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the new gate的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦Chatzkel, Barbara寫的 Business Body Language: How to Speak It—and Read It 和Miwa, Yoshiyuki的 The New Gate Volume 11都 可以從中找到所需的評價。
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這兩本書分別來自 和所出版 。
國立陽明交通大學 電機資訊國際學程 白田理一郎所指導 羅茜妮的 寫入電壓及寫入/抹除過程的時間延遲對元件可靠度影響之研究 （2021），提出the new gate關鍵因素是什麼，來自於跨導、NAND 快閃記憶、可靠度。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子物理系所 簡紋濱所指導 李天任的 少數層二硒化鈀之電性傳輸與熱電性質 （2021），提出因為有 二硒化鈀、熱電效應、席貝克效應、熱電功率因子的重點而找出了 the new gate的解答。
最後網站the new gate 小說線上則補充：THE NEW GATE 是風波所寫的輕小說,輕小說文庫提供THE NEW GATE在線閱讀與TXT電子書下載,支持手機wap訪問注意︰文庫的所有資源為簡體版收錄，本繁體版是通過系統轉碼實現 ...
Business Body Language: How to Speak It—and Read It
為了解決the new gate 的問題，作者Chatzkel, Barbara 這樣論述：
Business Body Language is your step-by-step guide to the right body language to communicate effectively in business and professional settings. The book discusses the five business broadcast centers (face, feet/legs, arms, torso, and hands/fingers), how they interrelate, and how to coordinate body la
nguage with the spoken word so as to make the right first impression. Barbara Chatzkel provides a valuable reference on how to use professional body language and how to decipher the body language of others. She uses the most current research and information, and detailed descriptions and photograph
s help the reader master the skill of body language communication. Click here for an article by the author in inBusiness magazine: http: //inbusinessphx.com/partner-section/first-impressions-matter#.XAV4JGhKj5Z Barbara Chatzkel is President of the New River Group. She is an experienced Consulta
nt and Executive and Team Business Coach, specializing in organizational transition and change. She has worked with organizations, both large and small, experiencing cultural change as they reorganize, merge, get acquired, and manage through today’s business environment. Barbara’s organizational cha
nge and culture experience spans the public, private and nonprofit segments. Her clients include large federal agencies, for profit educational institutions, county and city governments, nonprofits, small businesses, and regional museums. She was named one of the 2014 Top Ten Business Women by the A
merican Business Women’s Association (ABWA). Barbara holds a B.A. in Political Science from Harpur College at Binghamton University and an MPA from Golden Gate University.
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2021年2月28日撮影
日の出駅（ひのでえき）
ゆりかもめ（東京臨海新交通臨海線）
1995年（平成7年）11月1日 開業。
2019年度の1日平均乗降人員は2,322人。
東京湾2号埋立地にあり、東京港防潮堤より海側のため、高潮警戒時にゲートが閉鎖されると孤立する。
The camera uses GoPro HERO 9
Hinode station
Yurikamome (Tokyo Waterfront New Transit Waterfront Line)
It opened on November 1, 1995.
The average daily number of passengers getting on and off in 2019 is 2,322.
Located in Tokyo Bay No. 2 reclaimed land, it is on the sea side of the Tokyo Port tide embankment, so it will be isolated if the gate is closed during high tide alerts.
相機使用GoPro HERO 9
日之出站
百合海鷗（東京臨海新交通臨海線）
它於1995年11月1日開放。
2019年上下車的平均每日乘客數量為2,322。
它位於東京灣2號填海區，在東京港潮汐堤防的海側，因此，如果在漲潮警報期間關閉大門，它將被隔離。
相机使用GoPro HERO 9
日之出站
百合海鸥（东京临海新交通临海线）
它于1995年11月1日开放。
2019年上下车的平均每日乘客数量为2,322。
它位于东京湾2号填海区，在东京港潮汐堤防的海侧，因此，如果在涨潮警报期间关闭大门，它将被隔离。
카메라는 GoPro HERO 9를 사용하고 있습니다
Hinode 역
유리카모메 (도쿄 임해 신 교통 임 해선)
1995 년 11 월 1 일에 개업했다.
2019 년도 1 일 평균 승강 인원은 2,322 명.
寫入電壓及寫入/抹除過程的時間延遲對元件可靠度影響之研究
為了解決the new gate 的問題，作者羅茜妮 這樣論述：
NAND快閃記憶體的可靠度會隨著連續寫入/抹除的次數增加，其行為可以在電流-電壓(I_D V_G)特性曲線中觀察到。導通電流隨著多次循環過程而下降。主要原因是經過多次寫入/抹除後，穿隧電子破壞氧化層而形成電荷缺陷，因而影響元件的可靠性，還可能造成資料儲存失敗或記憶體元件擊穿。本論文主要探討各種不同的寫入/抹除條件在室溫下對元件可靠度的影響，如: 寫入電壓、寫入到抹除過程的時間延遲、及抹除到寫入過程的時間延遲。從量測實驗中可以觀察到在室溫下，氧化層退化越嚴重隨著寫入電壓的增加，因為電場增加導致更多電洞注入到氧化層中，進而產生更多的電荷缺陷和介面缺陷。另外，透過實驗觀察到在室溫下，抹除到寫入過程
(E/P)的時間延遲相較於寫入到抹除過程(P/E)的時間延遲對元件可靠度有較顯著的影響，且較長的寫入/抹除時間延遲會造成更嚴重的氧化層缺陷。主要是因為在較長的的寫入/抹除時間延遲有利於電洞在氧化層中漂移，在靠近矽通道的表面與電子複合，產生更多的電荷缺陷或介面缺陷。
The New Gate Volume 11
為了解決the new gate 的問題，作者Miwa, Yoshiyuki 這樣論述：
少數層二硒化鈀之電性傳輸與熱電性質
為了解決the new gate 的問題，作者李天任 這樣論述：
尋找高效率的熱電材料是一個重要而有趣的課題，二維 (Two-Dimensional, 2D) 過渡金屬二硫化合物 (Transition Metal Dichalcogenides, TMDC)，因其優越的熱電性能以及未來廣闊的應用前景而受到廣泛關注。其中，二維二硒化鈀 (PdSe2) 因其理論上計算出高熱電性能，吸引了眾多科研工作者的目光。本實驗使用機械剝離法，剝取少數層PdSe2，利用半導體製程技術製作少數層二硒化鈀的場效電晶體與熱電元件，在室溫下研究了二硒化鈀的電性。本實驗中，二硒化鈀為n型半導體材料，電流的開關比 (On/Off Ratio) 約爲104，臨界擺幅 (Subthre
shold Swing, S.S.) 約爲9.52 V/dec，載流子遷移率 (Mobility) 最大為34.7 cm2·V-1·S-1。 另外，在二硒化鈀元件的熱電性能測量上，得到的最大席貝克係數約爲655 µV/K，與理論值十分接近，並觀察到席貝克值與電晶體場效應有關聯性。當閘極偏壓設定在臨界電壓附近時，席貝克係數到達峰值，而當閘極偏壓小於臨界電壓時，通道關閉沒有熱電效應。最後計算了二硒化鈀的熱電功率因子(Power Factor, PF)，通過調節閘極偏壓觀察熱電功率因子隨場效應的變化，並對比相應的材料層數，發現最大熱電功率因子為0.26 mW/m·K2，材料厚度為12層，證明二硒化鈀
是極具潛力的熱電材料。