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非傳統商標之研究-以聲音商標、氣味商標及觸覺商標為中心

為了解決ctm藥品的問題，作者陳鴻照 這樣論述：

本文研究之目的，旨在探討非傳統商標之理論與實務，並以非傳統商標中的「聲音商標」、「氣味商標」及「觸覺商標」為主軸。研究過程將以各國商標法令及商標審查基準、手冊等為基礎，再佐以各國之個案研究，並以文獻探討法、比較研究法及個案研究法等為方法進行研究。在研究過程發現，儘管商標專責機關雖已有訂定非傳統商標審查基準，也做出一些審查意見，然申請人及商標代理人仍針對這些審查基準及審查意見，仍持續不斷地提出問題及疑義。經本文研究結果，發現所研究之三種非傳統商標態樣，其特性不盡相同，因此更需要有不同之審查標準，讓商標審查人員、申請人及商標代理人加以遵循。據此，再經本文彙整、歸納及分析後，得出研究結論，試擬了「

聲音商標審查基準修正草案」、「氣味商標審查基準草案」及「觸覺商標審查基準草案」等，以提供商標專責機關、申請人及商標代理人參考及運用。同時據該研究結論提出以下建議：壹、對於非傳統商標之行銷使用非傳統商標較不易取得先天識別性，必須大量及長期的使用，核准後，應儘可能以核准之商標態樣使用，避免引起混淆誤認。行銷時，也需要引導消費者如何感受非傳統商標之特性。貳、對於申請人及商標代理人應熟悉非傳統商標之法令、審查基準等，以瞭解非傳統商標與一般商標識別性判斷之差異及需檢據證據資料之不同，並隨時注意商標專責機關之最新訊息，以提升申請案件之素質。參、對於商標專責機關新增訂定或修正現行非傳統商標審查基準，並加強訓

練商標審查人員對於非傳統商標之認知。爭取專款專責成立「國家非傳統商標實驗室」，以為商標樣本長期保存之指定場所，並研究如何保存樣本及公告方式，並訂定相關規費收費原則。

氮化二氧化鈦作為電荷捕捉層在非揮發性記憶體中之研討

為了解決ctm藥品的問題，作者柯伯賢 這樣論述：

傳統非揮發性記憶體是以複晶矽(poly-silicon)浮閘極為電荷儲存單元的快閃式記憶體為主，在元件尺寸微縮時，快閃式記憶體將產生電荷遺漏的現象。為克服此問題，近來提出之MONOS(Metal-oxide-nitride-oxide-silicon)薄膜非揮發性記憶體，即以氮化高介電常數薄膜作為電荷捕捉層，由於其較穩固的電荷儲存能力，可縮減穿隧氧化層膜厚，以利降低元件操作電壓，提升元件操作速率，並同時兼顧可靠性。 本實驗以磁控濺鍍之方式成功製備電荷捕捉層，TiO2及TiON，用以探討非揮發性電荷捕捉式記憶體之載子捕獲效應與其應用特性。首先於矽基材以乾式熱氧化法成長SiO2穿隧層，

接續以濺鍍製備TiO2或經氮化之TiON電荷捕捉層，旋即接續濺鍍上SiO2阻絕層，之後於全氧環境下900℃熱處理一分鐘，最後沉積上鋁金屬閘極電極以完成MONOS元件製程。研究中使用精密阻抗分析儀量測元件電容-電壓與耗散係數(Dissipation factor)-電壓特性曲線；半導體參數分析儀量測元件電流-電壓特性曲線，並以脈衝產生器施予元件暫態操作偏壓以獲取元件電性行為。在材料分析方面，以高解析穿透式電子顯微鏡(HRTEM)觀測疊層元件之橫截面，以瞭解其實際膜厚、氧化層晶相形貌與界面微結構，並搭配X光電子能譜儀(XPS)了解介電薄膜及中介層之組成。 透過HRTEM橫截面圖，得取疊層介電薄

膜[SiO2/TiO2(or TiON)/SiO2]厚度分別為3nm/3nm/15nm。各介電層薄膜均為非晶質材料，可免於晶界生成而為漏電途徑。經由Ti2p與O1s XPS能譜分析TiO2電荷捕捉層/ SiO2穿隧層界面，可知有一中介層生成，為Ti、Si和O反應生成之鈦矽酸鹽(Ti-Silicate)。再者，經由Ti2p、O1s與N1s XPS能譜可說明若於濺鍍過程中加入氮氣，確實有效摻入氮原子形成TiON電荷捕捉層。並可見以TiON作為電荷捕捉層時，由於氮化處理可鈍化界面，避免與鄰近SiO2疊層材料產生互擴散反應，而生成鈦矽酸鹽類中介層，並模糊接面清晰度。 在電性表現方面，相較於TiO2

，以TiON作為電荷捕捉層時，由其優異的C-V(Capacitance-Voltage)曲線遲滯窗口寬度、暫態電壓寫入/抹除效率與記憶時效能力，顯示氮原子置入TiO2中，可誘發更多且深層載子捕獲能態，因此優化電荷捕捉層載子捕捉能力。再者，由變頻與變溫C-V曲線遲滯窗口大小之變化，指出氮化處理有效置入深層載子捕獲能態。而從變頻與變溫D-V(Dissipation factor-Voltage)曲線峰值變化，可說明氮化有助降低電荷捕捉層與穿隧層界面缺陷能態形成以減少耗散係數，並穩定電荷捕捉層於高溫下記憶特性，有助於實際應用之發展。此外，由變溫下I-V量測，TiON電荷捕捉層漏電程度隨溫度變化並不顯

著，證實其擁較佳之薄膜特性並免於與SiO2穿隧層產生鈦矽酸鹽類中介層之生成。 本實驗說明以TiON作為非揮發性記憶體的電荷捕捉層，確實可製備出高效能、擁長時效之電荷捕捉式記憶體，並說明於不同溫度下的載子捕捉特性，以評估此記憶體於積體電路產業中應用之可行性。