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國立臺灣大學 電機工程學研究所 陳耀銘所指導 林宛儒的 兩相交錯式升壓型轉換器之輸出脈衝式電流抑制 （2018），提出降壓器110v轉100v關鍵因素是什麼，來自於交錯式太陽能電能轉換器、升壓型轉換器、二極體電流、脈衝式電流。

而第二篇論文國立臺北科技大學 電子工程系 陳建中、黃育賢所指導 饒翔仁的 使用仿電流偵測技術之快速暫態響應磁滯電流控制降壓轉換器與使用高壓製程之OLED電流驅動器 （2017），提出因為有 電流驅動器、OLED、快速暫態響應、磁滯電流控制、降壓轉換器的重點而找出了 降壓器110v轉100v的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

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兩相交錯式升壓型轉換器之輸出脈衝式電流抑制

為了解決降壓器110v轉100v的問題，作者林宛儒 這樣論述：

本論文提出了一種降低交錯式升壓型轉換器脈衝式電流之策略。主要目的在於解決太陽能板因環境不同，致使輸出功率不同，使得交錯式太陽能升壓型轉換器之輸出能在不同環境因素情況下仍有最低之脈衝式電流。由於當太陽能板日照條件不同時，會有不同的輸出功率，各相升壓型轉換器會因為相位移的變化，產生不同的脈衝式電流，導致後級直流輸出端有不同峰值變動的脈衝式電流，進而產生輸出電壓漣波。為了降低輸出端的漣波電壓，本論文提出一種直接使輸出二極體電流漣波峰值降至最低的控制策略。在此控制策略中，根據各相輸入端不同的輸入電壓，改變不同相位之間的相位移角度，找出移動的最佳相位移角度，使得最後合成之輸出電流漣波峰值達到最低，而且

不需要外加任何元件或是電路即可實現此控制策略。本論文將會詳細介紹並呈現此控制策略之操作原理與相關數學推導，並且藉由電腦模擬與實驗結果來驗證此策略之正確性及可行性。

使用仿電流偵測技術之快速暫態響應磁滯電流控制降壓轉換器與使用高壓製程之OLED電流驅動器

為了解決降壓器110v轉100v的問題，作者饒翔仁 這樣論述：

本論文第一部分提出了使用仿電流偵測技術之快速暫態響應磁滯電流控制降壓轉換器，使用新式仿電流偵測技術取代傳統式電流感測電路降低整體電路複雜度與減少電路電晶體數量，並利用磁滯電流控制架構得到快速暫態響應。晶片使用TSMC 0.35μm 2P4M CMOS 製程所完成，輸入操作電壓為3.3V，輸出電壓為1V至2.5V，輸出負載電流範圍為100mA至500mA，暫態響應分別為3μs、3μs，而操作頻率為1MHz(輸出電壓為2.5V)，佈局面積為1.5 x 1.5 〖mm〗^2(含PADs)。本論文第二部分提出了使用高壓製程之OLED電流驅動器，此電路設計主要為提供後端OLED電路電流使用，參考市面上

datasheet-185mA至310mA的基準而設計。整體電路可以分為兩部分，AC-DC轉換器以及晶片化的OLED電流驅動器，晶片化的OLED電流驅動器利用PWM控制模式進行電路控制。驅動器晶片使用TSMC 0.50μm UHV 800V 2P3M CMOS製程實現，晶片輸入電壓可以由100V至800V，其輸出電流皆有在設計範圍中，而晶片總面積為2 x 1.25 〖mm〗^2 (含PADs)。

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