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V IR P I={V}的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦王文靜寫的 晶體 太陽電池制造技術 可以從中找到所需的評價。
國立暨南國際大學 應用材料及光電工程學系 詹立行所指導 陳子桓的 多功能性的咪唑離子液體作為添加劑以及介面修飾對於反式鈣鈦礦太陽能電池元件效率之改善 （2021），提出V IR P I={V}關鍵因素是什麼，來自於反式鈣鈦礦太陽能電池、添加劑、離子液體、1-乙基-3-甲基溴化咪唑、1-乙基-3-甲基硫氰酸根咪唑、1-乙基-3-甲基咪唑 4,5二氰基咪唑。
而第二篇論文國立中正大學 化學暨生物化學研究所 曾炳墝所指導 廖任浩的 Crystal-engineering studies of N,N’-bis(pyridylcarbonyl)-4,4’-diaminodiphenyl sulfoxide, sulfone and carboxide with Cu(I) and Cu(II) salts （2021），提出因為有 銅(I)、銅(II)、配位高分子、自組裝、碘化亞銅團簇的重點而找出了 V IR P I={V}的解答。
晶體 太陽電池制造技術
為了解決V IR P I={V} 的問題，作者王文靜 這樣論述：
不僅介紹了太陽電池每個工藝環節的工藝流程及參數，而且分析了該工藝環節的原理、控制難點，以及與其他工藝環節之間的關聯性。此外，還在每章后給出了論文索引，便於讀者繼續學習。《新能源應用技術叢書:晶體硅太陽電池制造技術》在結構上遵循晶體硅太陽電池制造的各個環節的步驟逐步介紹其原理、工藝技術、設備種類。在深入闡述其原理的同時，對於生產線的工藝技術及設備進行了論述。同時對於國際上該項技術的最新進展進行詳細的討論，既注重介紹其實用技術，也深入分析其原理，這對於目前太陽電池生產線建設中的技術人員很有幫助。《新能源應用技術叢書:晶體硅太陽電池制造技術》適合於晶體硅太陽電池生產線上的技術人員、高等院校相關專業的
師生及研究單位研究人員閱讀參考。 前言第1章 晶體硅太陽電池的原理及工藝流程 1.1 晶體結構與能帶理論 1.2 光吸收 1.3 載流子的復合 1.4 半導體pn結 1.5 載流子的輸運機理 1.6 載流子的收集 1.7 光管理 1.8 晶體硅太陽電池的基本結構 1.9 晶體硅太陽電池的性能 1.10 晶體硅太陽電池的結構參數優化 1.11 晶體硅太陽電池的基本制備工藝 參考文獻第2章 表面織構化工藝 2.1 減反及陷光原理 2.2 晶體硅電池產業中的表面織構化及清洗工藝 2.3 鹼腐蝕制絨 2.3.1
反應原理 2.3.2 金字塔的成核與生長 2.3.3 添加劑 2.3.4 鹼性制絨工藝條件分析 2.3.5 絨面結構對反射率及電池性能的影響 2.4 多晶硅片的表面織構化 2.4.1 反應原理 2.4.2 工藝條件的影響 2.4.3 絨面結構對反射率及電池性能的影響 2.5 等離子體刻蝕 參考文獻第3章 擴散 3.1 擴散原理 3.1.1 擴散的基本物理機理 3.1.2 擴散方程 3.1.3 磷擴散的原理 3.1.4 硼擴散的原理 3.2 氣相擴散 3.3 固態源擴散 3.4 擴
散相關工藝 3.4.1 氧化過程中雜質的擴散行為 3.4.2 雜質在氧化硅中的擴散 3.5 擴散對太陽電池性能的影響 3.5.1 擴散吸雜 3.5.2 優化發射極 3.6 擴散特性的測量技術 3.6.1 傾斜和染色法 3.6.2 四探針測試法 3.6.3 擴展電阻測試法 3.6.4 電容法 3.6.5 二次離子質譜（SIMS） 3.6.6 電容-電壓（C-V）曲線 3.7 擴散設備 參考文獻第4章 鈍化和減反射技術 4.1 過剩載流子的復合機理 4.2 表面復合 4.2.1 表面復合
速率與有效少子壽命 4.2.2 平帶近似條件下表面復合速率的計算 4.2.3 介質層鈍化的表面復合理論 4.3 Si-SiO2界面 4.3.1 SiO2薄膜制備技術 4.3.2 SiO2薄膜的表面缺陷特性 4.3.3 影響Si-SiO2界面態的因素 4.3.4 Si-SiO2的界面復合特性 4.4 Si-SiNx界面 4.4.1 SiNx膜制備技術 4.4.2 SiNx制備工藝 4.4.3 SiNx薄膜的電荷特性 4.4.4 SiNx表面復合速率和有效少子壽命 4.4.5 p型Si-SiNx界面的寄
