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另外網站二維陣列 - 安安的code日記也說明：資料型態陣列名稱[][]＝new 資料型態[列個數][行個數]; //列的個數一定要填java只有這種記憶體分配方式，c++還有其他方法，像是切割記憶體例： 讓使用 ...
這兩本書分別來自博碩 和博碩所出版 。
淡江大學 建築學系碩士班 陳珍誠所指導 徐笠仁的 結合形態生成與建築性能評估之前期建築設計程序之建立 （2021），提出c二維陣列輸入關鍵因素是什麼，來自於形態生成、多目標最佳化、基因演算法、基因編碼、適應度目標參數。
而第二篇論文長庚大學 電子工程學系 金國生所指導 蔡祺恩的 具低旁波瓣位準之60 GHz貼片天線設計 （2021），提出因為有 天線陣列、低旁波瓣、基板整合波導、不等分Y形功分器的重點而找出了 c二維陣列輸入的解答。
最後網站二維陣列的宣告與使用則補充：(1) int a[50][3]; // 宣告整數二維陣列a，其內容可以看成是一個棋盤表格，共有50列(橫排)，每列3個元素； 例如要儲存50位同學的三科成績，就可以這樣宣告。
APCS 完全攻略：從新手到高手，Python解題必備!
為了解決c二維陣列輸入 的問題，作者胡昭民,吳燦銘 這樣論述：
＼滿級分快速攻略／ 重點總整理 + 歷次試題解析 ☑ 結合運算思維與演算法的基本觀念 ☑ 章節架構清晰，涵蓋 APCS 考試重點 ☑ 備有相關模擬試題，幫助釐清重點觀念 ☑ 詳細解析 APCS 程式設計觀念題與實作題 APCS 為 Advanced Placement Computer Science 的英文縮寫，是指「大學程式設計先修檢測」。目的是提供學生自我評量程式設計能力及評量大學程式設計先修課程學習成效。其檢測成績可作為國內多所資訊相關科系個人申請入學的參考資料。 APCS 考試類型包括：程式設計觀念題及程式設計實作題。在程式設計觀念題
是以單選題的方式進行測驗，以運算思維、問題解決與程式設計概念測試為主。測驗題型包括程式運行追蹤、程式填空、程式除錯、程式效能分析及基礎觀念理解等。而程式設計觀念題的考試重點包括：程式設計基本觀念、輸出入指令、資料型態、常數與變數、全域及區域、流程控制、迴圈、函式、遞迴、陣列與矩陣、結構、自定資料型態及檔案，也包括基礎演算法及簡易資料結構，例如：佇列、堆疊、串列、樹狀、排序、搜尋。在程式設計實作題以撰寫完整程式或副程式為主，可自行選擇以 C、C++、Java、Python 撰寫程式。 本書的實作題以 Python 語言來進行問題分析及程式實作。實作題的解答部份可分為四大架構：解題重點分析
、完整程式碼、執行結果及程式碼說明。在「解題重點分析」單元中知道本實作題的程式設計重點、解題技巧、變數功能及演算法，此單元會配合適當的程式碼輔助解說，來降低學習者的障礙。 同時也可以參考附錄的內容來幫助自己熟悉 APCS 的測試環境。此外，為了讓學習者以較簡易的環境撰寫程式，本書所有程式以 Dev C++ 的 IDE 進行程式的編輯、編譯與執行。希望透過本書的課程安排與訓練，可以讓學習者培養出以 Python 語言應試 APCS 的實戰能力。 【目標讀者】 ◆ 欲申請大學資訊相關科系的高中職生 ◆ 對程式語言有興趣的學習者 ◆ 想客觀檢測自己程式設計能力的人
結合形態生成與建築性能評估之前期建築設計程序之建立
為了解決c二維陣列輸入 的問題，作者徐笠仁 這樣論述：
