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C最強入門邁向頂尖高手之路王者歸來

為了解決excel陣列條件的問題，作者洪錦魁 這樣論述：

重磅回歸！30 年功力＋30 萬冊累積銷售！   洪錦魁老師 全新著作 ——「C」最強入門邁向頂尖高手之路 —— 王者歸來   　　【C 語言入門到大型專案】✕【大量完整的實例演練】✕【豐富易懂的圖例解析】 　　本著從 C 語言基礎數學及統計觀念說起，融入 AI 與科技新知，作者親自為讀者編列自學 C 語言最完善的主題，以及作者十分淺顯易懂的筆觸、上百個程式實例的鍛鍊、搭配圖解說明每個 C 語言觀念，規劃了最實用的資訊系統實作應用，讀完本著的你一定能夠成為數理、IT 領域、甚至是商業領域中最與眾不同的頂尖高手！   　　【入門 C 語言邁向頂尖高手的精實修煉】

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化 　　◎將迴圈應用在計算一個球的自由落體高度與距離 　　◎遞迴函數設計，從掉入無限遞迴的陷阱說起 　　◎費式 (Fibonacci) 數列的產生使用一般設計與遞迴函數設計 　　◎萊布尼茲 (Leibniz) 級數、尼莎卡莎 (Nilakanitha) 級數說明圓周率 　　◎從記憶體位址了解區域變數、全域變數和靜態變數 　　◎最完整解說 C 語言的前端處理器 　　◎徹底認識指標與陣列 　　◎圖說指標與雙重指標 　　◎圖說指標與函數 　　◎將 struct 應用到平面座標系統、時間系統 　　◎將 enum 應用在百貨公司結帳系統、打工薪資計算系統

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美人蝦(Stenopus hispidus)胚胎低溫保存校正基因之分析研究

為了解決excel陣列條件的問題，作者胡瓊止 這樣論述：

在蝦類低溫保存時，可能會使內部細胞受損形成低溫傷害，甚至導致基因改變；蝦類低溫相關基因表現極為稀少，然而探討基因表現則需具備穩定之校正基因，以作為基因正規化之標準。本研究主要探討五種常見之校正基因：18S ribosomal RNA(18S rRNA)、sodium-potassium(ATPase(NAK))、histone3、beta-actin(β-actin)、Glyceraldehyde 3-phosphate dehydrogenase(gapdh)，於美人蝦胚胎低溫處理之穩定性。將美人蝦三個胚期之胚胎取出後放置降溫型乾浴器以低溫5°C暴露4、8、16及32小時，對照室溫26°C

，將樣本進行RNA萃取、cDNA合成以及qPCR分析。本研究利用GeNorm、NormFinder與Bestkeeper軟體進行基因基因穩定性的分析。GeNorm分析顯示總體樣本、不同低溫處理時間點與三個胚期最穩定之兩者基因為histone 3與18S rRNA；18S rRNA由NormFinder分析則是低溫處理4、16、32小時、眼形成期以及胚胎孵化前期是最穩定之校正基因；不同於前者兩個結果，Bestkeeper分析最佳穩定之校正基因為gapdh，其次為β-actin。校正基因具備不受實驗條件變因影響之特性，常被用以作為qPCR分析之內部對照基因，目前甲殼類低溫基因表現相關研究仍相當缺乏

，於美人蝦之部分更甚少，本研究結果認為histone3以及18S rRNA可做為美人蝦胚胎低溫相關基因研究中qPCR內部正規化最穩定之校正基因，本研究亦首次探討美人蝦低溫保存校正基因，並建立初步研究階段，期望可提供日後相關研究之參考依據。

EXCEL彙總與參照函數精解

為了解決excel陣列條件的問題，作者周勝輝 這樣論述：

　　培養活用函數的能力 　　本書深入探討計算、查閱與參照函數的運作原理，幫助您培養活用函數的能力，進而可以有效率地完成工作目標。 　　貼近使用者需求，幫助您秒解工作上的難題 　　網羅Excel社團上最常被詢問的問題，加以歸納整理成近百種題型，只要依樣畫葫蘆，就能解決您的疑難雜症，進而提升解決問題的能力。 　　本書精彩內容包括： 　　．COUNTIF、SUMIF、SUTOTAL、MMULT、FREQUENCY等函數的常用與進階用法 　　．查閱與參照函數的整合運用與應用時機 　　．運用多次計算參照處理複雜條件的問題 　　．深度探討搜尋或查閱函數的應用 　　．跨表、跨檔參照與

計算 　　．學會使用OFFSET、INDEX或INDIRECT來標定範圍

具改善最低操作電壓,速度與功耗之耐穩記憶體電路

為了解決excel陣列條件的問題，作者楊書孟 這樣論述：

電源電壓縮調技術，通常在低功耗系統級芯片（SoC）設計中被採用。但不利的影響對記憶體電路來說已日益顯著，如電壓相關的時序偏移和小感應電壓容許空間。在本論文中，我們對電壓相關的時序偏移和小感應電壓容許空間在記憶體電路所造成的功能故障進行了研究，並且提出了克服電壓相關的時序偏移與減少感應電壓容許空間需求的電路技術。 電壓相關的時序偏移常造成記憶體電路在預充電與感測階段的功能故障並造成記憶體電路在速度性能方面的下降。同時，儲存資料相關的位元線漏電流更進一步增加了時序偏移並降低記憶體存電路的良率。因此我們發展了Dual-Mode Self-Timed (DMST) 技術來消除時序偏移在不同製程,電

壓與溫度 (PVT) 條件下所造成的功能故障與速度性能的損失。相較於傳統的位元線時序追踪技術，在相同的電路面積下，DMST技術，實現了高可擴展性和良好的減少時序偏移成果。實驗結果顯示，DMST技術可以在很寬的電源電壓範圍運作，從額定電壓 (VDD = 3.3V) 的39.4 ％到151.5 ％。 低的供應電源電壓已成為有效降低電路功率消耗的一種途徑。但這種方法常導致感應電壓容許空間縮小，並導致速度性能下降與記憶體電路讀取功能故障，特別是對於那些高密度優先的記憶體如被設計成長位元線以提高記憶位元陣列效率的單端讀取的NAND-ROM。這裡我們提出了Data-Aware Sensing Refer

ence (DASR) 機制，它在給定的時序內維持讀0和讀1所需的感讀裕量。其中的關鍵機制在於採取自適變化的參考電壓的，使得所述的讀1和讀取0感應電壓容許空間相重疊，如同差動讀取的位元線組。實驗結果顯示90奈米CMOS邏輯製程所製作的256 Kb DASR NAND ROM 能在0.25 V的操作電壓下運作。同時在操作電壓=0.31V下, DASR較傳統NAND ROM的設計能增加66.7 ％的速度性能表現。 綜上所述，本論文所提出的DMST和DASR技術運用於記憶體電路以克服低功耗系統晶片在實現上所面臨的挑戰。