生漏電現象 4.5 Si-Al2O3界面 4.5.1 Al2O3制備技術 4.5.2 ALD制備的Al2O3膜特性 4.5.3 Al2O3膜的鈍化特性 4.5.4 鈍化機理 4.5.5 Al2O3膜的穩定性 4.5.6 Al2O3的疊層結構 4.5.7 工業規模的ALD技術 4.6 小結 參考文獻第5章 電極制備技術 5.1 前電極優化原則 5.1.1 遮光損失 5.1.2 串聯損失 5.1.3 並聯電阻 5.1.4 接觸復合損失 5.1.5 電極優化原則 5.2 絲網印刷法制備
電極工藝 5.2.1 絲印技術 5.2.2 電極制備工藝 5.3 銀電極接觸及導電機理 5.3.1 銀電極接觸形成機理 5.3.2 銀電極導電機理 5.3.3 影響接觸電阻的因素分析 5.4 背接觸及背表面場的形成 5.4.1 鋁背場形成機理及作用 5.4.2 影響背場質量的因素 5.4.3 背反射 5.4.4 燒結導致的硅片彎曲 5.5 電極制備新技術 5.5.1 二次印刷法 5.5.2 噴墨打印法 5.5.3 化學鍍/電鍍法 參考文獻第6章 硅片和太陽電池的幾種測試方法 6.1
少子壽命測試 6.1.1 少子壽命測試簡介 6.1.2 載流子壽命測試在Si片和太陽電池中的應用 6.2 少子壽命測試方法 6.2.1 基於光電導技術的測試方法 6.2.2 表面光電壓（SPV）法 6.2.3 調制自由載流子吸收（MFCA） 6.2.4 IR載流子密度成像（CDI） 6.2.5 電子束誘導電流（EBIC）方法 6.2.6 光束誘導電流（LBIC）方法 6.3 反射光譜分析 6.4 太陽電池的I-V特性測試 6.4.1 暗I-V表征雙二極管模型（pn結特性的測量） 6.4.2 電池在光
照狀態下的負載特性（光照I-V曲線） 6.5 太陽電池的光譜響應曲線測試 6.5.1 基於濾波片的測試系統 6.5.2 基於光柵單色儀的光譜響應測試系統 6.6 晶體硅太陽電池的失效分析 6.6.1 發射光譜技術介紹 6.6.2 電致發光測試（EL） 6.6.3 光致發光測試（PL） 6.6.4 熱紅外成像測試 6.6.5 鎖相熱成像（LIT）測試 6.7 小結 參考文獻第7章 晶體硅太陽電池生產線整體工藝控制技術 7.1 晶體硅太陽電池生產工藝中各種影響因素 7.2 與結特性有關的工藝控制技術 7.3 與表面
鈍化特性有關的工藝控制技術 7.4 與電極接觸特性有關的工藝控制技術 7.5 與減反射有關的工藝控制技術 7.6 與織構化有關的工藝控制技術 7.7 太陽電池整線工藝調整與優化 參考文獻第8章 組件的制備技術 8.1 組件制備工藝原理與工藝流程 8.2 封裝材料 8.2.1 光伏玻璃 8.2.2 密封材料 8.2.3 背板材料 8.3 組件失配分析 8.4 組件現場發電性能 8.5 組件衰減與失效分析 8.5.1 微裂紋 8.5.2 蝸牛痕 8.5.3 熱斑效應 8.5.4 PID效應 8.5
.5 其他類型組件失效分析 8.6 組件封裝發展方向 參考文獻第9章 組件的安全認證 9.1 組件的安全認證標准與認證體系 9.2 組件認證的性能測試 9.3 組件認證的安全測試 參考文獻第10章 新型晶體硅太陽電池 10.1 選擇性發射極太陽電池 10.1.1 激光摻雜選擇性發射極太陽電池 10.1.2 絲網印刷摻雜漿料 10.1.3 后刻蝕（Etch Back） 10.1.4 離子注入技術 10.2 背面鈍化局域接觸太陽電池 10.3 背接觸太陽電池 10.3.1 背接觸背結太陽電池（IBC太陽電
池） 10.3.2 發射極穿孔卷繞（EWT）太陽電池 10.3.3 金屬穿孔卷繞（MWT）太陽電池 10.4 硅球太陽電池 10.5 薄膜硅/晶體硅異質結太陽電池參考文獻
多功能性的咪唑離子液體作為添加劑以及介面修飾對於反式鈣鈦礦太陽能電池元件效率之改善
為了解決V IR P I={V} 的問題，作者陳子桓 這樣論述：
目次摘要 . ............................................................... iAbstract .............................................................iii目次 .................................................................v表目次 ..............................................................viii圖目次 ..........
