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這兩本書分別來自清華大學 和電子工業所出版 。

國立雲林科技大學 光學電子工程研究所 陳世志所指導 黃健維的 Ta2O5介電層及IGZO通道層應用於透明薄膜電晶體之研究 (2010),提出mosfet工作區關鍵因素是什麼,來自於薄膜電晶體、氧化銦鎵鋅、氧化鉭。

最後網站認識二極體及電晶體特性曲線則補充:區內原本亦是屬電中性,現因喪失電洞而留下3A 的陰離子,使得電位因而降低。 ... 1、工作區:JE 順向,JC 反向,在VCE(sat)的垂直線右邊以及Ib=0 的曲線以上的區.

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汽車電力電子學

為了解決mosfet工作區的問題,作者高大威 這樣論述:

汽車電力電子學是以汽車構造、現代電力電子技術、電腦技術、電工學、電子學、控制技術為基礎,研究電力電子器件、電路以及裝置在汽車中應用。希望通過對本教材的學習,使高校車輛工程或相關專業的本科生以及研究生能夠對電力電子器件、電路以及發電機和起動機的控制、汽車42V電氣系統、電動助力轉向系統、新能源動力汽車中的能量變換和控制以及電機驅動等知識有較深刻的理解和掌握。 高大威,清華大學汽車工程系副研究員,工學博士。長期致力於汽車電力電子技術的教學和科研工作。從「十五」開始承擔國家863「電動汽車」項目,具體研究方向為:電動汽車電機驅動控制技術、電動汽車動力系統構型與參數匹配優化技術、新

能源汽車電氣系統電能智能控制與分配技術、車用電池系統管理與集成技術等。在電動汽車領域發布論文50余篇,其中20余篇被SCI/EI收錄,申請發明專利30余項,授權近20項。其科研成果獲得國家技術發明獎二等獎一項,北京市科學進步獎一等獎一項、二等獎兩項,中國汽車工業進步獎二等獎兩項。 1 緒論 1.1概述 1.2汽車電力電子學的發展歷程 1.3汽車電力電子學的應用領域 1.3.1傳統汽車上的應用 1.3.2新能源汽車上的應用 1.4汽車電力電子技術的特點和發展趨勢 1.4.1汽車電力電子技術的特點 1.4.2汽車電力電子技術的發展趨勢 2 汽車電力電子器件 2.1汽車電力電子

器件概述 2.2半導體物理基礎 2.2.1半導體中的電子狀態和能帶 2.2.2禁帶寬度與寬禁帶半導體材料 2.2.3本征濃度 2.2.4摻雜與雜質半導體 2.2.5載流子的漂移與擴散 2.2.6載流子的激發與複合 2.2.7PN結理論 2.2.8金屬和半導體接觸理論 2.3功率二極體 2.3.1功率PIN二極體 2.3.2功率肖特基勢壘二極體 2.3.3功率混合PIN Schottky二極體 2.4晶閘管 2.4.1晶閘管的結構和工作原理 2.4.2晶閘管的靜態特性 2.4.3晶閘管的開關特性 2.5功率MOSFET 2.5.1功率MOSFET的結構和工作

原理 2.5.2功率MOSFET的靜態特性 2.5.3功率MOSFET的開關特性 2.6絕緣柵雙極電晶體 2.6.1IGBT的結構和工作原理 2.6.2IGBT的靜態特性 2.6.3IGBT的開關特性 3 汽車電力電子系統的可靠性 3.1汽車電力電子系統可靠性基礎 3.1.1可靠性的基本概念 3.1.2可靠性主要術語與特徵量 3.1.3汽車電力電子系統的失效 3.1.4汽車電力電子系統的可靠性工作流程 3.2汽車電力電子器件的安全工作區與失效分析 3.2.1功率二極體的安全工作區與失效分析 3.2.2晶閘管的安全工作區與失效分析 3.2.3功率MOSFET的安全

