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國立臺灣科技大學 電子工程系 葉秉慧所指導 王子勛的 積體化紫外光感測器與LED警示燈 （2018），提出led驅動電壓關鍵因素是什麼，來自於光電晶體、積體化、感測器。
而第二篇論文國立臺灣科技大學 電機工程系 蕭弘清所指導 張吉男的 全方位LED驅動電源與發光模組之電氣規格整合及智慧調適控制系統設計 （2013），提出因為有 內部整合電路、LED光源、LED安定器、LED驅動器、LED介面規格化的重點而找出了 led驅動電壓的解答。
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LED元件與產業概況
為了解決led驅動電壓 的問題，作者陳隆建 這樣論述：
現今科技進步帶動 LED 應用更為多元，從傳統的顯示訊號燈發展、至隨處可見的一般室內照明，路燈照明，商業工業應用照明等。以節能減碳為前提下，尋找高效率光源一直都是各國努力之目標。直到 LED 光源的出現，大量地取代過去發光效率較低的傳統光源，並確實運用在各式各樣的產業。LED 發光效率提升，製造成本與 LED 燈具價格下滑，使得 LED 應用於照明對消費者而言不再是高不可攀的一項選擇。 本書著重於 LED 的製作和產業發展環境介紹，儘量避免提及艱深理論，並由LED產業概況、光電半導體元件、LED 照明產品設計與應用與產品發展趨勢作通盤解析，使讀者能從中掌握產業動向。各單元文末皆附
LED 工程師鑑定考題，讓讀者從中順利掌握命題趨勢。 本書特色 對於 LED 的產業發展而言，LED 的未來取決於下列幾點： 1. LED 發光效率提升 LED 元件技術發展速度快，短短幾年已成為最受期待的下一世代光源。高發光效率為 LED 元件擴張應用市場的重要切入點，LED元件發光效率持續快速提升中。當 LED 元件技術增進，產品更迭速度將更為快速，技術落後即被市場淘汰。 元件成本下滑，將帶動 LED 照明燈具終端價格降低，在 LED 照明走向終端通路且面臨市場上價格競爭激烈挑戰下，LED 照明燈具市場滲透率可望持續提升。 2. LED 技術研發方向由高效率化轉為低成本
化 LED 元件發光效率提升，帶動每千流明價格下滑。參考美國 DOE於 2011 年 5 月公佈之固態照明發展年度計劃，如圖 12 所示，DOE 擬定 2015 年冷白光 LED 元件發光效率提升至 224 lm/w，價格下滑至每千流明 2 美元，暖白光則為發光效率提升至 202 lm/w，價格下滑至每千流明 2.2 美元。未來 LED 照明產品除了發光效率持續的提升，將更著重在低成本化的技術研發。 3. 模組化晶片的開發 為了配合高光通量的要求，2000 年推出第一代的 LED 功率晶片面積為 40 mil×40 mil，由於面積大的緣故，其光通量雖然高，但是發光效率卻不佳。200
3 年，有業者開發出串聯式 LED 功率晶片，其優點為發光效率佳，而且由於 LED 是串聯的，所以其驅動電壓為所有 LED 驅動電壓的總合，其缺點為製程較複雜。另一方面，為了讓 LED 功率晶片可以在 AC 的供電環境下使用，也有幾個研發團隊提出 AC LED 功率晶片的構想和作法。 4. 高演色性 LED 無論是照明用的 LED 燈還是 LCD 顯示器用的 LED 背光模組，都需要良好演色性的光源以呈現豐富的色彩。LED 光源的 CRI 值要大於90%才比較理想。RGB LED 光源的 CRI 雖然可以達到 90%，但是並不適用於照明用的 LED 燈。因此，未來必須開發高 CRI 值之
照明 LED燈，在此其中，螢光粉和 UV LED（紫外光 LED）就會扮演重要的角色。 5. 高等 LED 製程技術的成熟和普及 此處所指之高等 LED 製程技術包含: (1) 覆晶（flip-chip）技術 (2) 雷射剝離（laser liftoff）技術 (3) 電鍍（electroplating）技術 這 3 種技術為目前製作 LED 功率晶片常用的製程技術，具有高光通量和高導熱係數，操作穩定性高。隨著製程技術的成熟，利用該技術製作之 LED 功率晶片會愈來愈普及。本書將針對上述特點一一進行討論，以期讓讀者對未來產業發展更有通盤性了解。 作者簡介 陳隆建 學歷： 清華