建築設計可以被視為涵蓋因何（What）、為何（Why）以及如何（How）三個工作步驟的解決策略（Problem-Solving）程序。回溯既往的學習經驗，不同階段建築設計的學習重點均聚焦在形式操作而非解決設計問題，而在形式操作過程中，對於形式美學的追尋大過於形式與機能的相互連結。設計的『為何』與『如何』被侷限在形式操作過程的合理性而非具體問題與解決設計策略的相互呼應。同時，由於學習過程中所面對的大多數建築設計操作課題，均有明確的建築機能需求指示，學習者絕少能自行釐清，從『因何』到『為何』、從『疑問』到『問題』的思維。同時，過於強調直觀式的形式美學操作訓練，亦削弱了建築機能需求與建築具體形式之
間的相互對應關係。 建築形式並非純粹出自於獨立的形式操作過程，它實際上是整體解決策略（Strategy）的具體呈現。因此，在設計發展過程中每一階段的設計決策都是有跡可循的，所有形式均來自於明確目的與手段的相互對應，其中並無任何模稜兩可或猶疑不決之處。遵循此一原則，數位演算形態生成應該被視為通過數位化模式將建築設計解決策略程序中的具體問題轉譯成為各個需求變數與相應的數學模式，並以此為依據推導出形式解決方案，而非僅將其視為數位化的形式操作工具。如何將完整的建築設計解決策略程序轉譯成為可行的數位演算形態生成邏輯的演繹與推論程序，為本研究主要之研究動機所在。 本研究旨在建立結合形態生成與建
築性能評估之前期建築設計程序。首先參考建築量體形式操作範例，將其轉譯為建築量體形態生成程序，並轉換編程為Grasshopper演算步驟，進行建築量體形態生成之邏輯演繹，藉以確認相關形態的生成控制參數。再藉由建築物理環境Ladybug Tools分析插件，就平均日照輻射量對於建築形態生成之影響進行分析。本研究主要的研究變數包括建築量體形態生成程序與其相關的控制參數，以及環境控制參數三者，主要目標希望推論出--『在環境控制參數最佳化的情形下，形態生成控制參數與生成結果之最佳解為何?』。此一問題屬於多目標最佳化問題（Multi-Objective Optimization Problem），依循基因
演算法（Genetic Algorithm），最佳化問題之解為最適應種群的基因編碼。而在演算所得每一代中，通過適應度函式計算得出適應度數值Fitness Value）對種群內的個體進行評估，並按照適應度高低排序種群個體。本研究通過形態生成控制參數產生各代種群個體的基因編碼，並以環境控制參數定義適應度目標參數。之後採用包含基因演算法與帕雷托最優（Pareto Optimal）之 Wallacei X 分析插件，進行形態生成與建築效能評估之多目標最佳化分析。 研究結果顯示，變動程序A—Extrude實體路徑向量序列以及實體路徑截面寬度與高度兩種形態生成控制參數，同時變動程序D—Nest建構線
序列、建構線點位參數以及虛空間規模等形態生成控制參數，均會增加建築量體總體積與總表面積，從而減少平均日照輻射量並增加平均陰影量。以 Wallacei X 分析插件針對程序A—Extrude與程序D—Nest進行最佳化分析後發現，採用平均適應度級別（Average of Fitness Ranks）分析方法進行最優方案選擇，程序A—Extrude最優方案計算所得之平均適應度級別，趨近於邊界量體與生成建築量體體積差值。而程序D—Nest最優方案計算所得之平均適應度級別，趨近於最終建築量體方案之總表面積。
APCS 完全攻略：從新手到高手，C++ 解題必備!