工作區與失效分析 3.2.4IGBT的安全工作區與失效分析 3.3無源元件的失效分析 3.3.1電阻器的失效 3.3.2電感器的失效 3.3.3電容器的失效 3.4汽車電力電子系統的安全工作區 3.5汽車電力電子器件的驅動和保護 3.5.1汽車電力電子器件的驅動 3.5.2汽車電力電子器件的保護 3.6汽車電力電子器件的熱管理 3.6.1汽車電力電子器件熱管理的作用 3.6.2汽車電力電子器件的封裝 3.6.3汽車電力電子器件的基本傳熱方式 4 傳統汽車中的電力電子技術 4.1傳統汽車中的電力電子電路結構 4.2汽車電源系統與三相全橋整流電路 4.3發動機電控

系統中的電力電子技術 4.3.1汽油機電子點火系統 4.3.2發動機燃油噴射控制 4.4有刷直流電機的驅動控制 4.4.1有刷直流電機的結構和工作原理 4.4.2永磁直流電動機的數學模型與工作特性 4.4.3PWM控制基本原理 4.4.4永磁直流電動機的控制 4.5無刷直流電機的驅動控制 4.5.1無刷直流電機的結構和工作原理 4.5.2無刷直流電機的數學模型和工作特性 4.5.3電流滯環跟蹤PWM控制 4.5.4無刷直流電機的控制 5 電動汽車直流直流變換器 5.1直流直流變換器的作用與分類 5.1.1直流直流變換器的作用 5.1.2直流直流變換器的分

類 5.2燃料電池汽車單向直流直流變換器 5.2.1燃料電池汽車動力系統構型 5.2.2降壓型直流直流變換器 5.2.3升壓型直流直流變換器 5.2.4升降壓型直流直流變換器 5.2.5高電壓增益直流直流變換器 5.2.6單向直流直流變換器的控制 5.2.7單向直流直流變換器的損耗 5.3雙向非隔離型直流直流變換器 5.3.1雙向非隔離型直流直流變換器的電路結構 5.3.2雙向非隔離型直流直流變換器的控制 5.4交錯式直流直流變換器的電路結構與控制 5.4.1交錯式直流直流變換器的電路結構 5.4.2交錯式直流直流變換器的控制 5.5隔離

型直流直流變換器 5.5.1電動汽車隔離型直流直流變換器的特點 5.5.2全橋式直流直流變換器 5.5.3半橋式直流直流變換器 5.6直流直流變換器的軟開關技術 5.6.1軟開關的基本概念 5.6.2LLC諧振直流直流變換器 5.6.3有源鉗位正反激直流直流變換器 6 電動汽車驅動電機系統 6.1電動汽車驅動電機系統概述 6.1.1驅動電機系統的作用與驅動形式 6.1.2驅動電機的類型 6.1.3整車對驅動電機系統的技術要求 6.2永磁同步電機的結構、原理與控制 6.2.1永磁同步電機的結構與工作原理 6.2.2永磁同步電機的數學模型 6.2.3永

磁同步電機的向量控制 6.3交流感應電機的結構、原理與控制 6.3.1交流感應電機的結構與工作原理 6.3.2交流感應電機的數學模型 6.3.3交流感應電機的向量控制 6.3.4交流感應電機的弱磁控制 6.4電壓型逆變電路與脈寬調製技術 6.4.1電壓型逆變器主電路結構 6.4.2三相電壓型逆變電路的正弦脈寬調製 6.4.3三相電壓型逆變電路的空間向量脈寬調製 7 電動汽車充電系統 7.1電動汽車充電系統概述 7.1.1電動汽車充電系統的分類 7.1.2電動汽車充電系統的構成 7.1.3電動汽車充電系統的要求 7.2充電系統中的整流電路 7.2.1單相橋式不控整

流電路 7.2.2單相橋式全控整流電路 7.2.3三相橋式全控整流電路 7.2.4充電系統中的同步整流技術 7.3功率因數校正電路 7.3.1諧波和功率因數 7.3.2單相功率因數校正電路 7.3.3三相功率因數校正電路 7.4感應式無線電能傳輸 7.4.1耦合線圈的數學模型與等效電路 7.4.2耦合線圈的補償與諧振電路 7.4.3耦合線圈的電能傳輸特性 7.4.4無線充電系統的電磁安全性 7.5充電系統的控制 7.5.1車載儲能部件的充電模式 7.5.2傳導式充電系統的控制 7.5.3無線充電系統的控制 7.6充電系統與電機驅動系統的集成 8 汽車電力電子

