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國立清華大學 物理學系 唐述中所指導 黃竹如的 3,10-Bis(Bromo-Methyl)-5Phenacene吸附在銀(111)和金(111)介面上晶格和電子結構之研究 （2021），提出crucial記憶體關鍵因素是什麼，來自於3、10-Bis(Bromo-Methyl)-5Phenacene。

而第二篇論文國立陽明交通大學 材料科學與工程學系奈米科技碩博士班 柯富祥所指導 林至偉的 以離子化合物修飾有機鈣鈦礦薄膜表面及其記憶元件特性 （2021），提出因為有 CsI、MABr、CsBr、後處理、修飾、有機鹵化物鈣鈦礦、電阻式切換記憶元件的重點而找出了 crucial記憶體的解答。

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3,10-Bis(Bromo-Methyl)-5Phenacene吸附在銀(111)和金(111)介面上晶格和電子結構之研究

為了解決crucial記憶體的問題，作者黃竹如 這樣論述：

有機場效電晶體可應用在有機發光顯示器、感應器、記憶體等等，而石墨烯奈米帶結構扮演著關鍵的角色。在這篇論文裡，我們使用3,10-Bis(Bromo-Methyl)-[5]Phenacene (BMPMB)分子在兩種不同的基底：金(111)和銀(111)上，形成二維的長鏈結構。BMPMB分子裡擁有Picience結構在3和10的位置附加了兩個溴-甲基，該分子因其物理和化學性質：高穩定性、高電洞移動力和巨大的光學能隙而被研究和採用。利用角解析光電子能譜(ARPES)、低能量電子繞射(LEED)和掃描穿隧式電子顯微鏡(STM)，我們研究在基底介面所形成的分子和電子結構。在常溫下，我們成功在兩種基底上

實現長鏈狀的分子結構，並利用掃描穿隧式電子顯微鏡圖像和光電子能譜得到驗證；值得注意的是，在BMPMB吸附在銀(111)基底的樣品上，我們得到極為整齊排列的低能量電子繞射圖案，意味著在表面形成了一個複雜而有趣的二維排列相。雖然在金(111)基底上沒有觀察到相對應整齊排列的清晰低能量電子繞射圖案，當樣品退火到約170 °C時我們觀察到了相變：由長鏈轉變為六角形結構。儘管金和銀有相同的晶體結構和相近的晶格常數，單層BMPMB吸附在它們之上有截然不同的電子和晶格性質。而我們仍需要進一步研究達成完全的Wurtz反應所需要的條件。

以離子化合物修飾有機鈣鈦礦薄膜表面及其記憶元件特性

為了解決crucial記憶體的問題，作者林至偉 這樣論述：

有機鹵化物鈣鈦礦由於其優異的光學及載子特性，如合適的帶隙、長載子擴散長度 和低成本的溶液製程，使其已成為光電元件應用中的熱門材料。電阻式切換記憶體元件 作為一種新興的記憶體元件，具有奈秒級寫入速度、非揮發性、低功耗和高可擴展性等 優點，極具潛力可以取代當今廣泛使用的記憶體。此外，鹵化物鈣鈦礦由於其鹵素空位 的低活化能使鹵化物鈣鈦可作為電阻式切換記憶體元件中的主動層的材料選擇之一。因此，我們在電阻式切換記憶體元件中引入了有機鹵化物鈣鈦礦。鈣鈦礦中的缺陷在決定 元件的最終表現及性能方面起到至關重要的作用，而且大部分在鈣鈦礦薄膜表面的缺陷 很可能會對記憶體元件的性能產生破壞性影響。因此，通過後處理

對鈣鈦礦薄膜表面進 行改質被認為是解決該問題的可行方法，因為後處理不僅可以鈍化薄膜表面的缺陷及提 高穩定性，還可以提高有機鹵化物鈣鈦礦電阻式切換記憶體元件的特性。同時，後處理 可以使有機鹵化物鈣鈦礦薄膜的原始性質可以得到更多的保留。在本文中，通過離子化 合物溶液對有機鈣鈦礦薄膜表面進行後處理改質，其中使用了不同種類的離子化合物溶 液。並且，改質後的有機鈣鈦礦薄膜被用作電阻式切換記憶體元件的主動層。通過 SEM、 PL、UV-Vis 和 XRD 分析，仔細研究了經旋轉塗佈不同離子溶液的後處理的薄膜的形 貌、吸收度及結晶性。討論溶液的保持時間和後退火溫度對後處理結果的影響。在整個 實驗過程中，我們

發現經過 10 秒的 CsI、MABr 和 CsBr 離子溶液進行後處理及相應 適當的後退火溫度下的薄膜都顯示出晶粒增大和 PL 強度更高，但沒有明顯改變有機鹵 化物鈣鈦礦薄膜的晶體結構。通過 CsI、MABr 和 CsBr 離子溶液進行後處理可以有效 減少有機鹵化物鈣鈦礦薄膜表面的晶界和缺陷，從而顯著地降低漏電流並提高開關比 (On-Off ratio)。原始的有機鈣鈦礦電阻式切換記憶元件的On-Off ratio為 100，而經 CsI、 MABr 和 CsBr 後處理的鈣鈦礦中，電阻式切換記憶元件的 On-Off ratio 提升到 1000、 10000 和 100000。因此，後處理

可以被視為是對於有機鹵化物鈣鈦礦薄膜來說是很有效的一種鈍化、 修補缺陷的方法及改善、提升電阻式切換記憶元件特性的方式。

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