(graphical programming language) LabVIEW整合PXI (PCI eXtensions for Instrumentation)模組化嵌入式即時控制系統(modular embedded real-time control system) 與具有可重設場域可程式陣列邏輯閘(field programmable gate array, FPGA) CompactRIO，建立具有控制區域網路(Controller Area Network, CAN)的車用電壓調節系統(automotive voltage regulation syst

em)的硬體迴路模擬(Hardware-in-the-Loop Simulation, HILS)平台。在此平台中，以PXI系統模擬發電機、電池、負載、低通濾波器、及差動放大器；CompactRIO系統作為訊號處理(類比數位轉換、控制律及脈衝寬度調變輸出)，透過CAN，由監控端的Host PC執行同步化(synchronization) 、數據呈現與收集、及錯誤監控等任務，有效率地進行硬體迴路模擬實驗。本論文改良了車用電壓調節系統的MATLAB/Simulink數值模型，其次，在LabVIEW環境中，完成包含PXI、CompactRIO、Host PC，及CAN通訊的HILS平台，最後，針對參

數設計與負載變動的影響，在HILS平台中進行分析與討論。關鍵字：LabVIEW、FPGA、硬體迴路模擬、電壓調節系統、控制區域網路

鉻/鋁雙層金屬於n型氮化鎵之歐姆接觸研究

為了解決r迴圈存檔的問題，作者楊宗翰 這樣論述：

本論文實驗選用鉻/鋁雙層金屬作為n型氮化鎵歐姆接觸的電極材料，並進行合金化之熱處理，進一步探討此歐姆接觸電極的長程穩定性。在實驗方面將試片分為A、B兩組，其中A組是以厚度分別為20nm及300nm的鉻/鋁(Cr/Al) 金屬作為電極材料，並分別將其蒸鍍於編號為A1、A2、A3與A4之n型氮化鎵試片上。其中，A1是未經熱退火(thermal annealing)之N型氮化鎵試片；A2、A3與A4則分別是經過500°C 、600°C、700°C的氮氣環境下熱處理5分鐘之試片。而B組樣品則是將上述之A1、A2、A3與A4之試片再進行合金化熱處理(thermal alloying)的步驟，並將其標記

為樣品B1、B2、B3與B4。此四個樣品之合金化的熱處理條件皆為在氮氣環境下500°C加熱5分鐘。製程完成後，進行金屬與半導體接面之電流電壓特性(I-V) 量測，並利用傳輸線模型(TLM)作分析。接下來，將上述試片經過長時間儲存後(大於4000小時)，並定期監測其接觸電阻值的變化趨勢，以了解鉻/鋁雙層金屬作為N型氮化鎵電極材料之穩定性。由本實驗的結果發現，B組之試片明顯有較穩定之接觸電阻值。另外，我們觀察到，上述B3之試片有最低的特徵電阻值，其值為2.14×10^-5Ω-cm^2。接下來，我們將上述B3試片的製程條件應用於氮化鎵之p-i-n 結構紫外光偵側器上，並將其與以鉻/金雙層金屬作為歐姆

接觸電極的元件特性作比較，其中包含順向電流、反向電流與光響應值的差異。 鉻/鋁當金屬電極的元件pin 1暗電流範圍8~13×10^12A、在順向電流20mA其起始電壓3.38v及鑑別率為三個數量級；鉻/金當金屬電極的元件pin 2暗電流範圍2~4×10^12A、在順向電流20mA其起始電壓3.2v及鑑別率同樣為三個數量級。在光響應值的量測實驗中，我們藉由單色分光儀(monochromator)取出特定波長的光源持續照射於紫外光偵側器上，同時再利用半導體參數儀(HP-4156c)外加偏壓於元件上，並量測其對應的光電流，再將此光電流針對照射在元件上的光源功率作歸一化(normalization)

而得到元件在單一波長下的光響應值(其單位為A/W)。另外，為了節省量測與數據處理的時間，首先我們利用“LabVIEW”軟體撰寫程式，分別控制單色分光儀 及半導體參數儀，接下來再設計一個數據處理的程式將上一個迴圈所得到的數據對照射在元件上的光源功率作歸一化處理而得到元件在各波長的光響應值，並將波長與光響應值間的關系劃成圖。經由此控制程式的開發，使得量測一顆元件的光響應及計算光響應值的數據處理之時間得以由原本的120分鐘大大的縮短至20分鐘。