已經跟呼吸一樣重要的網路和手機論文書籍站
中原大學 資訊工程研究所 鄭維凱所指導 李欣倫的 考量動態隨機存取記憶體單元強度之刷新方法與配置順序整合技術 （2016），提出ddr3l ddr3差異關鍵因素是什麼，來自於記憶體刷新、動態隨機存取記憶體、線性規劃。
考量動態隨機存取記憶體單元強度之刷新方法與配置順序整合技術
為了解決ddr3l ddr3差異 的問題，作者李欣倫 這樣論述：
動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory)透過以定期刷新的方式來維持儲存資訊的準確性，而在DRAM中，部分少數低強度記憶體單元(weak row)[1]含有與正常cell相較之下較短的資料儲存週期，除了造成weak row與不必要的記憶體資源一起執行了刷新而增加了刷新耗能，而且也延遲了其他的記憶體服務存取，造成效能上的降低。還會因為weak row的隨機分佈隨機性使得記憶體需要進行更多次數的刷新來解決weak row問題。 本篇論文提出了，透過整合資料保存時間導向刷新技術(RAAR) [2]內的所有刷新精密度的方法，在刷新前，事先觀察分析weak ro
w的分佈資訊，並選擇出針對每次刷新最有利的刷新方法來執行刷新，最後考量weak row的分佈之隨機性對刷新的耗能產生影響，我們透過線性規劃，將bank序列進行優化，選擇出擁有最低刷新耗能的bank 排序組合。我們從實驗中可以證明，使用整合型的刷新方式，以及bank reordering的技術，相對於RAAR技術，我們可以減少更多非weak row的記憶體刷新，同時可以有效的達到降低刷新耗能以及提升效能的結果。