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垂直式氮化鎵發光二極體外觀良率提升之研究

為了解決pp耐熱袋尺寸的問題，作者劉俊成 這樣論述：

垂直式發光二極體是以晶圓鍵結(Wafer bonding)，以及雷射剝離(Laser lift-off)製程，將元件剝離轉置於導熱及導電性較好之矽基板，因此垂直式發光二極體為高亮度及高耐熱之發光二極體。垂直式發光二極體目前的電性良率可達到80%~90%，除此之外還有外觀良率需改善，以達到良好的外觀與電性良率。本論文主要探討垂直式氮化鎵發光二極體外觀良率提升，經由晶粒自動目檢機（Automated Optical Inspection，AOI）與人員的挑除統計的數據得知晶粒外觀缺陷第一挑除項目是底層污染，因此探討製程手法改變後的底層污染缺陷是否改善。晶粒表面髒污藉由製程包裝手法、清潔藥水、清洗

方式比較，發現Tray盤包裝的潔淨度優於紙袋與塑膠袋。再來是針對底層污染樣式做分析與探討各種酸鹼清潔藥水對提升底層污染的良率，經由交叉比對的實驗數據發現鹼性藥水(NH3)的清潔能有較好的良率，所產生的蝕刻破洞率為1.1%~1.5%。以Tray盤包裝搭配NH3藥水底污比率為2.5%，良率可提升0.6%~1.4%。PMIR(P Mirror，P側反射層)膜層品質的因素就與鍍膜機所設定的作業參數有很大關係，藉由調整PMIR鍍膜參數，驗證鍍膜功率、基板溫度、腔體壓力與各磊晶機台VF(順向電壓)、LOP(亮度)的相關性，在鍍膜壓力：6×10-4Torr，基板溫度：80°C，鍍膜功率：200W時底污比率較

少，底污比例可減至5%~30%，有效的提升外觀良率。關鍵詞：垂直式發光二極體，晶粒外觀良率。