系統的電磁相容 8.1電磁相容基本概念與術語 8.1.1電磁相容的基本概念 8.1.2主要的電磁相容術語 8.2汽車電力電子系統的電磁雜訊 8.2.1汽車電磁雜訊的類型 8.2.2汽車電力電子系統電磁雜訊的產生原因 8.2.3靜電放電對汽車電力電子系統的影響 8.2.4汽車電磁雜訊的耦合途徑 8.3汽車電力電子系統電磁相容性測試 8.3.1電磁相容性測試中的單位及換算 8.3.2汽車電力電子系統電磁相容性測試內容 8.4汽車電力電子系統電磁幹擾的抑制 8.4.1遮罩 8.4.2接地 8.4.3濾波 8.4.4隔離 附錄主要術語索引 參考文獻

Ta2O5介電層及IGZO通道層應用於透明薄膜電晶體之研究

為了解決mosfet工作區的問題,作者黃健維 這樣論述:

本研究採用高遷移率的氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide)作為薄膜電晶體(TFT)之通道層,並使用射頻磁控濺鍍法,在基板不加溫情況下,於沉積過程中氧含量百分比為2%時有較高的載子遷移率5.31 cm2/V-s、載子濃度為6.81×1018 cm-3、電阻率1.728×10-1 Ω.cm及導電率5.787 Ω-1.cm-1,其穿透率在可見光波長下可達85%以上。氧化鉭為一種高介電材料,因此本研究將使用電漿及退火處理改善薄膜漏電流特性,並當作薄膜電晶體之絕緣層,在氧化鉭高介電薄膜沉積後我們在不破真空情況下對薄膜施以氧電漿處理3分鐘,再放入爐管中通氧熱退火250℃ 3分鐘

後我們可以看到漏電流有明顯改善的情況,其漏電流密度為1×10-8 A/cm2及介電常數54.2,將其應用於薄膜電晶體之絕緣層上。

仿真電子系統設計指南(基礎篇):從半導體、分立組件到ADI集成電路的分析與實現

為了解決mosfet工作區的問題,作者何賓 這樣論述:

本書從最基本的半導體PN結開始,以二極管、雙極結型晶體管、金屬氧化物半導體場效應管,以及美國TI公司的集成運算放大器、集成功率放大器、集成線性低壓降電源芯片、集成開關電源芯片為主線,系統介紹了半導體和PN結特性、半導體二極管的特性和分析、二極管電路的設計和分析、雙極結型晶體管的特性和分析、雙極結型晶體管放大電路應用、雙極結型晶體管電路反饋原理及穩定分析、金屬氧化物半導體場效應管特性和電路分析、金屬氧化物半導體場效應管放大電路應用、運算放大器電路的設計和分析、集成差動放大器的原理和分析、運算放大器的性能指標、運算放大器電路穩定性分析、高速放大器的原理和分析、有源濾波器的原理和設計、功率放大器的分

析和設計、振盪器的特性和分析、電源管理器的原理和應用、模擬-數字轉換器的原理及應用、數字-模擬轉換器的原理及應用等內容。本書的一大特色是將模擬電子系統理論知識和SPICE電路仿真進行系統化融合,通過理論計算及SPICE仿真結果,詮釋了模擬電子系統的本質;本書的另一大特色是通過與美國TI公司和美國NI公司的產、學、研深度合作,將最新的模擬電子設計理論和設計方法引入書中,使得本書內容能與時俱進,將更精彩的內容呈現給廣大讀者。本書適用於從事模擬系統設計的工程師,尤其適用於從事TI集成電路設計的工程師。同時,本書也可以作為高等學校模擬電子技術基礎課程的教學參考用書。何賓,著名的嵌入式技術和EDA技術專

