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國立臺北科技大學 資訊工程系 陳碩漢所指導 蘇新允的 以Trim資訊進行資料配置增進固態硬碟之GC效能 （2021），提出nand flash全名關鍵因素是什麼，來自於NAND-Flash、SSD、FTL、Trim、GC。
以Trim資訊進行資料配置增進固態硬碟之GC效能
為了解決nand flash全名 的問題，作者蘇新允 這樣論述：
SSD全名為Solid-state drive，是基於NAND-Flash做為永久儲存裝置。NAND-Flash具有容量較大，改寫速度快等優點，近年來隨著NAND快閃記憶體的成本降低，SSD固態硬碟的應用範圍也就跟著增加。相較於傳統硬碟，SSD有隨機存取的速度很快、且存取時間固定、體積小等優點，但相對也有損壞時資料不可挽救、Cell讀寫次數有限制的缺點。 為了管理這些限制，SSD會有一個FTL（Flash Translation Layer）來管理Cell下次要寫到哪個地方，避免一直寫到同個地方以延長Cell的壽命，稱為Wear Leveling。然而為了更好的資料回收，Trim告訴SSD
哪些資料為無效的資料，並適時刪除，可以用來提升GC（Garbage Collection）效率。然而Trim在過去只被用來做GC效率的提升，較少的研究將它作為資料配置的依據。因此本篇論文提出了選擇write pointer機制來透過Trim資訊的方式進行資料配置，從源頭增進GC效率。