....................................................ix第一章、緒論 ........................................................1 1.1 前言.........................................................1 1.2 太陽能電池之背景沿革以及工作原理............................3 1.3 太陽能電池之種類介紹 ........................................5
1.3.1 第一世代太陽能電池(結晶矽基板型)........................7 1.3.2 第二世代太陽能電池(薄膜型)...............................71.3.3 第三世代太陽能電池(新興技術導入型).......................8 1.4 鈣鈦礦太陽能電池背景沿革之介紹..............................9 1.5 鈣鈦礦太陽能電池種類及工作原理............................10 1.5.1 傳統式鈣鈦礦太陽能電池..............
...................11 1.5.2 反式鈣鈦礦太陽能電池.................................11第二章、文獻回顧....................................................13 2.1胺鹽添加劑製程..............................................13 2.2路易士鹼添加劑製程...........................................17 2.3擬鹵素離子添加劑製程........................
..................25 2.4離子液體(Ionic liquid)之添加劑製程............................... 30 2.5研究動機..................................................... 42第三章、實驗部分 ...................................................44 3.1 離子液體(IL)合成.......................................44 3.1.1 1-乙基-3-甲基硫氰酸根咪唑(EM
IMSCN)合成............44 3.1.2 1-乙基-3-甲基咪唑 4,5二氰基咪唑(EMIMDCI)合成............44 3.2 鈣鈦礦太陽能電池元件製備.....................................47 3.2.1 ITO玻璃基板之清洗 .................................47 3.2.2電洞傳輸層(electron hole transporting layer)製備...............47 3.2.3鈣鈦礦主動層(active laye
r)製備.............................48 3.2.4電子傳輸層(electron transporting layer)製備....................48 3.2.5 金屬電極製備 ........................................49 3.3 實驗用藥品與溶劑.............................................49 3.3.1 藥品清單...............................................49
3.3.2 溶劑清單...............................................50 3.4 實驗儀器 ....................................................51第四章、結果與討論 .................................................. 55 4.1.1 (EMIMBr)IL添加劑對鈣鈦礦太陽能電池元件光伏性能之影響.. 55 4.1.2 (EMIMBr)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜結晶度及晶體形貌之影響..58 4.1.3 (EMIMBr
)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜光學吸收度及載子傳輸性能之影 響............................................. 61 4.2.1 (EMIMDCI)IL添加劑對鈣鈦礦太陽能電池元件光伏性能之影響.. ......................................................... 66 4.2.2 (EMIMDCI)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜結晶度及晶體形貌之影響 ...............................................
.......68 4.2.3 (EMIMDCI)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜光學吸收度及載子傳輸性 能之影響............................................. 72 4.3.1 (EMIMSCN)IL添加劑對鈣鈦礦太陽能電池元件光伏性能之影響.. ......................................................... 76 4.3.2 (EMIMSCN)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜結晶度及晶體形貌之影 響...................
..................................78 4.3.3 (EMIMSCN)IL添加劑對鈣鈦礦薄膜光學吸收度及載子傳輸 性能之影響............................................. 82 4.4 綜合討論..................................................... 86第五章、結論 ....................................................... 91參考文獻 ......................
......................................92表目次表2.1不同比例之添加劑的鈣鈦礦太陽能電池之光伏性能表................16表2.2添加各項胺鹽之元件光伏參數表..................................18表2.3添加不同濃度碘化咪唑之鈣鈦礦元件光伏參數表現...................23表2.4未添加以及添加咪唑之鈣鈦礦元件光伏參數表現.....................25表2.5 CH3NH3PbI3 以及CH3NH3PbI3-x(SCN)x元件之光伏性能表..............26表2.