家,長期從事電子設計自動化方面的教學和科研工作,與全球多家知名的半導體廠商和EDA工具廠商大學計划保持緊密合作。目前已經出版嵌入式和EDA方面的著作近30部,內容涵蓋電路仿真、電路設計、可編程邏輯器件、數字信號處理、單片機、嵌入式系統、片上可編程系統等。典型的代表作有《Xilinx FPGA設計權威指南》、《AltiumDesigner13.0電路設計、仿真與驗證權威指南》、《Xilinx FPGA數字設計-從門級到行為級的雙重描述》、《Xilinx FPGA數字信號處理權威指南-從HDL、模型到C的描述》、《模擬與數字系統協同設計權威指南-Cypress集成開發環境》、《STC單片機原理及應

用》、《AltiumDesigner15.0電路仿真、設計、驗證與工藝實現權威指南》、《STC單片機C語言程序設計》。 第1章模擬電子技術緒論1.1電子技術的發展歷史1.2模擬電子技術的目標1.2.1模擬電子技術的基礎地位1.2.2模擬電子技術的知識點結構1.2.3模擬電子技術的研究角度1.3模擬電子系統的評價和分析方法1.3.1理論分析方法類型1.3.2理論分析方法的實質1.3.3實際測試第2章半導體和PN結特性2.1半導體材料2.1.1N型雜質2.1.2P型雜質2.1.3多子和少子2.1.4費米函數2.1.5載流子濃度2.2零偏置PN結2.2.1內建結電勢2.2.2電場

分布2.2.3結電勢分布2.2.4空間耗盡區寬度2.3正偏PN結2.3.1耗盡區寬度2.3.2少子電荷分布2.4反偏PN 結2.4.1耗盡區寬度2.4.2結電容2.5結電流密度2.6溫度依賴性2.7高頻交流模型2.7.1耗盡電容2.7.2擴散電容2.7.3正偏模型2.7.4反偏模型第3章半導體二極管的特性和分析3.1二極管的符號和分類3.1.1二極管的符號3.1.2二極管的分類3.2二極管電壓和電流特性3.2.1測試電路構建和分析3.2.2查看和分析SPICE網表3.2.3二極管SPICE模型描述3.2.4二極管正偏電壓-電流特性分析3.2.5二極管反偏電壓-電流特性分析3.2.6二極管電壓-

電流線性化模型3.3二極管溫度特性3.3.1執行二極管溫度掃描分析3.3.2繪制和分析二極管溫度特性圖3.4二極管頻率特性3.4.1波特圖工具的原理3.4.2波特圖使用說明3.4.3二極管頻率特性分析3.5二極管額定功率特性3.6發光二極管及其特性3.7齊納二極管及其特性3.7.1電壓電流特性3.7.2電源管理器的設計第4章二極管電路的設計和分析4.1二極管整流器4.1.1半波整流4.1.2全波整流4.1.3平滑整流器輸出4.2二極管峰值檢測器4.2.1二極管峰值檢測器原理4.2.2包絡檢波器實現4.3二極管鉗位電路4.4二極管斬波器4.4.1二極管斬波器原理4.4.2二極管斬波器應用4.5二

極管倍壓整流器4.6壓控衰減器第5章雙極結型晶體管的特性和分析5.1晶體管基本概念5.2雙極結型晶體管符號5.3雙極結型晶體管SPICE模型參數5.4雙極結型晶體管工作原理5.4.1雙極結型晶體管結構5.4.2電壓、電流和電荷控制5.4.3晶體管的α和β5.4.4BJT工作區域5.5雙極結型晶體管輸入和輸出特性5.5.1輸入特性5.5.2輸出特性5.6雙極結型晶體管電路模型及分析方法5.6.1直流模型5.6.2大信號模型5.6.3厄爾利效應5.6.4小信號模型5.7密勒定理及其分析方法5.7.1密勒定理及其推導5.7.2密勒定理的應用5.7.3密勒效應5.8雙極結型晶體管的直流偏置5.8.1有

