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高功率脈衝磁控濺射製程靶材輸出與同步偏壓脈衝時序沉積氮化物性能之效應

為了解決100v降壓器推薦的問題，作者黃世宇 這樣論述：

本研究利用高功率脈衝磁控濺射(High Power Impulse Magnetron Sputtering, HiPIMS)系統且使用Ti靶搭配具有HiPIMS同步設定或延遲的偏壓系統沉積氮化物薄膜於碳化鎢(WC)與矽晶片(100)。並探討TiN薄膜在不同偏壓觸發延遲時間下對薄膜微結構與機械性質的影響。I. 偏壓為同步觸發延遲模式之TiN膜層效應透過高功率脈衝磁控濺鍍且偏壓設定在同步模式下使用觸發延遲功能，藉由改變觸發延遲時間(0 μs、50 μs、100 μs、150 μs)變化時沉積的 TiN 薄膜，並探討延遲偏壓的放電時序條件對 TiN 薄膜的成分、微觀結構和附著性的影響。薄膜的厚

度取決於偏壓電流和電壓值，EPMA 和 XRD 分析結果表明，同步偏壓導致鈦含量高的 TiN 具有(111)優選取向，而直流偏壓導致氮含量高的 TiN 具有(220)優選取向。當偏壓系統由直流轉變為同步時，TiN薄膜的殘留應力從-6.7 GPa降低到-4.0 GPa，提高了薄膜與基材的附著性。在 0 μs 的觸發延遲時間獲得硬度 (31.1 GPa)、楊氏係數 (561 GPa)、附著性 (83.7 N) 和最低磨耗率 (3 × 10−6mm3N−1m−1) 的最佳結果。II. 同步偏壓模式之AlTiN膜層效應透過高功率脈衝磁控濺鍍及同步偏壓結合觸發延遲功能與偏壓輸出時間，藉由TD0與TD5

0改變偏壓輸出時間(3%、6%、12%、18%)沉積AlTiN膜層，並探討偏壓的放電時序條件對AlTiN膜層的成分、微觀結構和附著性的影響。FE-SEM分析結果表明TD50, on 3%會有最高沉積速率為22.11 nm/min。EPMA與XRD的結果表明當Al比值x為0.71~0.74會導致h-AlN結構產生。TEM與奈米壓痕分析結果表明，直流偏壓轉變為同步偏壓提升偏壓輸出時間會使AlTiN晶粒細化約20 nm~30 nm，使硬度提升從22.7提升至24.7 GPa、殘留應力從-0.81 GPa提升至-1.04 GPa，並在TD0, on 6%時獲得最低殘留應力(-0.24 GPa)和最佳附

著性(54.8 N)。

以晶片製程與封裝技術增進LED效能之研究

為了解決100v降壓器推薦的問題，作者張源孝 這樣論述：

本論文第一部份是將AlGaInP LED浸泡於(NH4)2Sx溶液中進行表面硫化處理(sulfur treatment)，希望藉由硫化處理鈍化LED表面，以及移除懸浮鍵(dangling bond)與晶片製程中所造成之表面損傷，進而改善漏電流。第二部份利用半導體製程中的黃光製程技術和ICP乾式蝕刻技術在氮化鎵LED上蝕刻的Micro-Channel圓形孔洞陣列結構，以提供光線逃出路徑，改善發光二極體的外部量子效率。電壓電流量測結果顯示，Micro-Channel並未對LED電性造成明顯改變，但卻明顯提升發光效率。第三部份的研究主題是有關封裝技術改善發光二極體(LED)抗靜電能力。我們所提出的

製造方式是利用濺鍍以及熱處理系統來製作薄膜氧化鋅變阻器。電流電壓(I-V)特性顯示，我們所製造的薄膜變阻器具有相當好的元件特性。以此薄膜變阻器為封裝載板時，明顯的提昇LED抗靜電的能力，另外，直接將氧化鋅薄膜濺鍍於LED表面，同樣得到良好的抗靜電效果。第四部分的研究使用紅、綠、藍三色發光二極體，使用透明基板為封裝載板，以垂直堆疊的封裝方式組成模組，其具備均勻混合發光又可模組化之優點。由於玻璃基板導熱係數差，本論文之模組化封裝將使用散熱座結合散熱油，提供雙重熱散逸途徑熱傳導與熱對流，來降低發光二極體因玻璃基板導熱係數差導致發光效率下降的問題。