為了解決c二維陣列輸入 的問題，作者胡昭民,吳燦銘 這樣論述：
＼滿級分快速攻略／ 重點總整理 + 歷次試題解析 ☑ 結合運算思維與演算法的基本觀念 ☑ 章節架構清晰，涵蓋 APCS 考試重點 ☑ 備有相關模擬試題，幫助釐清重點觀念 ☑ 詳細解析 APCS 程式設計觀念題與實作題 APCS 為 Advanced Placement Computer Science 的英文縮寫，是指「大學程式設計先修檢測」。目的是提供學生自我評量程式設計能力及評量大學程式設計先修課程學習成效。其檢測成績可作為國內多所資訊相關科系個人申請入學的參考資料。 APCS 考試類型包括：程式設計觀念題及程式設計實作題。在程式設計觀念題是以單選題的方式
進行測驗，以運算思維、問題解決與程式設計概念測試為主。測驗題型包括程式運行追蹤、程式填空、程式除錯、程式效能分析及基礎觀念理解等。而程式設計觀念題的考試重點包括：程式設計基本觀念、輸出入指令、資料型態、常數與變數、全域及區域、流程控制、迴圈、函式、遞迴、陣列與矩陣、結構、自定資料型態及檔案，也包括基礎演算法及簡易資料結構，例如：佇列、堆疊、串列、樹狀、排序、搜尋。在程式設計實作題以撰寫完整程式或副程式為主，可自行選擇以 C、C++、Java、Python 撰寫程式。 本書的實作題以 C++ 語言來進行問題分析及程式實作。實作題的解答部份可分為四大架構：解題重點分析、完整程式碼、執行結果及
程式碼說明。在「解題重點分析」單元中知道本實作題的程式設計重點、解題技巧、變數功能及演算法，此單元會配合適當的程式碼輔助解說，來降低學習者的障礙。 同時也可以參考附錄的內容來幫助自己熟悉 APCS 的測試環境。此外，為了讓學習者以較簡易的環境撰寫程式，本書所有程式以 Dev C++ 的 IDE 進行程式的編輯、編譯與執行。希望透過本書的課程安排與訓練，可以讓學習者培養出以 C++ 語言應試 APCS 的實戰能力。 【目標讀者】 ◆ 欲申請大學資訊相關科系的高中職生 ◆ 對程式語言有興趣的學習者 ◆ 想客觀檢測自己程式設計能力的人
具低旁波瓣位準之60 GHz貼片天線設計
為了解決c二維陣列輸入 的問題，作者蔡祺恩 這樣論述：
中文摘要……………………………………………………………….…..…i英文摘要……………………………………………………………………...ii目錄…...……………………………………………………………………....iv圖目錄………………………………………………………………………...vi表目錄………………………………………………………………………...xi第一章 序論……………………………………………………………..…11-1 前言…………………………………………………………………11-2 研究動機與目的……………………………………………………21-3 論文內容大綱……………………………
…………………………4第二章 貼片天線與旁波瓣抑制原理介紹………………………….……52-1 貼片天線介紹…………………………….……………………..…52-2 陣列天線理論……………………………………….……..………102-3 旁波瓣位準介紹……………………………………………….…122-4 Dolph-Chebyshev分佈介紹………………………………...……13第三章 具Dolph-Chebyshev分佈之810貼片陣列天線設計……..…213-1 具25 dB Dolph-Chebyshev分佈110貼片子陣列設計…...…213-2 SIW基板合成波導原理與
設計…………………………………313-3 具25 dB Dolph-Chebyshev分佈SIW饋電網路設計……...…373-4 具Dolph-Chebyshev分佈810貼片陣列天線設計.…………503-5 波導輸入端介面設計…...........................................................…613-6 天線實做及量測結果………..……………………………….…69第四章 菱形排列低旁波瓣貼片陣列天線設計……………………...…..744-1 菱形排列貼片陣列分析…………………………………...……..754-2 菱形排
列低旁波瓣貼片陣列天線設計.…………………………764-3 天線實做及量測結果………..…………………………………102第五章 結論…………………………………………………..……………107參考文獻……………………………………………………....……….…...108 圖目錄圖2-1 矩形貼片天線結構圖……………………….........…….....……..7圖2-2 貼片天線結構側視圖之結構圖………………………………...7圖2-3二維平面天線陣列組態圖…………………….......….…...……10圖2-4 Chebyshev多項式T_m (z)函數圖…….....…………………..