源電流源偏置5.8.2單基極電阻偏置5.8.3發射極電阻反饋偏置5.8.4射極跟隨器偏置5.8.5雙基極電阻偏置5.8.6偏置電路設計5.9共發射極放大器5.9.1有源偏置共射極放大器5.9.2電阻偏置共射極放大器5.10共集電極放大器5.10.1有源偏置射極跟隨器5.10.2電阻偏置射極跟隨器5.11共基極放大器5.11.1輸入電阻Ri5.11.2無負載電壓增益Avo5.11.3輸出電阻Ro5.12達林頓對晶體管5.13直流電平移位和放大器5.13.1電平移動方法5.13.2電平移位的直流放大器5.14雙極結型晶體管電路的頻率響應5.14.1高頻模型5.14.2BJT頻率響應5.15BJT放

大器的頻率響應5.15.1共發射極BJT放大器5.15.2共集電極BJT放大器5.15.3共基極BJT放大器第6章雙極結型晶體管放大電路應用6.1BJT多級放大器及頻率響應6.1.1電容耦合6.1.2直接耦合6.1.3級聯晶體管6.1.4頻率響應6.2BJT電流源原理6.2.1基本電流源6.2.2改進型基本電流源6.2.3Widlar電流源6.2.4共射-共基電流源6.2.5威爾遜電流源6.2.6多重電流源6.2.7零增益放大器6.2.8穩定電流源6.3BJT差分放大器原理6.3.1采用阻性負載的BJT差分對6.3.2采用基本電流鏡有源負載的BJT差分放大器6.3.3采用改進電流鏡的差分放大器

6.3.4共射極-共基極差分放大器6.3.5差分放大器頻率響應第7章雙極結型晶體管電路反饋原理及穩定分析7.1放大器反饋機制類型7.2放大器反饋特性7.2.1閉環增益系數7.2.2頻率響應7.2.3失真7.3放大器反饋結構7.3.1串聯-並聯反饋結構7.3.2串聯-串聯反饋結構7.3.3並聯-並聯反饋結構7.3.4並聯-串聯反饋結構7.4放大器反饋分析7.4.1串聯-並聯反饋結構7.4.2串聯-串聯反饋結構7.4.3並聯-並聯反饋結構7.4.4並聯-串聯反饋結構7.5放大器穩定性分析7.5.1閉環頻率和穩定性7.5.2瞬態響應和穩定性7.5.3閉環極點和穩定性7.5.4奈奎斯特穩定准則7.5.

5相對穩定性判定7.5.6相位裕度的影響7.5.7波特圖分析穩定性方法第8章金屬氧化物半導體場效應管特性和電路分析8.1金屬氧化物半導體場效應管基礎8.1.1金屬氧化物半導體場效應管概述8.1.2金屬氧化物場效應晶體管符號8.1.3金屬氧化物場效應管的基本概念8.1.4MOSFET的SPICE模型參數8.2增強型MOSFET8.2.1內部結構8.2.2工作模式8.2.3工作特性8.3耗盡型MOSFET8.3.1內部結構8.3.2工作模式8.3.3工作特性8.4MOSFET低頻模型8.4.1直流模型8.4.2小信號模型8.4.3小信號分析8.5MOSFET直流偏置8.5.1MOSFET偏置電路原

理8.5.2MOSFET偏置電路設計8.6共源極放大器8.6.1采用電流源負載的共源極放大器8.6.2采用增強型MOSFET負載的共源極放大器8.6.3采用耗盡型MOSFET負載的共源極放大器8.6.4采用電阻負載的共源極放大器8.7共漏極放大器 8.7.1有源偏置的源極跟隨器8.7.2電阻偏置的源極跟隨器8.8共柵極放大器8.9直流電平移位和放大器8.9.1電平移動方法8.9.2電平移位的MOSFET放大器8.10MOSFET放大器頻率響應8.10.1MOSFET高頻模型8.10.2共源極放大器頻率響應8.10.3共漏極放大器頻率響應8.10.4共柵極放大器頻率響應第9章金屬氧化物半導體場效