大學電機工程研究所博士 經歷： 台北科技大學光電工程系 助理教授 台北科技大學光電工程系 副教授 現職： 台北科技大學光電工程系/所 教授
積體化紫外光感測器與LED警示燈
為了解決led驅動電壓 的問題，作者王子勛 這樣論述：
本論文研製積體化紫外光感測器與LED警示燈。所使用的晶圓為商用氮化鎵晶圓，經由光罩設計與利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，達到選擇性地將部分最上層的p-GaN反轉成n-GaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一片晶圓完成發光二極體、p-i-n結構光偵測器以及n-p-i-n結構光電晶體三種元件。並量測發光二極體的光電特性，以及兩種不同電子阻擋層結構晶圓的n-p-i-n光偵測器特性包括暗電流、外部量子效率與在不同偏壓下的響應率。並以運算放大器(operational amplifier)將光偵測器光電流訊號轉為電壓訊號，再透過二級放大達到LED 驅動電壓，藉此
可以將看不見的紫外光透過可見的LED來展現與警示。在光電特性量測上，發光二極體的啟動電壓約為3.0 V，串聯電阻約為182 Ω。在電流為10 mA下的光輸出功率為4.8 mW，證明此積體化製程是成功相容的，並不影響發光二極體的光電特性。再來比較兩種晶圓QRBAH與FEBI製作的光偵測器，其外部量子效率峰值波長分別為384 nm和380 nm，QRBAH外部量子效率值在不同逆向偏壓0 V、1.5 V 、3 V、5 V、7 V、9 V、11 V下分別為37.2 %、46.1 %、54.3 %、56.2 %、64.8 %、88.0 %、109 %。而FEBI外部量子效率值在不同逆向偏壓0 V、1.5
V、3 V、5 V、7 V下分別為30.3 %、32.2 %、33.1 %、39.5 %、76.1 %。兩種n-p-i-n光電晶體元件有著相似的光電特性，而在逆向偏壓7 V時都開始有明顯的電流增益，且峰值外部量子效率與響應率都很相近，但響應速度不同。接著使用n-p-i-n光電晶體元件將偵測UV光的電流訊號轉為電壓訊號。並放大轉換完之電壓訊號成功驅動LED。因此n-p-i-n光電晶體更適合做為紫外光偵測器，響應率比p-i-n光偵測器高，與LED積體化不僅省去特殊磊晶的成本，還可增加功能，例如本實驗使用LED為警示燈。
全方位LED驅動電源與發光模組之電氣規格整合及智慧調適控制系統設計
為了解決led驅動電壓 的問題，作者張吉男 這樣論述：
近年來發光二極體(Lighting-emitting diodes, LED)商品已可以部分替代傳統式光源；因此，若考慮消費者更換LED的方便性。當LED光源模組或LED安定器損壞下，消費者若無法選擇不同廠牌的LED光源模組和LED安定器自行更換使用，這代表著使用者將面臨比傳統光源更加難以更換的窘境。本研究著重在解決目前LED安定器與光源商品無法互換的問題，為LED電氣規格建立一套轉換參照機制，轉換參數包含LED光源的輸入電壓、電流、額定功率、光通量、色溫與產品流水序號等等等以利後續維修和應用。利用內部整合電路(Inter-Integrated Circuit, I2C)的外部記憶體儲存參數
，再藉由微控制機讀取參數，送出脈衝寬度調變(Pulse Width Modulation, PWM)經由數位類比轉換(Digital to analog converter, DAC)，調整安定器輸出至LED光源所需求，另外輸出PWM訊號經由電子開關完成調光功能，使光源輸出可以達到調光及控制。文中使用LM317穩壓電路代替交換式電子轉換器，使用本論文提出之系統架構測試小功率的光源，驗證此方式的可行性，未來應用上可配合ZigBee、WiFi等無線控制，可有效增加LED光源燈具的功能性與提高最大成本效益，並解決目前LED安定器與光源無法匹配的問題。