soi cu 366的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

輸出級與靜態隨機存取記憶體之鰭式與閘極全包覆式電晶體設計

為了解決soi cu 366的問題，作者吳奕廷 這樣論述：

本論文採用半導體製程與元件模擬軟體(Technology Computer Aided Design, TCAD)來研究現今鰭式電晶體(FinFET)所遭遇到的挑戰。和傳統的平面電晶體相比，鰭式電晶體所遭遇到的第一個挑戰是其橫向擴散金氧半電容元件(laterally-diffused MOSFET, LDMOS)的特性較差，這是因為其元件漂移區(drift region)的鰭式結構寬度很小(截面積不足)而導致了高導通電阻的產生，本論文的第三章提出了一種新的製程方法，將原本橫向擴散金氧半電容元件的鰭狀飄移區(fin-type drift region)改成完整的塊狀平面飄移區(bulk pla

nar drift region)，使得導通電阻可以大幅下降，而不減損崩潰電壓。鰭式電晶體所遭遇到的第二個挑戰是其等效通道寬度只能是非連續的特定值。由於整片晶圓上的所有鰭式電晶體的通道寬度(fin width)與高度(fin height)皆相同，改變鰭的根數是調變電晶體等效通道寬度的唯一方法。由於鰭的根數一定是整數，所以在固定電壓下，電晶體的電流也只能是不連續的特定值。對於靜態隨機存取記憶體來說，其上拉(pull-up)電晶體相較於閘門(pass-gate)電晶體的電流比例(上拉比例pull-up ratio)必須是某個小於1的特定值，才能有最好的寫入能力與良率。然而，當鰭式電晶體的電流只能

是特定值的時候，這個比例將難以被達成。本論文的第四章提出了一個新的方法以達成這個比例。藉由插入一個薄的氧化層在鰭通道內，將鰭通道將分割成上通道和下通道。接著，藉由重摻雜上拉電晶體的上通道使其不導通，上拉電晶體的導通電流將由僅存的下通道高度來決定，氧化層的位置越低，下通道高度就越低，上拉電晶體的導通電流由氧化層的位置來決定。鰭式電晶體所遭遇到的第三個挑戰，在於其短通道效應的抑制能力不足以應付元件的持續微縮。今天，大部份的學者專家都認為，當未來電晶體的閘極長度小於15奈米的時候，現有的鰭式電晶體將被閘極全包覆式電晶體(Gate-all-around transistor)所取代。然而，閘極全包覆式

電晶體的缺點在於，奈米線(nanowire)與奈米線間的垂直間距至少需要大於10奈米，才能提供足夠的空間來填充具有一定厚度的功函數金屬(work function metal)。因此，在一樣的元件高度下，所能堆疊的奈米線數目將十分有限，導通電流不高。僅管，有學者專家提出將奈米線拓寬成奈米片(nanosheet)來增加導通電流，這個方式會增加電晶體面積導致成本增加。本論文的第五章提出了一個新的高介電係數插入氧化層鰭式電晶體(high-permittivity inserted-oxide FinFET, iFinFET)來提升電流。藉由利用一個超薄(約3奈米厚)的高介電係數材料來取代原本奈米線間

10奈米間距的功函數金屬，相同元件高度下可以堆疊更多的奈米線。最後，本論文的第六章提出了一種新型態的混合靜態隨機存取記憶體。藉由使用高電流的插入氧化層鰭式電晶體當作閘門(pass-gate)與下拉(pull-down)電晶體，再使用低電流但低漏電的閘極全包覆式電晶體當做上拉(pull-up)電晶體，靜態隨機存取記憶體的上拉比率得以最佳化，使得良率提升，最小操作電壓下降，功率消耗減少，記憶體面積與存取時間保持不變。本論文的第六章也針對了最近提出的叉子記憶體(Forksheet SRAM)進行了完整的分析。

利用金屬-絕緣體-金屬表面電漿奈米環形共振腔光波導結構設計全光式分波多工器

為了解決soi cu 366的問題，作者楊士聖 這樣論述：

本論文中，吾人探討並利用金屬-絕緣體-金屬表面電漿環形共振腔的光波導結構特性，來設計全光式分波多工器。首先，吾人沿用前人8通道的全光式分波多工器，嘗試延伸設計出18通道的全光式分波多工器，而前人的研究方法是按照線性等比例增加耦合距離，來探討理想的中心波長及傳輸率，但這個方法可塑性不高，架構微型化不易，不適合用於設計8通道以上的全光式分波多工器。吾人透過調整環型共振腔的半徑的大小來濾出中心波長，調整共振腔和波導的耦合距離，使之減少串音干擾，利用此特性設計出一個濾波器。再利用金屬-絕緣體-金屬表面電漿與環形共振腔波導結構來設計多通道的低密度分波多工器(CWDM)。最後，使用指數增長的方法，調整環

型共振腔與環型共振腔之間的耦合距離，進而分析模擬結果的傳輸率。讓此CWDM系統中，每個傳輸通道皆有高於80%的傳輸率，並且符合ITU-T G.694.2的相關規格。而此多通道的低密度分波多工器(CWDM)，吾人突破以往的通道數量，成功設計出18組通道的全光式分波多工器。並且在環形共振腔的材料分別使用空氣、矽及二氧化矽，得到中心波長位置在1250奈米，以間距每20奈米增加至1590奈米，每個通道理想的傳輸率最低都有80%、90%及85%。