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垂直磁異向性之單層FePt合金薄膜製作及磁性質研究

為了解決toshiba硬碟推薦的問題,作者孫達皇 這樣論述:

本研究探討快速熱退火製程(RTA)及臨場(In-situ)退火製程對單層FePt合金薄膜之顯微結構與磁性質之影響,我們分兩大部份說明:本研究第一部份於室溫下以DC直流磁控共鍍5-50 nm厚之FePt合金薄膜於Si(100)基板上,初鍍FePt合金薄膜採用快速熱退火(RTA)以100°C /sec之升溫速率加熱至700°C持溫3分鐘。研究結果顯示,FePt合金薄膜厚度在30 nm以上出現(111)從優取向,此時FePt薄膜傾向水平磁異向性;而當薄膜厚度降至20 nm時,FePt合金薄膜呈現散亂排列(random orientation);進一步將薄膜厚度降低至10 nm時,FePt合金薄膜之

磁異向性則轉變為垂直膜面,其垂直方向頑磁力(Hc⊥)為12.7 kOe,飽和磁化量(Ms)為456 emu/cm3,垂直方向角形比(S⊥)為0.72,並獲得9.7 nm之晶粒尺寸及孤立不連通的磁區結構,其磁區尺寸為123 nm。本研究第二部份將單層FePt薄膜臨場沈積在不同溫度基板,探討基板溫度、Pt含量及薄膜厚度對於單層FePt薄膜顯微結構和垂直磁性質之影響。研究發現在620°C之基板溫度以臨場直流磁控共鍍不同厚度之序化Fe54Pt46合金薄膜,當薄膜厚度控制在30 nm時,單層FePt薄膜具有很強的(001)從優取向並呈現高垂直磁異向性。進一步將FePt薄膜厚度增加至40 nm以上,由於F

ePt(111)繞射峰強度大幅增強,致使垂直磁異向性隨膜厚增加而降低。30 nm厚之FePt薄膜具有優異的垂直磁性質(垂直頑磁力達14.0 kOe、飽和磁化量為473 emu/cm3及角形比為0.96),具備應用於高密度垂直磁記錄媒體的潛力。