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G-頻段磁旋行波放大器之模式選擇器

為了解決hogan鞋尺寸的問題，作者陳昶宏 這樣論述：

本論文利用HFSS電磁模擬軟體來模擬設計模式選擇器，半徑尺寸的改變可用來控制抑制點的頻率，如果想要提升競爭模式被吸收的能量，有三種方法為增加波導管結構的層數、增加波導管的厚度與兩者間間隙縮小。本實驗室所設計之高次橫向模式諧波倍頻磁旋行波放大器，其操作模式將以 模式基次諧波輸入，以 模式二次諧波輸出。在本研究中，採用散佈式損耗或隔離管結構，使 之絕對不穩定起振電流提高；而非 橫向競爭模式，則藉由本文所提出之新型模式選擇器來抑制。模擬結果顯示，在操作電壓為100 kV 輸出為 二次諧波之G頻段倍頻磁旋行波放大器中，其絕對不穩定模式有 (f~86.4GHz)， (f~179GHz)， 及(f~

187GHz)模式，採用新型模式選擇器對其所造成之抑制效用分別為插入損耗-20dB、-40dB、-10dB，在 (f~283GHz) 模式也能有-10dB的插入損耗。最後為了縮小磁旋管系統的體積，將操作電壓降低為35 kV時，會發生絕對不穩定為 ，採用模式選擇器來抑制絕對不穩定，因為輸出功率較小所以在設計模式選擇器時，盡可能避免影響到 模態的輸出，由模擬結果顯示絕對不穩定 模式在通過模式選擇電路後都能有-14dB的插入損失(S21) 。關鍵字：諧波倍頻磁旋行波放大器、絕對不穩定、模式競爭、散佈式損耗、模式選擇器