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華為MPLS技術學習指南

為了解決gr 86規格的問題，作者王達 這樣論述：

本書由華為技術有限公司授權編寫並出版，是一本系統、深入介紹華為設備MPLS隧道技術的工具圖書。本書內容主要包括MPLS隧道基礎知識、靜態LSP、動態LDP LSP、MPLS TE和MPLS DS-TE隧道建立，以及MPLS QoS等方面，同時本書也是華為技術有限公司指定的ICT認證培訓教材。 全書共9章，第1章介紹了MPLS技術的基礎知識和相關技術原理；第 2章介紹了靜態LSP建立的配置與管理方法；第3～4章介紹了動態LDP LSP建立的相關技術原理，以及LDP LSP基本功能和各種擴展功能的配置與管理方法；第5～7章介紹了MPLS TE隧道相關技術原理及各項功能配置與管

理方法；第8章介紹了華為S系列交換機中的MPLS QoS功能技術原理及配置與管理方法；第9章介紹了華為AR G3系列中的MPLS DS-TE隧道相關技術原理及配置與管理方法。 為了幫助大家理解，書中拓展介紹了許多相關的計算機網絡通信原理分析，並且各章均有大量的典型配置案例，並對一些典型故障排除方法進行了詳細的介紹。另外，本書經過華為技術有限公司多位專家指導和審核，無論在專業性方面，還是在經驗性和實用性方面均有很好的保障，是相關人員自學或者教學華為設備MPLS配置與管理的必選教材。

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化學劑量比與圖案化對鋅錫氧化物薄膜電晶體特性影響之研究

為了解決gr 86規格的問題，作者陳相丞 這樣論述：

為了取代過去複雜且昂貴的真空製程，溶液法製作金屬氧化物薄膜在近幾年來日漸普及，溶液法的優點是相對較簡單且便宜，同時可以大面積且均勻成膜。本研究分為三個部分，第一部分以硝酸鋅九水合物 (Zn(NO3)·9H2O) 與氯化亞錫二水合物 (SnCl2·2H2O) 為溶質，乙二醇單甲醚 (C3H8O2) 為溶劑，製備氧化鋅錫 (Zinc Tin Oxide, ZTO) 前驅液，藉由調整不同化學劑量比 (Zn:Sn) ，再以旋轉塗佈法製備不同Zn:Sn的ZTO薄膜，之後以450 °C對薄膜施以熱退火1個小時，再進行材料分析。由低掠角X光繞射分析 (Grazing Incidence Angle X-r

ay Diffraction, GIAXRD) 與掃描式電子顯微鏡 (Scanning Electron Microscope, SEM) 的結果得知，藉由調變Zn:Sn可使ZTO薄膜呈現結晶或非晶相；由循環伏安法 (Cyclic Voltammetry, CV) 量測結果，FTO導電玻璃與不同Zn:Sn之ZTO薄膜的氧化電位分別在約-0.9 V及-1.2 V處產生氧化峰；由Mott-Schottky分析可判別本研究所製備之不同Zn:Sn的ZTO薄膜為n-type半導體；此外，不同鋅錫比例ZTO薄膜可藉由Mott-Schottky公式可算出載子濃度 (約1017~1018 cm-3) 、平帶電

位 (約-0.08~-2.08 V) 及薄膜厚度 (約17.78~31.21 nm) ；由紫外光-可見光分光光譜儀 (Ultraviolet-visible spectroscopy, Uv-vis) 分析結果得知，不同Zn: Sn之ZTO薄膜具有相當高的穿透率 (約89~92 %) ，能隙約落在3.19~3.80 eV。本研究的第二部分為不同Zn:Sn的ZTO薄膜電晶體 (Thin-Film Transistors, TFTs) 之特性探討，將製備好的ZTO薄膜以熱蒸鍍法鍍上鋁電極後，以三點探針的方式分別下在元件的閘極、源極與汲極上。經由半導體分析儀的量測結果，發現Zn:Sn在5:5時有最佳

的電性表現，其輸出特性曲線有較明顯的線性區及飽和區，轉移特性曲線也較其他不同比例之元件為佳，TFT元件參數分別是載子遷移率為5.67 cm2/Vs、臨界電壓為6.37 V、次臨界擺幅為0.62 V/decade、開關電流比為1.58×107；再以Zn:Sn為5:5以真空烘箱進行低溫及低壓退火處理，發現退火時間在10個小時後，開始有TFT特性出現，且在低壓時可得到較低的捕捉密度。本研究的第三部分為薄膜電晶體之圖案化製程，實驗上以塗料搭配氧電漿表面處理進行簡易圖案化，伴隨後續的有機溶劑清洗，使基板表面產生親水區及疏水區，前驅液可選擇性地附著在親水性的區域，藉此降低通道層與介電層間的面積比 (即ZT

O/SiO2，本研究之ZTO/SiO2約24 %) ，後續再施以450°C熱退火1個小時後，以熱蒸鍍法鍍上鋁電極後量測元件特性。量測結果發現，無圖案化的元件之載子遷移率為4.17 cm2/Vs、臨界電壓為7.76 V、次臨界擺幅為0.34 V/decade、開關電流比4.29×107，漏電流約10-5 A；有圖案化的元件之載子遷移率為4.97 cm2/Vs、臨界電壓為7.65 V、次臨界擺幅為0.24 V/decade、開關電流比為3.41×108，漏電流約10-10 A。可得知圖案化製程可有效地阻斷邊界電流及串擾電流，由於漏電流降低，可優化TFT元件；由偏壓穩定性測試結果可得知，有圖案化之Z