應管放大電路應用9.1MOSFET多級放大器及頻率響應9.1.1電容耦合級聯放大器9.1.2直接耦合放大器 9.1.3共源-共柵放大器9.2MOSFET電流源原理9.2.1基本電流源9.2.2改進型基本電流源9.2.3多重電流源9.2.4共源-共柵電流源9.2.5威爾遜電流源9.2.6零增益放大器9.2.7穩定電流源9.3MOSFET差分放大器原理9.3.1NMOSFET差分對9.3.2采用有源負載的MOSFET差分對9.3.3共源-共柵MOSFET差分放大器9.4耗盡型MOSFET差分放大器原理9.4.1采用阻性負載的耗盡型MOSFET差分對9.4.2采用有源負載的耗盡型MOSFET差分對第

10章運算放大器電路的設計和分析10.1集成運算放大器的原理10.1.1集成運放的內部結構10.1.2集成運放的通用符號10.1.3集成運放的簡化原理10.2理想運算放大器模型10.2.1理想運算放大器的特點10.2.2放大器「虛短」和「虛斷」10.2.3疊加定理10.3理想運算放大器的分析10.3.1同相放大器10.3.2反相放大器10.4運算放大器的應用10.4.1電壓跟隨器10.4.2加法器10.4.3積分器10.4.4微分器10.4.5半波整流器10.4.6全波整流器10.5單電源供電運放電路10.5.1單電源運放10.5.2運算放大電路的基本偏置方法10.5.3其他一些基本的單電源供

電電路第11章集成差動放大器的原理和分析11.1差分放大器的基本概念11.2差分放大器11.3儀表放大器11.4電流檢測放大器11.4.1低側電流測量方法11.4.2高測電流檢測方法11.5全差分放大器11.5.1全差分放大器原理11.5.2差分信號源匹配11.5.3單端信號源匹配11.5.4輸入共模電壓第12章運算放大器的性能指標12.1開環增益、閉環增益和環路增益12.2放大器直流精度12.2.1放大器輸入端直流參數指標12.2.2放大器輸出端直流參數指標12.3放大器交流精度12.3.1增益帶寬積12.3.2壓擺率12.3.3建立時間12.3.4總諧波失真加噪聲12.4其他指標12.4.

1共模抑制比12.4.2電源噪聲抑制比12.4.3電源電流12.4.4運放噪聲12.5精密放大器指標12.5.1TI精密運算放大器12.5.2精密放大器選型步驟第13章運算放大器電路穩定性分析13.1運放電路穩定性分析方法13.2Aol和1/β的計算方法13.3外部寄生電容對穩定性的影響13.3.1負載電阻影響的瞬態分析13.3.2負載電阻影響的交流小信號分析13.4修改Aol的補償方法13.4.1電路的瞬態分析13.4.2電路的交流小信號分析13.5修改1/β的補償方法13.5.1電路的瞬態分析13.5.2電路的交流小信號分析第14章高速放大器的原理和分析14.1高速放大器的關鍵指標 14.

1.1帶寬14.1.2壓擺率14.1.3建立時間14.1.4THD+N和運放的位數14.2Bipolar和FET型高速放大器 14.3電壓反饋、電流反饋和去補償型高速放大器14.3.1電壓反饋和電流反饋放大器的原理14.3.2電壓反饋放大器和電流反饋放大器的區別:帶寬和增益 14.3.3電壓反饋放大器和電流反饋放大器的區別:反饋電阻的取值 14.3.4電壓反饋放大器和電流反饋放大器的區別:壓擺率 14.3.5電壓反饋放大器和電流反饋放大器的選擇14.3.6去補償電壓反饋放大器 14.4壓控增益放大器應用 第15章有源濾波器的原理和設計15.1有源和無源濾波器15.2有源濾波器分類15.3有源濾

