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次世代電阻式記憶體與氮化鎵高電子遷移率電晶體物理機制研究

為了解決apex進不去2023的問題，作者鄭皓軒 這樣論述：

近年來5G通訊、人工智慧物聯網(AIoT)以及車用電子各項技術蓬勃發展，在高速運算、儲存容量與大功率操作的需求下，記憶體元件與功率電晶體的發展相當重要。在記憶體方面，隨著人工智慧物聯網時代的來臨，微控制器(MCU)將扮演相當重要的角色，而微控制器需使用大量的嵌入式記憶體(Embedded Memory)，嵌入式記憶體需要低操作功耗、高操作速度，並且能與半導體製程整合，在次世代記憶體中，電阻式記憶體最具有潛力。而在功率電晶體方面，過去以矽基元件的設計和技術開發經過了多次結構和製程優化更新，已逐漸接近矽材料的極限。而氮化鎵(GaN)為寬能隙(Wide Band-gap)半導體材料的代表之一，相較

於矽材料，具有寬能隙( bandgap)、高臨界電場(critical electric field)、高電子飽和速度(electron saturation velocity)等特性，在電動車與 5G 通訊方面為極具優勢的材料，以氮化鎵(GaN)為基底的高電子遷移率電晶體(High Electron Mobility Transistor, HEMT)日漸受到重視，顯現出氮化鎵在商業市場上的重要性以及未來的發展性。本論文針對電阻式記憶體以及氮化鎵高電子遷移率電晶體之性能進行相關研究。RRAM的元件目前以電晶體控制其開關(1T1R)作為嵌入式記憶體的主要結構。隨著莫爾定律的發展，電晶體的通道不

斷的微縮，電晶體可承受的電壓會越來越小，可能會逼近RRAM最大的操作電壓 – 形成電壓(Forming Voltage)，因此，如何降低形成電壓就會是一個重要的問題。本論文提出利用交流訊號進行Forming的步驟，使RRAM的Forming電壓下降，並且更進一步的設計出理想的操作波形，應用於嵌入式電阻式記憶體中。另一方面，由於嵌入式電阻式記憶體是RRAM串聯一電晶體，在Reset過程中，RRAM所獲得的電壓增加，造成電晶體的VGS減少，電晶體進入飽和區，使RRAM無法有效地增加操作窗口。因此，RRAM的操作窗口會受到電晶體的限制。除此之外，電晶體不只影響RRAM的操作窗口，也會影響RRAM的阻

態分部，因此，了解嵌入式電阻式記憶體操作過程中，RRAM與電晶體之間的關係，能夠有效降低嵌入式電阻式記憶體操作過程中電晶體的跨壓，就可以設計出低功耗/高性能嵌入式電阻式記憶體的架構。在氮化鎵高電子遷移率電晶體方面，考量安全因素元件的起始電壓須大於0，因此p-GaN HEMT因可達增強型(Enhancement-Mode, E-mode)為主要發展的元件，但是元件在關態時會產生嚴重的漏電流，故如何抑制元件漏電流是一重要議題。研究中發現p-GaN HEMT元件具有駝峰效應。分析其原因係在元件保護層中，因製程所產生的氫擴散至p-GaN層，進而產生次通道(Sub-channel)效應造成較大關態漏電。

另一方面，p-GaN HEMT閘極常見有Ni、Au和TiN等材料，不同材料間基本物理特性會影響元件的基本性能。然而，閘極金屬製程可能因為前驅物或電漿的轟擊，導致元件有前驅物殘留的污染、不平整的表面和較差的介面品質。此章節主要討論p-GaN HEMT漏電成因與不同閘極金屬製程對於之性能的影響。

行動電信業者之動態競爭策略

為了解決apex進不去2023的問題，作者葉俊延 這樣論述：

2019年被外界稱為「5G元年」，各國行動電信業者均積極佈局5G，2019年4月時，美國、韓國也展開5G商用服務，正式進入5G發展初期，針對5G的應用，埃森哲（Accenture）指出以5G為首的五大科技，將被聚焦在：（一）5G；（二）AR、VR、MR，甚至是XR；（三）、人工智慧（AI）；（四）智慧駕駛；（五）數位信任。而透過物聯網（IoT）、人工智慧（AI）、大數據等技術，5G則能運用到智慧交通運輸、智慧城市、健康連結、智慧家居和媒體、無線網路產業等，衍生出無限的商機；然而，這些構思仍是人們對5G的想像，目前的5G依然要面對許多的困難與挑戰要克服，未來幾年的行動電信市場4G依然不可或缺。

面對5G浪潮，目前的台灣行動電信市場仍然在探索其商業模式與應用，找出5G的殺手級應用來取得市場中的優勢，由於行動電信市場具有快速、多變、高度競爭等特性，行動電信業者在每一次的競爭中取得短暫的優勢，藉以取得商機，過去的競爭策略分析多為靜態，難以適用於高度變化的行動電信市場；因此，本研究主要以動態競爭理論出發，採用文獻分析和深度訪談之研究方法，分別探討分析美國、日本和韓國以及台灣在行動電信市場中的競爭個案、競爭策略、相關政策和推行的作法，進而提出各國行動電信業者在市場所面對的考驗和對策，並提出可供臺灣借鑑之處。由於目前台灣5G還在規劃階段，因此主要分析4G時期業者的競爭，從中找出業者在競爭中的優勢

與劣勢，依據美國、日本、韓國行動電信業者在面對4G後期轉型與5G發展初期的競爭策略與經驗，本研究對於台灣行動電信市場提出之建議包括：（1）政府應該明定5G發展方向與目標；（2）業者應當停止「低價吃到飽」的價格惡戰；（3）行動電信業者應該以多元加值服務為利基。而以全球5G技術發展趨勢來看，台灣行動電信業者開始5G商轉後，則可以在5G的相關應用上進行深耕，例如大數據、物聯網（IoT）與人工智慧（AI）的結合，包含國外投入的自駕車、無人機、智慧農業、智慧工業等技術，創造更多樣化的應用情境，提升用戶體驗。