sch40厚度的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

高溫質子交換膜燃料電池膜電極組研究

為了解決sch40厚度的問題，作者王俊智 這樣論述：

本研究主要探討的內容分為三個部分，第一，改變高溫質子交換膜中觸媒層的白金含量，分別噴塗陰陽極0.5、0.4、0.3 mg/cm2以及固定陰極0.4 mg/cm2改變不同陽極負載量，以求尋找到最適合的觸媒負載量，使電池性能有最佳的性能表現，第二則是比較在觸媒層中添加3、6、9 wt.%奈米碳管(carbon nanotube, CNT)，比較不同碳載體對電池性能的影響，最後探討膜厚45、60、74 μm對於電池性能的影響。而第一部分的結果分別是最佳觸媒量使用陰陽極都0.4 mg/cm2，觸媒量過多會導致觸媒層厚度較厚使得觸媒阻抗上升，而觸媒量過少，導致性能較低。而第二部分則是發現到添加6 wt

.%CNT有最高的性能，可以達到636.7 mA/cm2，而最後則是PBI-epoxy膜的厚度跟性能的比較，而性能最佳的是膜厚60 μm，性能表現為664.3 mA/cm2。

以直流脈衝磁控濺鍍技術沉積Ⅲ/Ⅴ族化合物半導體氮化鎵薄膜於玻璃基板之材料光電特性分析

為了解決sch40厚度的問題，作者張鈺琳 這樣論述：

本研究主旨在採用脈衝直流濺鍍技術沉積Ⅲ/Ⅴ族化合物半導體氮化鎵薄膜於玻璃基板之材料光電特性之研究分析，並且朝向得以在業界廣泛的應用及製作高品質氮化鎵薄膜於玻璃基板上，以降低製造成本、進行大面積製造、製程中不會產生有毒物質，並且不須巨量轉移即可完成micro-LED之生產應用。於此研究我們採用射頻磁控濺鍍技術其濺鍍功率為150W，於非晶態玻璃基板及氮化鎵薄膜層之間沉積了厚度100 nm 的氧化鋅緩衝層來改善GaN薄膜的結晶品質，接著使用脈衝直流（Pulsed-DC）濺鍍技術在基板溫度300 °C下成功的在非晶態玻璃基板上沉積了厚度300 nm 的未摻雜氮化鎵薄膜、矽-鈦共摻雜之n-型氮化鎵薄膜

、以及鎂-銅共摻雜p-型氮化鎵薄膜，均得到了良好的薄膜品質及光電特性。使用電子顯微鏡掃描結果清楚顯示出氮化鎵薄膜具有柱狀結構並沿C軸生長，而且所有的氮化鎵薄膜進行XRD量測結果均顯示出典型的（002）六方纖鋅礦結構，其2θ圍繞在34.5 °C附近，並具有窄的半高寬及高強度此代表了薄膜品質的優越。另外未摻雜氮化鎵薄膜的光激發光PL室溫量測結果分別顯示出365 nm的禁帶邊緣放射和430 nm藍色帶的躍遷能級以及低溫 (10K) 量測結果分別顯示出藍色帶隙413 nm以及黃色帶隙540 nm的放射能量。此外對矽-鈦共摻雜n-型氮化鎵薄膜、鎂-銅共摻雜p-型氮化鎵薄膜進行了不同的溫度退火以提升其薄膜

品質。此n-型及p-型氮化鎵薄膜之光激發光PL室溫量測結果均顯示出365 nm、413 nm的禁帶邊緣及藍色帶的放射能量，並且在霍爾量測獲得了低電阻率和高載子濃度，於n-型氮化鎵及p-型氮化鎵之電阻率分別為2.6 × 10-1 Ω-cm和8.57 × 10-3 Ω-cm；其高載子濃度分別為6.65 × 1019 cm-3及4.28 × 1019 cm-3。最後使用X射線光電子能譜測量薄膜所含之元素，結果清楚地顯示出n-型摻雜及p-型摻雜之元素均成功的摻雜進入氮化鎵薄膜，並且n-型摻雜之矽、鈦原子及p-型摻雜之鎂、銅原子均與氮原子形成良好的鍵結。綜觀上述量測之結果證明使用脈衝直流磁控濺鍍沉積Ga

N膜可得到高薄膜品質，並具有在玻璃基板上實現製造氮化鎵相關光電元件的巨大潛力。