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另外網站Goodram PC RAM kit GR2133D464L15S/8GDC 8 GB 2 x 4 ...也說明:Goodram 8 GB DDR4-2133 Single Rank PC RAM. Expand RAM now. RAM expansions are usually the best way to give laptop performance a significant boost. Highlights & ...

國立成功大學 資訊工程學系 張大緯所指導 柯宗銘的 改善鍵值快取系統於非揮發式記憶體之效能 (2020),提出ram ddr4關鍵因素是什麼,來自於非揮發式記憶體、相變化記憶體、鍵值系統、效能。

而第二篇論文淡江大學 電機工程學系碩士班 楊維斌所指導 周思含的 具有相位對齊之高解析度脈衝寬度調變延遲鎖定迴路 (2020),提出因為有 延遲鎖定迴路、相位內插、脈衝寬度調變、高解析度的重點而找出了 ram ddr4的解答。

最後網站DDR5和DDR4記憶體的差別-十銓科技TEAMGROUP則補充:記憶體 單支容量在DDR4時期,最高為單支32GB,以正常主流消費性Dual Channel主機板支援2 DPC(2 DIMM Per Channel)來看,DDR4平台較常見的記憶體總容量 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了ram ddr4,大家也想知道這些:

PCDIY 2017 電腦選購‧組裝‧應用

為了解決ram ddr4的問題,作者施威銘研究室 這樣論述:

最新 CPU‧主機板‧顯示卡、SSD 完全對應, 最暢銷的電腦硬體圖解書!   電腦硬體日新月異, 許多人常常會有這樣的感嘆:要同時符合『價格便宜、功能強大、滿足需求』等 3 大條件的電腦, 似乎很難......因為從網路、賣場、店家拿到 DM、報價單, 上面密密麻麻的一堆品項與規格, 完全看不懂差在哪, 價格硬是差了好幾千元, 就是擔心買新電腦卻買貴了、或所需功能不足、甚至系統效能 / 等級比其他人的舊電腦還遜上一截......   本書是最淺顯易懂、也最具權威性的電腦硬體全圖解書!書中將電腦各零組件基本規格、組裝應用完全解說, 讓您一眼就能看出最新零組件的規格與差異, 並用最便宜的

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主螢幕:AGON AG273QCX 144Hz FreeSync2
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CPU:Intel i9-9900KF
主機板:ROG Z390 Gaming
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風扇:NZXT Aer RGB 120 x 3 / F120 x 3 / F140 x 1
燈光:NZXT HUE+ 燈光控制器
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配件:NZXT internal usb 2.0 HUB
電源:NZXT E650 金牌全模組數位電源
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入耳式:B&W C5 Series 2
電競椅:SADES Unicorn 粉紅獨角獸
麥克風:Yeti 雪人白 + 懸吊支架
鏡頭1:羅技 C922 Pro
鏡頭2:羅技 C930e
影像截取盒:AVerMedia BU110

片頭配樂:
Track: Rob Gasser - Hollow (feat. Veronica Bravo) [NCS Release]
Watch: https://youtu.be/L14hxW2SN68
片尾音樂:
Track: Arlow - How Do You Know [NCS Release]
Watch: https://youtu.be/2mcwNXVHqlI
Music provided by NoCopyrightSounds.

#遊戲直播 #天堂2M #謎團隊

改善鍵值快取系統於非揮發式記憶體之效能

為了解決ram ddr4的問題,作者柯宗銘 這樣論述:

新興非揮發式記憶體被認為有可能在未來取代 DRAM 或與DRAM並存於計算機系統中。然而,多階層非揮發式記憶體上的資料保留時間和寫入效能之間需要取捨。因此,為資料選擇合適的保留時間成為一個重要的議題。現今,鍵值快取系統已被網路應用程式廣泛使用來減少從資料庫查詢特定資料所需的延遲。在非揮發式記憶體上開發鍵值快取系統可以降低儲存設備的成本,並使鍵值快取系統能夠將數據持久儲存在非揮發式記憶體上。然而,由於非揮發式記憶體的寫入和讀取之間的性能不對稱,因此在沒有軟體最佳化的情況下,在非揮發式記憶體上開發鍵值快取系統可能會導致性能下降。先前的研究主要集中在改善鍵值系統的索引結構以減少對非揮發式記憶體的寫

