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metal gate中文的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦劉傳璽,陳進來寫的 半導體元件物理與製程：理論與實務(四版) 和[美[黑斯廷斯（Hastings，A．）的 模擬電路版圖的藝術（英文版）都 可以從中找到所需的評價。
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這兩本書分別來自五南 和電子工業所出版 。
國立陽明交通大學 電子物理系所 簡紋濱所指導 李天任的 少數層二硒化鈀之電性傳輸與熱電性質 （2021），提出metal gate中文關鍵因素是什麼，來自於二硒化鈀、熱電效應、席貝克效應、熱電功率因子。
而第二篇論文國立中正大學 電機工程研究所 余英豪所指導 廖國欽的 基於FPGA單晶片及像素趨勢車道線檢測法實現車道線感測系統之研究 （2021），提出因為有 自動駕駛、車道線辨識、即時處理系統、先進駕駛輔助系統、線性回歸的重點而找出了 metal gate中文的解答。
最後網站High-k metal gate (HKMG) technology for CMOS devices則補充：繁體中文 (Traditional Chinese) 日本語 (Japanese). High-k metal gate (HKMG) ... To help with fermi-level pinning and to allow the gate to be adjusted to low ...
半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)
為了解決metal gate中文 的問題，作者劉傳璽,陳進來 這樣論述：
以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。 本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh
y；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 ●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 ●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 ●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 ●適合大專以上學
校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
少數層二硒化鈀之電性傳輸與熱電性質
為了解決metal gate中文 的問題，作者李天任 這樣論述：
尋找高效率的熱電材料是一個重要而有趣的課題，二維 (Two-Dimensional, 2D) 過渡金屬二硫化合物 (Transition Metal Dichalcogenides, TMDC)，因其優越的熱電性能以及未來廣闊的應用前景而受到廣泛關注。其中，二維二硒化鈀 (PdSe2) 因其理論上計算出高熱電性能，吸引了眾多科研工作者的目光。本實驗使用機械剝離法，剝取少數層PdSe2，利用半導體製程技術製作少數層二硒化鈀的場效電晶體與熱電元件，在室溫下研究了二硒化鈀的電性。本實驗中，二硒化鈀為n型半導體材料，電流的開關比 (On/Off Ratio) 約爲104，臨界擺幅 (Subthre
shold Swing, S.S.) 約爲9.52 V/dec，載流子遷移率 (Mobility) 最大為34.7 cm2·V-1·S-1。 另外，在二硒化鈀元件的熱電性能測量上，得到的最大席貝克係數約爲655 µV/K，與理論值十分接近，並觀察到席貝克值與電晶體場效應有關聯性。當閘極偏壓設定在臨界電壓附近時，席貝克係數到達峰值，而當閘極偏壓小於臨界電壓時，通道關閉沒有熱電效應。最後計算了二硒化鈀的熱電功率因子(Power Factor, PF)，通過調節閘極偏壓觀察熱電功率因子隨場效應的變化，並對比相應的材料層數，發現最大熱電功率因子為0.26 mW/m·K2，材料厚度為12層，證明二硒化鈀
是極具潛力的熱電材料。
模擬電路版圖的藝術（英文版）
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為了解決metal gate中文 的問題，作者[美[黑斯廷斯（Hastings，A．） 這樣論述：
作者Alan Hastings具有淵博的集成電路版圖設計知識和豐富的實踐經驗。本書以實用和權威性的觀點全面論述了模擬集成電路版圖設計中所涉及的各種問題及目前的最新研究成果。書中介紹了半導體器件物理與工藝、失效機理等內容；基于模擬集成電路設計所采用的3種基本工藝︰標準雙極工藝、CMOS 柵工藝和BiCMOS工藝，重點探討了無源器件的設計與匹配性問題，二極管設計，雙極型晶體管和場效應晶體管的設計與應用，以及某些專門領域的內容，包括器件合並、保護環、焊盤制作、單層連接、ESD結構等；最後介紹了有關芯片版圖的布局布線知識。 本書可作為相關專業高年級本科生和研究生教材，對于專業版圖設計人員也
是一本極具價值的參考書。 1 Device Physics 1.1 Semiconductors 1.1.1.Generation and Recombination 1.1.2.Extrinsic Semiconductors 1.1.3.Diffusion and Drift 1.2 PN Junctions 1.2.1.Depletion Regions 1.2.2.PN Diodes 1.2.3.Schottky Diodes 1.2.4.Zener Diodes 1.2.5.Ohmic Contacts 1.3 Bipolar
Junction Transistors 1.3.1 Beta 1.3.2.I-V Characteristics 1.4 MOS Transistors 1.4.1.Threshold Voltage 1.4.2.I-V Characteristics 1.5 JFET Transistors 1.6 Summary 1.7 Exercises 2 Semiconductor Fabrication 2.1 Silicon Manufacture 2.1.1.Crystal Growth 2.1.2.Wafer Manufacturing 2.1.3.