波器模型研究方法15.4一階濾波器及其特性15.4.1低通濾波器15.4.2高通濾波器15.4.3帶通濾波器15.4.4帶阻濾波器15.5雙二次函數15.5.1貝塞爾響應 15.5.2巴特沃斯響應 15.5.3契比雪夫響應15.6Sallen-Key濾波器15.6.1通用形式15.6.2低通濾波器15.6.3高通濾波器15.6.4帶通濾波器15.7多重反饋濾波器15.7.1低通濾波器15.7.2高通濾波器15.7.3帶通濾波器15.8Bainter陷波濾波器15.9全通濾波器15.9.1一階全通濾波器15.9.2二階全通濾波器15.10開關電容濾波器15.10.1開關電容電阻15.10.2開關

電容積分器15.10.3通用開關電容濾波器15.11單電源供電濾波器設計15.12濾波器輔助設計工具第16章功率放大器的分析和設計16.1功率放大器的類型16.2功率晶體管16.3A類功率放大器的原理及分析16.3.1射極跟隨器16.3.2基本的共射極放大器16.3.3采用有源負載的共射極放大器16.3.4變壓器耦合負載共射極放大器16.4B類功率放大器的原理及分析16.4.1互補推挽放大器16.4.2變壓器耦合負載推挽放大器16.5AB類功率放大器的原理及分析16.5.1轉移特性16.5.2輸出功率和效率16.5.3采用二極管的偏置16.5.4采用二極管和有源電流源的偏置16.5.5采用VB

E乘法器的偏置16.5.6准互補AB類放大器16.5.7變壓器耦合AB類放大器16.6C類功率放大器的原理及分析16.7D類功率放大器的原理及分析16.8E類功率放大器的原理及分析16.9功率運算放大器的類型和應用16.9.1功率運算放大器的類型16.9.2功率運算放大器的應用16.9.3功率運放功耗16.9.4功率運放熱考慮16.9.5功率運放散熱設計第17章振盪器的特性和分析17.1振盪器原理17.1.1振盪條件分析17.1.2頻率穩定性分析17.1.3幅度穩定性分析17.2音頻振盪器17.2.1移相振盪器17.2.2正交振盪器17.2.3三相振盪器17.2.4文氏橋振盪器17.2.5環形

振盪器17.3射頻振盪器17.3.1科爾皮茲振盪器17.3.2哈特萊振盪器17.3.3兩級MOS振盪器17.4晶體振盪器17.5硅振盪器17.6有源濾波器調諧振盪器第18章電源管理器的原理和應用18.1線性電源管理器18.1.1線性電源管理器的內部結構18.1.2負載電流對輸入和輸出壓差的影響18.1.3輸出電壓與輸入電壓和負載電流變化關系18.1.4LDO電源管理器的效率18.1.5LDO電源管理器反饋補償18.1.6LDO電源抑制比18.2開關電源管理器18.2.1電感和電容的基本概念18.2.2理想降壓轉換器的原理和結構18.2.3理想升壓轉換器的原理和結構18.2.4理想降壓-升壓轉換

器的原理和結構第19章模擬-數字轉換器的原理及應用19.1數模混合系統結構19.2ADC的原理19.2.1ADC的基本原理19.2.2量化誤差與分辨率19.2.3采樣率19.3ADC的性能指標19.3.1靜態特性19.3.2動態特性19.4ADC的類型和原理19.4.1逐次逼近寄存器型ADC的原理及應用19.4.2Δ-?型ADC的原理及應用19.4.3流水線型ADC的原理及應用19.5ADC數字接口類型19.5.1I2C接口 19.5.2SPI接口 19.5.3LVDS接口19.6ADC參考輸入源19.6.1串聯型電壓基准19.6.2並聯型電壓基准19.7全差分放大器和ADC接口設計19.8小

結第20章數字-模擬轉換器的原理及應用20.1DAC的原理及信號重構20.1.1DAC的原理20.1.2模擬信號的重建20.2DAC的性能指標20.2.1分辨率20.2.2滿量程范圍20.2.3靜態參數20.2.4動態參數20.3DAC器件類型和原理20.3.1電阻串型20.3.2R-2R型20.3.3乘法型20.3.4電流引導型20.3.5數字電位器20.3.6Δ-?型DAC20.4脈沖寬度調制 20.4.1占空比分辨率 20.4.2諧波失真 20.4.3模擬濾波器的設計20.5選型原則參考文獻