入。本研究提出一個稱為 Dual-KV 的架構,可以使鍵值快取系統能夠利用兩種資料保留時間來寫入資料且不需要大幅度的軟體重構。Dual-KV 提供介面讓鍵值快取系統能夠預測熱門資料,並針對熱門資料使用較快的寫入方式來提升系統效能。根據實驗結果,在單一客戶端的工作負載下 Dual-KV 可以提升 43% 的吞吐量,並將請求延遲降低 30%。在多客戶端的工作負載下 Dual-KV 可以提升 83% 的吞吐量,並將請求延遲降低 45%。

具有相位對齊之高解析度脈衝寬度調變延遲鎖定迴路

為了解決ram ddr4的問題,作者周思含 這樣論述:

由於現今在積體電路系統中已經廣泛的應用系統晶片設計概念,且市場對於高效能系統單晶片的需求日漸增長,為了整合更多功能,時脈合成或是倍頻基本已經成為晶片內部中不可或缺的功能之一。且至今電路系統中的時脈訊號也愈來愈快,在晶片內部的非理想效應會使相位產生誤差以及延遲,這可能會嚴重影響整個系統的效能,因此數位系統電路整合的同步性也變得相當重要。隨時傳統常見的頻率合成器時常使用鎖相迴路(Phase-Locked Loop,PLL)設計,不過延遲鎖定迴路(Delay-Locked Loop,DLL)本身的時脈抖動(Jitter)以及穩定度方面表現相比於鎖相迴路(PLL)要好。一般而言,鎖相迴路(PLL)系

統中含一電壓控制振盪器(Voltage Controlled Oscillator),而此電路常會無法避免的抖動雜訊累積(Jitter accumulation),而延遲鎖定迴路(DLL)中的電壓控制延 線(Voltage-Controlled Delay Line,VCDL)不會將輸入的雜訊累積在其中,進而使得鎖相迴路(PLL)之雜訊抗擾性低於延遲鎖定迴路(DLL)。且延遲鎖定迴路(DLL)之迴路濾波器僅需要一階的電容,不同於鎖相迴路(PLL)需要二階以上的複雜濾波器來使系統穩定,如若設計不當可能會導致系統不穩定甚至失鎖。所以延遲鎖定迴路(DLL)此方面不僅降低了晶片面積,其系統容易穩定,也

具有容易設計的特性。延遲鎖定迴路(DLL)已被廣泛地運用在許多需要時脈操作的電路上,如同步動態記憶體(SDRAM) 、數位信號處理器(DSP)、類比數位轉換器(ADC)等等,都可以使用延遲鎖定迴路來提供一個穩定的系統時脈,使電路可以達到預期的性能。我們在架構中包含相位偵測器(Phase Detector,PD)、充電幫浦(Charge Pump,CP)、迴路濾波器(Loop Filter,LF)以及電壓控制延遲線(VCDL),而為了提高延遲時間的解析度,運用了相位內插的方式。在系統鎖定後,系統後方相位內插電路(Interpolator)在電壓控制延遲線(VCDL)的延遲級中不同的相位之間做內插

,來產生不同的相位,再經過控制選擇及相位比較來合成出不同的脈衝寬度的輸出,令此延遲鎖定迴路(DLL)可運用在脈衝寬度調變(PWM),提高實用性。我們所提出的延遲鎖定迴路(DLL)架構採用台積電0.18-μm CMOS製程來實現,在工作電壓是1.8-V下,操作頻率為100-MHz,最小解析度為11.25˚,整體功耗為2.07 mW。