TO TFT元件較無圖案化之ZTO TFT元件穩定性較佳。關鍵字:化學劑量比、薄膜電晶體、圖案法、漏電流

你需要知道的101個健康檢查知識

為了解決gr 86規格的問題，作者詹哲豪 這樣論述：

　　健康檢查一定要去大醫院做嗎？ 　　健檢報告上這麼多名詞，到底在說什麼？ 　　這些疑問本書一次解答。 　　不想再被健檢報告弄得一頭霧水了嗎？ 　　只要讀了這一本，人人都是健檢達人。 　　 　　花了錢檢查身體，倘若不能夠好好理解報告上面的道理，那麼不就太浪費了嗎?台大醫檢博士詹哲豪另一新力作，以淺白文字搭上圖解，為讀者詳盡介紹健檢報告上頭各種難懂的專有名詞到底在說什麼。 　　 　　為讀者量身打造檢測，選擇適合自己目前狀況的健康檢查。從排泄物篩檢、血液檢查、肝腎功能測定，再到各種常見疾病的檢驗，本書網羅各種讀者可能面對到的問題，僅用一本全解析。 　　 　　除了健康檢查學理報告的解讀之外，本書

同時在第二部分為讀者介紹「需要知道的身體知識」，諸如：一天要喝多少水才夠?我最近老是口渴、喝水多、常跑廁所，是糖尿病嗎?抽血檢查為什麼要空腹等，告訴讀者自己一直以來都想知道的身體知識。 　　 　　要有健康的身體，必須要先能夠了解自己的身體，本書便是以這樣的初衷，帶給讀者更多的知識，引領讀者掌握自己的身體狀況，進而能打造出更美好的未來。 　　 本書特色 　　 　　◎每一則健康檢查知識皆採一面文章，搭配一面圖片的風格，閱讀本身輕鬆無負擔，適合用作健康議題推廣用。 　　 　　◎市面過敏書籍大多仍以自己在家健康檢查的觀念書為主；少以「科普」式觀點切入。故，本書分兩部分：第一部分以學理切入，帶領讀者讀懂

在各項健康檢查中晦澀的詞彙與專有名詞，使讀者知其然亦知所以然；第二部分則使讀者了解，當面對醫師時，醫生口中一些常聽到的疾病，究竟代表什麼意思，而又該如何往哪裡尋求協助呢？幫助讀者更能掌握自己的身體狀況。本書便是從學理與生活雙管齊下介紹健康檢查。 　　 　　◎本書羅列101條關於檢康檢查與身體疾病的學理知識，讀者能依循自己的需要與興趣，挑選想知道的章節便可迅速閱讀、掌握重點。

添加Ta對CoCrNi中熵合金微結構及機械性質之影響

為了解決gr 86規格的問題，作者高若芸 這樣論述：

CoCrNi等中熵合金近年來成為高熵合金開發的一大趨勢，其機械性質的表現比CoCrFeMnNi還優異，因擁有較低的疊差能，因此能在拉伸試驗的初期便產生TWIP效應，奈米雙晶的出現使得CoCrNi擁有較高的加工硬化率，延緩頸縮、提升材料強度與韌性。且鑑於近年來學者在共晶高熵合金上的研究：透過添加不同比例的合金元素使材料產生雙相共晶結構，來達到同時兼顧機械強度與韌性的效果。結合上述兩種概念，因而衍生了本研究之合金設計的構想。本研究添加1, 3, 5 at% Ta到CoCrNi中熵合金中，藉熱處理同時完成均質化和生成細小析出物，以改變微結構及機械性質，並額外探討均質化對於機械性質的影響。本實驗合金

在真空電弧熔煉後，經一系列熱處理程序：均質化、熱軋、冷軋、退火再結晶，最後進行常溫及低溫拉伸試驗，並分別在as-cast、均質化後、退火後，藉XRD相鑑定、EPMA微結構觀察、WDS定量分析、Mapping、SEM破斷面觀察及測量維氏硬度，來解釋為結構及機械性質變化。經實驗發現(CoCrNi)0.99Ta0.01合金的均質化有助於固溶強化，使有經均質化的合金機械性質較佳，且Ta添加使得合金室溫及低溫的降伏強度、極限抗拉強度均高於CoCrNi中熵合金，而室溫及低溫延展率分別約46 %與24 %均小幅下降。而隨著合金添加量達3 at%，基地出現過飽和現象，開始出現(Co, Cr, Ni)2Ta的L

aves Phase，且隨著退火持溫時間增加而沿晶界析出富Ta的小析出物，具時效硬化的效果，析出硬化與固溶強化使得(CoCrNi)0.97Ta0.03的機械強度明顯提升，但因降伏強度增加並超越原子鍵結強度，因而誘發準劈裂破壞機制，使合金室溫延展率下降到27 %、低溫下降到11 %。當合金添加量為5 at%，基地中的Laves Phase析出物密度更高，退火早期便開始析出富Ta的小析出物，因而比(CoCrNi)0.97Ta0.03更早達到巔峰時效，但因基地早已過飽和且析出物密度過高，因此其機械強度僅些許提升而韌性大幅下降至2.8 %，經以上研究顯示(CoCrNi)0.97Ta0.03合金的綜合機

械性質最優良。