…...15圖2-5 25 dB Dolph-Chebyshev分佈之陣列因子圖: (a) 10單元，(b) 8單元……………………........…….………………………….…20圖3-1 1 10不等寬串聯貼片陣列天線結構圖： (a) 3D視圖，(b) 側視圖，(c) 尺寸標示圖.........…….……………………………..25圖3-2 等效三埠模型： (a) 微帶線饋電之輻射貼片單元組態，(b) 等效三埠網路…………………….......…….…..................……26圖3-3 圖3-3 單元貼片表面電流分佈圖………………………..........26圖3-
4 貼片單元寬度變化之模擬響應圖: (a) |S21|，(b) |S11|)相位.......27圖3-5 槽孔饋電於微帶線：(a) 3D結構，(b)俯視圖.......…..…….....33圖3-6 槽孔耦合180功分器輸出埠相位差.......…….…..……………34圖3-7 1 10貼片子陣列模擬之S11響應………...........……..……….35圖3-8 1 10貼片子陣列於60 GHz之模擬輻射場型圖： (a) E-plane，(b) H-plane......……………...……………………….….36圖3-9功分器設計簡圖: (a)三柱上下移動P距離，(b)
單柱左右移動Q距離，(c)三柱左右移動R距離，(d)下兩柱微調S距離........39圖3-10 SIW功分器結構圖及尺寸標示: (a) EPD，(b) UPD1，(c) UPD2，(d) UPD3..………………...............................................42圖3-11 EPD之模擬結果： (a) S參數，(b) 相位結果.......................43圖3-12 UPD1之模擬結果：(a) S參數，(b) 相位結果.......……........44圖3-13 UPD2之模擬結果：(a) S參數，(b) 相位結果...
....…………45圖3-14 UPD3之模擬結果：(a) S參數，(b) 相位結果.......................46圖3-15 SIW一分八饋電網路結構圖： (a) 3D視圖，(b) 側視圖，(c) 尺寸標示圖.......………………………..….….............................47圖3-16 SIW一分八饋電網路S參數響應： (a) 振幅，(b) 相位.......49圖3-17 8 10貼片陣列天線結構圖： (a) 3D視圖，(b) 側視圖，(c) 圖(a)虛線圓框標示之局部電路尺寸............................
..............53圖3-18 不等寬貼片陣列表面電流圖…................................................54圖3-19 改變SIW耦合槽孔長度SL模擬S11圖……………………..55圖3-20 改變SIW耦合槽孔寬度SW之模擬S11圖..............................55圖3-21 改變匹配金屬柱距離vd之模擬S11圖.......……..……………56圖3-22 改變匹配金屬柱位置vsd之模擬S11圖…...............................57圖3-23 8 10不等寬貼片陣列
天線之模擬S11響應............................58圖3-24 8 10貼片陣列天線於60 GHz之模擬輻射場型圖： (a) E-plane，(b) H-plane.................................................……………..59圖3-25 8 10等寬貼片陣列天線俯視圖..............................................60圖3-26 8 10等寬貼片陣列天線之模擬S11響應………....................60圖3-27 8 10等寬貼片陣列天線
於60 GHz之模擬輻射場型...........61圖3-28 波導管轉SIW之轉接結構: (a) 3D圖，(b) 俯視圖...............63圖3-29 波導管轉SIW轉接結構之S參數圖…………………………64圖3-30 不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)之結構圖.…………….66圖3-31 810不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)之模擬S11響應...67圖3-32 810不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)於60 GHz之模擬輻射場型圖： (a) E-plane，(b) H-plane......…………………..68圖3-33 810貼片陣列天線實體電路圖: (a)正