The Crystal Structure of Silicon 2.2 Photolithography 2.2.1.Photoresists 2.2.2.Photomasks and Reticles 2.2.3.Patterning 2.3 Oxide Growth and Removal 2.3.1.Oxide Growth and Deposition 2.3.2.Oxide Removal 2.3.3.Other Effects of Oxide Growth and Removal 2.3.4.Local Oxidation of Silicon（
LOCOS） 2.4 Diffusion and Ion Implantation 2.4.1.Diffusion 2.4.2.Other Effects of Diffusion 2.4.3.Ion Implantation 2.5 Silicon Deposition and Etching 2.5.1.Epitaxy 2.5.2.Polysilicon Deposition 2.5.3.Dielectric Isolation 2.6 Metallization 2.6.1.Deposition and Removal of Aluminum 2.6
.2.Refractory Barrier Metal 2.6.3. Silicidation 2.6.4.Interlevel Oxide，Interlevel Nitride，and Protective Overcoat 2.7 Assembly 2.7.1 Mount and Bond 2.7.2 Packaging 2.8 Summary 2.9 Exercises 3 Representative Processes 3.1 Essential Features 3.1.1.Essential Features 3.1.2.Fabrication S
equence Starting Material N-Buried Layer Epitaxial Growth Isolation Diffusion Deep-N+ Base Implant Emitter Diffusion Contact Metallization Protective Overcoat 3.1.3.Available Devices NPN Transistors PNP Transistors Resistors Capacitors 3.1.4.Process Exte
nsions Up-Down Isolation Double-Level Metal Schottky Diodes High-Sheet Resistors Super-Beta Transistors 3.2 Fabrication Sequence 3.2.1. Essential fEATURES 3.2.2.fABRICATION sEQUENCE Starting Material Epitaxial Growth N-Well Diffusion Inverse Moat Channel Stop Impla
nts LOCOS Processing and Dummy Gate Oxidation Threshold Adjust Polysilicon Deposition and Patterning Source/Drain Implants Contacts Metallization Protective Overcoat 3.2.3.Available Devices NMOS Transistors PMOS Transistors Substrate PNP Transistors Resistors 3.2
.4.pROCESS eXTENSIONS Double-Level Metal Shallow Trench Isolation Silicidation Lightly Doped Drain（LDD）Transistors Extended-Drain，High-Voltage Transistors 3.3 Available Devices 3.3.1.Essential Features 3.3.2.Fabrication Sequence Starting Material N-Buried Layer Epitaxial
Growth N-Well Diffusion and Deep-N+ Base Implant Inverse Moat cHANNEL sTOP iMPLANTS locos pROCESSING AND dUMMY gATE oXIDATION Threshold Adjust Polysilicon Deposition and Pattern Source/Drain Implants Metallization and Protective Overcoat Process Comparison 3.3.3.Avai
lable Devices NPN Transistors PNP Transistors Resistors 3.3.4 Process Extensions Advanced Matel Systems Dielectric Isolation 3.4 Summary 3.5 Exercises 4 Failure Mechanisms 5 Resistors 6 Capacitors and Inductors 7 Matching of Resistors and Capacitors 8 Bipolar Transistors 9 Applic
