日本電壓200v的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

具迴授控制之高電壓設計與實現

為了解決日本電壓200v的問題，作者張清海 這樣論述：

本論文研究為一具有迴授信號控制之高壓脈波產生器，高壓部分由升壓轉換器的方式升壓，藉著迴授信號進入可程式邏輯控制器來調整場效電晶體的觸發脈波產生平穩輸出高壓源，高壓經由脈波寬度變調信號的驅動下，產生高壓脈波輸出。論文中的控制器高壓脈波源輸出藉由電壓迴授之外亦有功率迴授監控保護，在操作介面上使用觸控式人機介面當作電壓與脈波寬度設定，脈波電壓調整範圍為100V～800V，脈波輸出寬度最小可達為0.1毫秒而脈波調整範圍0.1毫秒～1秒。在功能上可設定Timer來控制脈波輸出時間，時間設定範圍由0.1秒～300秒。亦可設定輸出脈波數量，脈波輸出數量設定範圍1～3000個脈波，且具有產業價值。

以電漿沉積成長功能性奈米複合薄膜

為了解決日本電壓200v的問題，作者陳國政 這樣論述：

本論文利用不同的電漿鍍膜技術成長含有奈米結構的類鑽碳奈米複合膜，成長技術包括了感應耦合式電漿系統、濺射輔助電漿CVD、電容耦合式電漿系統和電漿噴塗系統，而奈米結構包括了奈米陶瓷粒子(如SiC, Si3N4, ZrO2, TiC, TiO2, ZnO等)，以及奈米結構碳，用以提高奈米複合碳膜的硬度，降低膜的壓縮應力，提升薄膜的靭性，增強膜的附著力，降低摩擦係數，以及使其具有光致親水性。 利用感應耦合式電漿CVD沉積含SiCxNy奈米粒子的類鑽碳奈米複合膜，製程上通入HNDSN [(CH3)3Si-NH-Si(CH3)3]為前驅物，並在基板施加一負的脈衝直流電壓以提供鍍膜離子所需的能量。藉

由改變不同的基板偏壓之鍍膜參數，探討對於SiCxNy-DLC膜的表面形貌、粗糙度，以及薄膜機械性質之影響。本研究可獲得15 GPa的薄膜硬度且具有0.5 GPa相當低的壓縮應力值，摩擦係數範圍在0.06~0.09之間，並以奈米磨耗測試得到相對低的磨耗深度，此薄膜呈現出不錯的耐磨耗性能；而添加SiCxNy奈米粒子到DLC基質中，可以增加薄膜的破裂韌性。 利用濺射輔助電漿CVD沉積含ZrO2奈米粒子的類鑽碳奈米複合膜，製程上通入乙炔做為碳源，並利用進氣環裝置在靶材表面通入Ar而濺射ZrO2靶材。此ZrO2-DLC膜具有非常平坦的表面，其磨潤性質可藉由鍍膜過程中的基板偏壓做調控。當使用愈高的離子轟

擊能量，會促使膜中sp2碳含量增加，從而薄膜的硬度與楊氏係數都降低；而以Vickers探針去壓印ZrO2-DLC膜所得到的破裂韌性值在14~22 MPa•m1/2之間，顯示了DLC膜內包覆ZrO2奈米粒子可以增加薄膜的破裂韌性。 利用電漿噴塗CVD沉積含有奈米結構碳的類鑽碳奈米複合膜，製程上通入苯和氮氣做為反應氣體，並由穿透式電子顯微鏡分析發現了奈米結構碳的存在。電漿噴塗反應器具有高度的電漿解離率與氣相碰撞反應，並輔以在氣相中通入微量的氮氣，是成長奈米結構碳的重要因素。 本論文亦利用濺射輔助電漿CVD製備了類鑽碳膜內含有TiO2(或ZnO)奈米粒子，使類鑽碳膜具有光致親水性的功能。製程上在

靶材施加一RF電源並通入Ar氣體去濺射TiO2靶材(或ZnO靶材)，並同時通入乙炔氣體且基板施予一脈衝直流電壓來成長類鑽碳膜。藉由調控濺鍍功率之鍍膜參數，TiO2及TiC的奈米粒子都可以加入到膜中，此TiO2-DLC膜所具有的最高的硬度值為14 GPa並具有相當低的應力，水接觸角在照射紫外光40分鐘內可以降到0度之超親水性；而ZnO-DLC膜也具有光致親水性的效果。 本論文亦利用中空陰極電漿CVD在低溫下合成了非晶形氮化硼膜，製程上通入Borazine (B3N3H6)及氮氣做為反應前驅物。此非晶形氮化硼膜具有透明且平坦的表面，當施加的中空陰極功率愈高及在高濃度氮氣的環境下，愈有助於膜中形成

sp3鍵氮化硼，此中空陰極電漿為產生sp3鍵氮化硼的重要因素。