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半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)

為了解決dram應用的問題，作者劉傳璽,陳進來 這樣論述：

　　以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。   　　本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh

y；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考   本書特色   　　●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。   　　●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。   　　●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 　 　　●適合大專以上學

校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。

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DRAM產業併購案之探討-以美光併購爾必達為例

為了解決dram應用的問題，作者謝榮源 這樣論述：

企業併購一直以來都是企業界的熱門話題。從1897年開始發生全球第一次併購浪潮以來，已經歷了七次大規模的併購浪潮，每次的併購在不同的時代背景下各自呈現出不同的特點，分別為橫向併購、縱向併購、橫縱向混合併購、戰略併購、強強聯合併購、服務業橫向併購以及銀行業的倒閉與併購等。美光併購爾必達為半導體產業的一次跨國併購活動，其金額雖不如發生在1999年英國沃達豐空中通信公司（Vodafone Air Touch PLC）以超過2000億美元規模併購德國曼內斯曼公司(Mannesmann AG)那樣令人矚目，卻也是在半導體產業中相當大的事件。美光為美國唯一製造動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片的財富500

強公司，同時爾必達也是日本唯一生產DRAM晶片的製造商，兩家公司在DRAM領域分別以11.6%和13.5%的市佔率分列在第四名與第三名，緊隨著韓系廠商海力士（23%）與三星（41%）之後。兩家公司合併之後以25.1%的市場佔有率排名第二，與海力士、三星形成三強鼎立的局面，達到相互制衡以降低DRAM價格劇烈波動的情形。本文將分六章對美光科技併購爾必達的案例做分析研究。第一章為緒論部分，其主要在於描述研究背景、動機、範圍與架構安排；第二章針對併購與分析的理論作相應的介紹；第三章為針對半導體產業背景，以及記憶體產業與DRAM的簡介；第四章為案例研究，包含有意併購者的背景介紹，並對被競購的公司背景做說

明；第五章為問題討論，包含併購策略分析，其中就併購方與被併購方做分析研究，以及有意向公司之策略分析，同時包含案例中轉折點的分析探討；第六章為結論，主要針對美光併購爾必達案做相對應的總結，以及未來DRAM產業發展趨勢探討，結論出未來應該學習美光之合縱聯合策略，亦即採取併購與結盟才能讓台灣DRAM產業續保盈泰，屹立於世界的挑戰而不倒。

芯片戰爭：歷史與今天的半導體突圍

為了解決dram應用的問題，作者腦極體 這樣論述：

今天我們很容易發現，不斷升溫的中美科技博弈，核心問題就在於芯片。一枚小小的晶片，究竟為何會變成制約中國科技發展的關鍵因素？環繞在中國週邊的半導體封鎖，究竟是如何一步步發展到了今天的情況？另一方面，芯片產業本身特質是高投入、高度集成化、全產業鏈分配。這些特質導致芯片產業必然不斷發生舊秩序損壞與新規則建立，換言之，在芯片領域，“戰爭”是常態，而“和平共處”非常稀少。如果我們能讀懂歷史上已經發生的芯片戰爭與芯片博弈，那麼也將能以效率找到今天中國芯片的突圍方向。將歷史經驗與今天的情況結合，或許會發現，我們此刻正身處一場從未停止過的“芯片戰爭”。《芯片戰爭：歷史與今天的半導體突圍》主

要內容包括：第一章 技術變局；第二章 區位博弈；第三章 公司殺伐；第四章 突圍法則；第五章 中國底牌，後記：中國半導體的集群進攻時？ 《芯片戰爭：歷史與今天的半導體突圍》希望能夠給半導體行業的政策制定者、投資者、經營者、管理者和其他各類從業者以啟迪，給有志於投身半導體行業的人員以綜合認知，給有興趣瞭解半導體的大眾以行業知識。

兩種新穎具多重閘極與奈米柱結構之無電容式單電晶體動態隨機存取記憶體

為了解決dram應用的問題，作者王育群 這樣論述：

在本論文中，我們提出兩種新穎具多重閘極與奈米柱之無電容式單電晶體動態隨機存取記憶體(Capacitorless One-Transistor Dynamic Random Access Memory, 1T-DRAM)：第一種我們提出具有鰭式閘極與柱狀本體(Fin-Gate and Pillar-Body, FGPB)之雙閘極奈米線薄膜電晶體元件(Double-Gate Nanowire Thin-Film Transistor)。第二種我們提出具有環繞式閘極與奈米柱(Gate-All-Around and Nano-Pillar, GAANP)之垂直式電流橋電晶體元件(Vertical C

urrent Bridge MOSFET)。首先我們使用閘極引致汲極漏電流機制(Gate-Induced Drain-Leakage, GIDL)做為資料寫入機制，並藉由Sentaurus TCAD 12.0軟體工具來設計元件架構與驗證記憶體表現。相較於傳統無奈米柱本體之雙閘極奈米線薄膜電晶體(Conv. DG-NTFT)元件，第一種FGPB元件由於具有奈米柱本體結構，在不佔用額外面積下能讓元件內部假中性區(Pseudo Neutral Region)增加。此能提升能帶對能帶穿隧率，且讓儲存的過量電洞能遠離元件P-N接面，所以FGPB元件的GIDL電流能提升達274.33 %；在架構搭配鰭式閘

極的輔助下，可以有效增強過量電洞的控制能力，並間接克服Shockley-Read-Hall (SRH)複合的影響。低功率應用方面，元件功率消耗可維持在0.8 μW/μm以下。第二種GAANP元件採用矽覆絕緣/塊體矽(Silicon-on-Insulator/ Bulk-Silicon)兩種基板。相較於其他橫向式電流橋1T-DRAM，由於元件具有環繞式閘極，能提升對過量電洞的控制力；元件本身具有垂直式通道，不僅能將元件建立在長通道，也能保有一定的記憶體性能。在電流橋元件邊際效益中，GAANP SOI 1T-DRAM的可程式規劃視窗(Programming Window, PW)最少能達到238.

54 %的改善，以及在358 K環境下的資料保存時間(Data Retention Time, RT)也可達到6.91 %的改善。我們所提出的兩種新穎元件不僅都能達到低功率消耗，且擁有足夠的操作容忍度和干擾抵抗能力，這對未來1T-DRAM應用提供兩項極具潛力的解決方案。