面，(b)反面.................69圖3-34 WR-15波導管接頭.......………………………………………..70圖3-35 基板翹曲側視圖.......…………………………………………..72圖3-36 不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)之S11模擬與量測響應比較圖.......…………………..………..………………………72圖3-37 810不等寬貼片陣列天線(含波導輸入端)於59.5 GHz之量測與模擬輻射場型比較圖： (a) E-plane，(b) H-plane................73圖4-1 1 10等寬串聯貼片線陣列天線結構圖： (a)
3D視圖，(b) 側視圖.......…….………………………………..………………….78圖4-2 1 2貼片線陣列俯視圖.....................................................…….79圖4-3 1 2貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖，(b) 60 GHz輻射場型圖………………………………………………………………...79圖4-4 貼片線陣列俯視圖: (a) 14，(b) 16，(c) 18，(d) 110…...80圖4-5 1 4貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖，(b) 60 GHz輻射場型圖………………
………………………………………………...81圖4-6 1 6貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖，(b) 60 GHz輻射場型 圖.......…………………………………………………………....82圖4-7 1 8貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖，(b) 60 GHz輻射場型 圖..........................................................................................….....83圖4-8 1 10貼片線陣列模擬結果: (a) S11圖，(b) 60 GHz輻射場型 圖…
……..........………………………………………………….84圖4-9 菱形排列貼片陣列天線： (a) 俯視圖，(b) 表面電流圖...…85圖4-10菱形排列貼片陣列天線: (a) 3D圖，(b) 側視圖，(c) 圖(a)中橢圓虛線框標示之局部電路尺寸.............……………………..88圖4-11 改變SIW耦合槽孔SL’長度之模擬S11圖....………………..89圖4-12 改變SIW耦合槽孔寬度SW’之模擬S11圖…………………89圖4-13 改變匹配金屬柱距離vd’之模擬S11圖………………………90圖4-14 改變匹配金屬柱位置vsd’之模擬S11圖………………
…..…90圖4-15 菱形排列貼片陣列天線模擬S11響應……...…………………91圖4-16 以HFSS場量計算機計算單元貼片電流數值之示意圖: (a) 需計算電流數值之貼片示意圖，(b) HFSS場量計算機………..93圖4-17 菱形排列貼片陣列天線於60 GHz之模擬輻射場型圖: (a) E-plane，(b) H-plane……...…………………………………....96圖4-18 8 10等均勻貼片矩形陣列與菱形排列貼片陣列天線輻射場型比較圖: (a) E-plane，(b) H-plane…………………………97圖4-19菱形貼片陣列天線加入波導輸入端之結構圖………..……
...99圖4-20 菱形排列貼片陣列天線(含波導輸入端)之S11模擬響應….100圖4-21 菱形排列貼片陣列天線(含波導輸入端)於60 GHz之模擬輻射場型: (a) E-plane，(b) H-plane…………………………….101圖4-22 菱形排列貼片陣列天線實體照片: (a) 正面，(b) 反面…..104圖4-23 基板翹曲側視圖.....................................................................105圖4-24 菱形排列貼片陣列天線(含波導輸入端)之S11模擬與量測響應比較圖…………………………………………
…………105圖4-25 菱形排列貼片陣列天線(含波導輸入端)於59 GHz之量測與模擬輻射場型比較圖： (a) E-plane，(b) H-plane……….106表目錄表2-1 25 dB 8單元與10單元Dolph-Chebyshev電流振幅分佈值..19表3-1 10單元25-dB Dolph-Chebyshev分佈………………....……...28表3-2 對應25-dB Dolph-Chebyshev分佈之貼片寬度及S參數…...28表3-3不等寬貼片單元尺寸參數……………………….……...…...…29表3-4 Dolph-Chebyshev能量分佈與Radiated P
ower比較表…….…30表3-5 SIW結構尺寸 …………………………..….…………….……32表3-6 SIW一分八饋電網路尺寸參數 ………..….…………….……48表3-7 8 10不等寬貼片陣列天線槽孔及匹配柱尺寸……………....57表3-8 波導輸入端介面尺寸參數………………………………..……64表4-1菱形排列陣列貼片陣列天線槽孔、匹配柱尺寸參數…………91表4-2 菱形排列貼片陣列之電流數值表 ………………..….…..……94