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大葉大學 資訊管理學系碩士班 李建邦所指導 李彥欣的 區域環境因素與食道癌盛行率之空間資訊相關性探討 （2014），提出th-55gx750w ptt關鍵因素是什麼，來自於重金屬、食道癌、空間分析、地理資訊系統。
而第二篇論文元智大學 化學工程與材料科學學系 何政恩所指導 陳宏杰的 通孔填充中電鍍銅的生長行為及微結構之研究 （2012），提出因為有 通孔、電沉積銅、電子背向散射繞射、微結構、擇優取向、噴流流量的重點而找出了 th-55gx750w ptt的解答。
區域環境因素與食道癌盛行率之空間資訊相關性探討
為了解決th-55gx750w ptt 的問題，作者李彥欣 這樣論述：
探討危險因子和癌症之間發生的關係在醫學研究領域上是項重要的議題。其中臺灣地區食道癌發生率居高不下且增加速度居癌症之最，而且食道癌初期不易發現，故發現為晚期，整體而言，食道癌存活率也非常低，因此，不論手術、放射治療或化學藥物治療等，均難以得到良好之治癒效果。在過去的研究已證實咀嚼檳榔不良健康行為和口腔癌都與食道癌發生率有關，但根據健保資料庫的結果分析來看，三者並未顯示之間有明顯任何存在關係，再者以空間資訊分布來看三者的熱區顯示的地區都不盡相同，所以可能有另一項導致食道癌致癌因子存在例如環境污染。因此，本研究接著利用熱區和冷區聚集之分布位置去探討食道癌與八種重金屬之間的關係。
通孔填充中電鍍銅的生長行為及微結構之研究
為了解決th-55gx750w ptt 的問題，作者陳宏杰 這樣論述：
摘要通孔填充技術(through hole filling)是製造高密度互連(high density interconnection technology，HDI)印刷電路板的關鍵製程。本研究使用場發射掃描式電子顯微鏡(field-emission scanning electron microscope，FE-SEM)、電子背向散射繞射(electron backscatter diffraction，EBSD)分析隨電沉積時間延長通孔填充中銅的微結構演變過程。SEM觀察結果顯示，填孔銅厚度係與沉積時間成正比。在爆衝前銅厚度的增加較緩慢，但在爆衝時因銅沉積速度增快，造成銅厚度短時間內顯著
增大。EBSD分析結果顯示，在電沉積銅中主要以大角度晶界(>15)為主，且具有高比例的特殊晶界，例如Σ3，Σ9等。從方向觀察發現，與方向是電沉積銅主要的擇優取向。同時本研究也針對爆衝前後電沉積銅的平均晶粒尺寸與晶體結構進行討論。另一方面，研究發現噴流流量是影響通孔填充結果的因子之一。適當的噴流可以提升銅離子於通孔內的置換性，進而減少包孔發生的機率。此系列之研究係可提供電子工業所需之金屬化填孔的相關知識，以作為填孔製程再精進的重要依據。ii關鍵詞:通孔、電沉積銅、電子背向散射繞射、微結構、擇優取向、噴流流量。