ations of Bipolar Tansistors 10 Diodes 11 Field-Effect Transistors 12 Applications of MOS Transistors 13 Special Topics 14 Assembling the Die Appendices A．Table of Acronyms Used in the Text B．The Miller Indices of a Cubic Crystal C．Sample Layout Rules D．Mathematical Derivations E．Sources f
or Layout Editor Software Index 2001年7月間，電子工業出版社的領導同志邀請各高校十幾位通信領域方面的老師，商量引進國外教材問題。與會同志對出版社提出的計劃十分贊同，大家認為，這對我國通信事業、特別是對高等院校通信學科的教學工作會很有好處。 教材建設是高校教學建設的主要內容之一。編寫、出版一本好的教材，意味著開設了一門好的課程，甚至可能預示著一個嶄新學科的誕生。20世紀40年代MIT林肯實驗室出版的一套28本雷達叢書，對近代電子學科、特別是對雷達技術的推動作用，就是一個很好的例子。 我國領導部門對教材建設一直非常
重視。20世紀80年代，在原教委教材編審委員會的領導下，匯集了高等院校幾百位富有教學經驗的專家，編寫、出版了一大批教材︰很多院校還根據學校的特點和需要，陸續編寫了大量的講義和參考書。這些教材對高校的教學工作發揮了極好的作用。近年來，隨著教學改革不斷深入和科學技術的飛速進步，有的教材內容已比較陳舊、落後，難以適應教學的要求，特別是在電子學和通信技術發展神速、可以講是曰新月異的今天，如何適應這種情況，更是一個必須認真考慮的問題。解決這個問題，除了依靠高校的老師和專家撰寫新的符台要求的教科書外，引進和出版一些國外優秀電子與通信教材，尤其是有選擇地引進一批英文原版教材，是會有好處的。 一年多
來，電子工業出版社為此做了很多工作。他們成立了一個“國外電子與通信教材系列”項目組，選派了富有經驗的業務骨干負責有關工作，收集了230余種通信教材和參考書的詳細資料，調來了100余種原版教材樣書，依靠由20余位專家組成的出版委員會，從中精選了40多種，內容豐富，覆蓋了電路理論與應用、信號與系統、數字信號處理、微電子、通信系統、電磁場與微波等方面，既可作為通信專業本科生和研究生的教學用書，也可作為有關專業人員的參考材料。此外，這批教材，有的翻譯為中文，還有部分教材直接影印出版，以供教師用英語直接授課。希望這些教材的引進和出版對高校通信教學和教材改革能起一定作用。 在這里，我還要感謝參加
工作的各位教授、專家、老師與參加翻譯、編輯和出版的同志們。各位專家認真負責、嚴謹細致、不辭辛勞、不怕瑣碎和精益求精的態度，充分體現了中國教育工作者和出版工作者的良好美德。 隨著我國經濟建設的發展和科學技術的不斷進步，對高校教學工作會不斷提出新的要求和希望。我想，無論如何，要做好引進國外教材的工作,一定要聯系我國的實際。教材和學術專著不同，既要注意科學性、學術性，也要重視可讀性，要深入淺出，便于讀者自學︰引進的教材要適應高校教學改革的需要，針對目前一些教材內容較為陳舊的問題，有目的地引進一些先進的和正在發展中的交叉學科的參考書；要與國內出版的教材相配套，安排好出版英文原版教材和翻譯教材
的比例。我們努力使這套教材能盡量滿足上述要求，希望它們能放在學生們的課桌上，發揮一定的作用。 最後，預祝“國外電子與通信教材系列”項目取得成功，為我國電子與通信教學和通信產業的發展培土施肥。也懇切希望讀者能對這些書籍的不足之處、特別是翻譯中存在的問題，提出意見和建議，以便再版時更正。 吳佑壽 中國工程院院士、清華大學教授 “國外電子與通信教材系列”出版委員會主任
基於FPGA單晶片及像素趨勢車道線檢測法實現車道線感測系統之研究
為了解決metal gate中文 的問題，作者廖國欽 這樣論述：
車輛自動駕駛系統目前主要是由自動跟車 (Adaptive Cruise Control, ACC) 以及車道偏離警示 (Lane Departure Warning System, LDWS) 兩大系統所組成。然而，自動跟車系統在實現過程中，由於必須藉由前方車輛實現車輛跟隨功能，因此若無前方車輛時則無法實現此功能。反觀車道偏離警示系統是依據車道線軌跡來幫助車輛保持於車道內，因此具備較高實用性。在此，本研究特別針對車道感測進行研究。由於傳統的車道線感測必須仰賴高效率的電腦才能有效地完成運算，為了克服傳統車道線辨識的缺點，本研究專注於如何將車道線辨識演算法簡化，並實現在單晶片上，達到低功耗之目的
。本研究以單一數位相機及單一現場可程式邏輯閘陣列 (Field Programmable Gate Array, FPGA) 實線以精簡之硬體電路達到即時於白天及黃昏情況下進行車道線辨識。透過像素趨勢車道檢測法 (Pixel Trend Lane Detection, PTLD) 擷取特徵，並將所得之車道位置利用線性回歸 (Linear Regression, LR) 決定車道線的軌跡，再透過左右車道回歸線取得車道的中心線，藉此引導車輛穩定行駛於車道中。另外，本研究還搭配語音辨識擴充模組 (DFR0177 Voice Recognition) 來辨識由Google Map路線規劃所傳出的語音指
令。根據辨識的結果，輸出行車指令給FPGA，以此決定車輛轉彎或直線行車路線模式。根據本研究之實驗結果，在使用每秒90張畫面播放速度以及640×480影像解析度情況下，只需11 ms即可擷取車道線特徵。而由左右車道線線性回歸決定出的中心線與實際影像中的中心線，誤差僅在5個像素以內。故本研究不管在運算速度以及準確度上均符合實際運用需求，未來可以有效幫助車輛穩定行駛於車道，達成自動駕駛之目的。