已經跟呼吸一樣重要的網路和手機論文書籍站
淡江大學 化學工程與材料工程學系碩士班 許世杰所指導 邱彥斌的 酸性溶液在氮化鎵磊晶層上蝕刻行為之研究 （2017），提出overcut中文關鍵因素是什麼，來自於氮化鎵、濕式蝕刻、硫酸、硫磷酸、磷酸。
而第二篇論文國立臺灣大學 化學工程學研究所 藍崇文所指導 吳佑岑的 N 型類單晶矽晶體生長的單晶比例改善與缺陷控制 （2015），提出因為有 N 型矽晶、類單晶、缺陷控制、界面控制、太陽能電池的重點而找出了 overcut中文的解答。
酸性溶液在氮化鎵磊晶層上蝕刻行為之研究
為了解決overcut中文 的問題，作者邱彥斌 這樣論述：
本研究主要探討酸性溶液對於氮化鎵磊晶層之蝕刻行為，藉由三種不同的酸性溶液(硫酸、磷酸、硫磷酸)蝕刻藍寶石基板上的氮化鎵磊晶層，製造出表面粗糙化的氮化鎵結構。實驗中探討不同時間、不同蝕刻液對於表面形貌及蝕刻深度之影響，並使用SEM、AFM、XPS對蝕刻後的樣品進行分析。實驗結果發現，經過酸性溶液的蝕刻，會在表面形成坑洞。根據不同的蝕刻液的選擇會產生不同的蝕刻形貌。硫酸蝕刻下，氮化鎵磊晶層的厚度並不會有明顯的改變，但會在表面產生倒六角椎的坑洞，並隨著時間增長而擴大、結合，最後會維持在蝕刻面(101 ̅5 ̅)；磷酸蝕刻下，氮化鎵磊晶層厚度隨著時間減少，蝕刻坑由倒六角椎形隨著時間轉變為六角柱形，並
且坑洞隨著時間延長相互結合，坑洞的大小及深度會隨著時間增加而增加，整體的厚度也會隨著蝕刻時間的增加而減少；硫磷酸蝕刻下，氮化鎵磊晶層厚度隨著時間減少，蝕刻坑會由倒六角椎，漸漸轉為倒十二角椎的坑洞，最後的維持在約為9.3°之夾角。這些坑洞的產生，源於氮化鎵磊晶在藍寶石基板時，因為兩者晶格不匹配所導致的缺陷，而酸性溶液會由這些缺陷開始蝕刻並產生坑洞。產物方面，在硫酸蝕刻的實驗組中，蝕刻過後可以發現Ga-OEx的峰值提升，且在169.1 eV處產生一硫化物之特徵峰，根據對應為產物Ga2(SO4)3；磷酸實驗中，蝕刻過後可以發現O 1s、P 2p的鍵結峰上升，可以證實磷酸根可能是影響蝕刻的主因；硫磷酸
實驗下，反應後之鍵結能並沒有明顯之差異，因此在樣品的表面並沒有發現任何產物。
N 型類單晶矽晶體生長的單晶比例改善與缺陷控制
為了解決overcut中文 的問題，作者吳佑岑 這樣論述：
在所有鑄造的矽晶中，N 型類單晶矽擁有高效能與低成本的優勢，然而仍需要在長晶中控制晶碇的阻值、單晶比例以及缺陷的生成。本文主要提到單晶比例與缺陷控制的結果。單晶比例控制部分，藉由加強坩堝側壁保溫可獲得微凸的長晶界面，而在晶種外環排列生成的Σ5晶界可有效阻檔從坩堝側壁成核的多晶，結合以上兩者的方法，單晶比例有明顯的提升且頂部單晶比例可達93%。缺陷控制部分，第一個晶種排列實驗，將兩個(100)晶種堆疊以防止晶種發生過融，並且控制融料界面橫跨兩個晶種的縫隙進而生成0°晶界。第二個晶種排列實驗，將一個(100)晶種切成一塊圓型晶種以及九塊扇形晶種，並將圓型晶種放置中央，且藉由九塊扇形晶種重新排列生
成0°到40°的晶界，討論晶界以及三接點(Triple junction)處角度的變化與缺陷密度的發展。吾人發現不同縫隙尺寸生成的0°晶界皆會形成小角度晶界且伴隨高缺陷密度，然而切口形成的0°晶界(Σ1)因為晶種間沒有角度差所以沒有發展成小角度晶界。10°到40°大角度晶界缺陷密度明顯較0°晶界低，10°晶界(non-Σ)、20°晶界(Σ13a+ Σ37a)與30°晶界(Σ17a)等低對稱性晶界其缺陷密度比高對稱性的40°晶界(Σ5)低，晶種間最佳旋轉角度應該在20°附近。晶片經過去疵與鈍化處理後，除了0°晶界以外，晶片整體少數載子壽命有明顯提升，且少數載子壽命最高可達3 ms以上。吾人更發現
三接點上晶界的缺陷密度比遠離三接點的晶界低，但若三接點中存在高對稱性的晶界，則另兩個晶界的缺陷密度會增加。