已經跟呼吸一樣重要的網路和手機論文書籍站
High-k metal gate的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學
High-k metal gate的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦寫的 High-K Gate Dielectric Materials: Applications with Advanced Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (Mosfets) 和劉傳璽,陳進來的 半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站High-k+Metal-Gate-Technik - second.wiki也說明：The high-k + metal gate technology (HKMG technology) describes in semiconductor technology a special structure of metal-insulator-semiconductor field effect ...
這兩本書分別來自 和五南所出版 。
國立陽明交通大學 電信工程研究所 渡邊浩志所指導 陳彥廷的 隨機離散摻雜在堆疊式奈米片場效電晶體源極/汲極延伸區的變異性模擬 （2021），提出High-k metal gate關鍵因素是什麼，來自於堆疊式奈米片場效電晶體、源極/汲極延伸區、隨機摻雜擾動。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 簡昭欣、鄭兆欽所指導 鍾昀晏的 二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用 （2021），提出因為有 二維材料、二硫化鉬、二硫化鎢、二維電晶體、記憶體元件、邏輯閘的重點而找出了 High-k metal gate的解答。
最後網站Implementation Of High-k/Metal Gates In High-Volume ...則補充：technology node and for memory cells. WHY HIGH-K/METAL GATES ARE CRITICAL. Smaller transistors require a gate dielectric with increased capacitance.
High-K Gate Dielectric Materials: Applications with Advanced Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (Mosfets)
為了解決High-k metal gate 的問題，作者 這樣論述：
Niladri Pratap Maity, PhD, is an Associate Professor in the Department of Electronics and Communication Engineering at Mizoram University, India. He is the author of more than 110 journal articles and conference papers and the recipient of several best/excellent paper awards. He was a Visiting Scien
tist at the Department of Science and Technology, Government of India. His research interests include VLSI design, MOS device modeling, and MEMS.Reshmi Maity, PhD, is an Assistant Professor in the Department of Electronics and Communication Engineering, Mizoram University, Aizawl, India. Prior to th
at, she was an Assistant Professor at the JIS College of Engineering (West Bengal University of Technology) at Kolkata, India. She is the author of more than 80 refereed publications. Her research interests include VLSI design, nanoelectronics, and MEMS.Srimanta Baishya, PhD, is a Professor in the D
epartment of Electronics and Communication Engineering at the National Institute of Technology Silchar, India. Before that, he was an Assistant Professor in the Department of Electronics and Telecommunication Engineering of the same college. His research interests cover semiconductor devices and cir
cuits, MOS transistor modeling, and MEMSbased energy harvesting. He has published over 60 papers in peer-reviewed journals.
隨機離散摻雜在堆疊式奈米片場效電晶體源極/汲極延伸區的變異性模擬
為了解決High-k metal gate 的問題，作者陳彥廷 這樣論述：
近年來，針對電子元件的隨機摻雜擾動，無摻雜通道的採用有效地緩解了此一問題。然而，對於立體結構元件的源極/汲極延伸區，其狹窄的橫切面預期了隨機離散摻雜在源極/汲極延伸區仍會造成元件特性的擾動。在此篇論文中，我們探討了隨機離散摻雜在垂直堆疊式奈米片場效電晶體源極/汲極延伸區造成的變異性，其中我們模擬了堆疊式奈米片場效電晶體在不同層數的通道堆疊下產生的直流特性變異。我們發現臨限電壓的變異性會隨著堆疊層數的增加而放大，並且隨著堆疊層數增加，導通電流與關態電流之間的變異特性有著不同的趨勢。我們發現，除了摻雜體數量變化造成的特性擾動，摻雜體的位置與摻雜體不均勻地分佈在各層通道能顯著地改變關態電流的散佈。
同時，摻雜體在源極延伸區與汲極延伸區對關態電流造成的影響也有統計上的不同，因此，藉由個別地摻雜不同濃度在源極延伸區與汲極延伸區，我們預期關態電流的變異性可以由此降低。
半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)
為了解決High-k metal gate 的問題，作者劉傳璽,陳進來 這樣論述：
以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。 本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh
y；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 ●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 ●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 ●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 ●適合大專以上學
校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用
為了解決High-k metal gate 的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：
半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載
子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的
記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as
sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。