source drain定義的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

另外網站场效应管维基百科,自由的百科全书- 場效電晶體也說明:... 接著以第道光罩定義出源極和汲極區域圖2 2 b ,然後以離子佈值植入能量30keV, ... 場效應電晶體的三個極則分別是源極Source、 閘極Gate 和汲極Drain。

國立暨南國際大學 資訊管理學系 陳建宏所指導 簡鈺紋的 以系統動態學探討非營利組織永續經營策略-以埔里基督教醫院為例 (2021),提出source drain定義關鍵因素是什麼,來自於非營利組織、永續經營策略、募款策略、新媒體應用、系統動態學。

而第二篇論文明新科技大學 電子工程系碩士在職專班 楊鎮澤所指導 楊雅媛的 應用程式偵測積體電路佈局設計中的漏電 (2021),提出因為有 互補式金屬氧化物半導體、P型金氧半場效電晶體、N型金氧半場效電晶體的重點而找出了 source drain定義的解答。

最後網站MOS管工作原理 - 百度文库則補充:定义 上,载流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了source drain定義,大家也想知道這些:

以系統動態學探討非營利組織永續經營策略-以埔里基督教醫院為例

為了解決source drain定義的問題,作者簡鈺紋 這樣論述:

政府資源的支持是很多非營利組織的重要收入來源,但隨著非營利組織數量持續增加,政府補助的資源也開始不足,為了達成使命,在面臨財務緊縮之下如何永續發展就成為每一個非營利組織必須思考的問題。而對於位在偏鄉地區的非營利組織而言,在經營上要面臨的困難會更多,諸如難以尋求人才、人才流失、勞動力不足、募款不易等問題,因此如何善用經營策略幫助非營利組織維持永續發展,是一項迫切的議題。本研究針對埔里基督教醫院,以個案研究的方式,透過深度訪談法與次級資料收集,了解個案的發展歷程,以探討影響個案在經營上的困難點。本研究以系統動態學,將此發展歷程以組織面、醫療專業面、募款面與新媒體應用四個面向進行研究,釐清四個層面

以及發展策略背後所蘊含的因果環路結構,最後綜合對個案的各個層面提出可供參考之意見。本研究發現影響組織各個面向最重要因素為組織聲望,當組織利用新媒體來提高組織聲望時,可以同時解決「開源有限」與「難以節流」的問題,提高組織在募款與醫師層面之效率。

應用程式偵測積體電路佈局設計中的漏電

為了解決source drain定義的問題,作者楊雅媛 這樣論述:

摘要本論文將針對因互補式金屬氧化物半導體(CMOS, Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)高壓製程實際電路設計不當並無法靠模擬程式和驗證程式找出錯誤而造成漏電的問題做分析和提供解決方法。在CMOS非高壓製程設計時P型金氧半場效電晶體(PMOS, P-Metal-Oxide-Semiconductor)與N型金氧半場效電晶體(NMOS, N-Metal-Oxide-Semiconductor)皆是四端點的元件分別是源極(Source)、閘極(Gate)、汲極(Drain)、基極(Bulk),但高壓製程步驟需要PMOS加上N型深井(Deep-NWell

),因此PMOS會變為五端點的元件,而NMOS會因為加上Deep-NWell 則變為六端點的元件。 但在電路設計時PMOS與NMOS均只有四個端點,所以沒有PMOS的第五端點與NMOS的第五和第六端點的定義,因此,當進行IC實體電路設計時因Deep-NWell不允許浮接,所以這第五端點的電位要接到什麼電位就是最大的風險。 而在電路設計模擬時只能模擬出來四個端點的結果,因此不會察覺到任何錯誤,本論文將此部分定義為「實體電路盲區」。「實體電路盲區」會導致漏電,這個現象的形成是由半導體的P型與N型介面形成PN介面的二極體(Diode)導通的過程所造成的漏電現象,這會造成耗電量急遽增加,大幅超越原本的

規劃。 本論文利用電路設計階段所有的應用,思考整體架構後,使用IC實體電路設計的驗證軟體Calibre撰寫驗證程式,將這個寄生二極體導通的部分加以除錯(Debug)以避免漏電(Leakage)。