6未添加以及添加KSCN、NaSCN之鈣鈦礦元件光伏參數之表現..........28表2.7各個添加比例之鈣鈦礦元件之光伏參數表現.........................30表2.8添加BMII之元件光伏參數表現....................................34表2.9 BMIMBF4元件光伏性能參數表....................................35表2.10各添加濃度之元件光伏參數......................................38表2.11有無IL修飾之元件光伏參數表...............
....................41表4.1添加不同濃度EMIMBr之元件光伏參數表(括號中為最佳表現之元件)....56表4.2添加不同濃度EMIMDCI之元件光伏參數表(括號中為最佳表現之元件)...67表4.3添加不同濃度EMIMSCN之元件光伏參數表(括號中為最佳表現之元件)..77表4.4三種離子液體添加劑最佳添加比之元件的光伏參數比較表............87表4.5三種離子液體添加劑之元件的開路電壓比較表.......................88表4.6三種離子液體添加劑之元件的短路電流比較表.......................90圖目次圖1.1 2
019~2025年我國發電配比圖 ......................................2圖1.2 金屬、半導體、絕緣體能隙示意圖..................................4圖1.3 太陽輻射光譜....................................................5圖1.4 太陽能電池基本工作原理示意圖....................................5圖1.5 截至2021年初的各類型太陽能元件最高效率圖表.....................6圖1.6 三代太陽能電池分類圖....
........................................6圖1.7鈣鈦礦晶體結構示意圖............................................9圖1.8 傳統式(a)與反式(b)鈣鈦礦太陽能電池示意圖.....................11圖2.1最佳添加比例的元件數據.........................................14圖2.2未添加(a)以及最佳添加比例(b)的鈣鈦礦薄膜SEM圖..................14圖2.3未添加以及最佳添加比例的(a) PL圖譜以及(b) TRPL圖譜....
..........14圖2.4不同MeO添加比例下的鈣鈦礦薄膜SEM圖，(a)MeO0、(b) MeO10、(c) MeO20.......................................................16圖2.5不同比例之添加劑對結晶過程之影響示意圖.........................16圖2.6 (a) PEAI 、(b) CH3-PEAI、 (c) CH3O-PEAI、 (d) NO2-PEAI、 (e) MEAI 分 子結構...............................................
.........17圖2.7添加各項胺鹽之鈣鈦礦表面之SEM圖..............................18圖2.8添加CH3O-PEAI的鈣鈦礦元件穩定度數據圖.........................19圖2.9 BZA鹵素鹽類(a)及元件結構(b)....................................20圖2.10 BZA鹽類添加後之薄膜XRD圖譜(a)及UV-Vis圖譜(b)...............20圖2.11 BZA鹽類添加後之SEM圖，原始鈣鈦礦(a、e)、BZACl (b、f)、BZAI (c、 g)、BZABr(
d、h)................................................20圖2.12 BZA鹽類添加後之Steady-state PL(a)以及TRPL(b)....................21圖2.13 BZA鹽類添加後之XPS圖譜......................................21圖2.14碘化咪唑結構圖................................................22圖2.15 添加不同濃度碘化咪唑(a)(b)、以及經熏製(c)(d)之鈣鈦礦薄膜XRD圖 譜.......
................................................22圖2.16 添加不同濃度碘化咪唑之鈣鈦礦薄膜SEM圖樣.....................23圖2.17 咪唑結構圖....................................................24圖2.18未添加(a)以及添加咪唑(b)之鈣鈦礦薄膜SEM圖樣...................24圖2.19未添加以及添加咪唑之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜........................24圖2.20 (a) CH3NH3PbI3及(b) CH3NH3P
bI3-x(SCN)x之SEM圖..................25圖2.21 CH3NH3PbI3 以及CH3NH3PbI3-x(SCN)x之XRD圖譜..................26圖2.22添加KSCN以及NaSCN之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜.....................27圖2.23未添加(a)以及添加KSCN(b)、NaSCN(c)之鈣鈦礦薄膜SEM圖樣........27圖2.24未添加以及添加KSCN、NaSCN之鈣鈦礦薄膜EQE圖譜(a)、UV-Vis圖譜 (b)、Rsh/Rs阻抗比值圖(c)。..........................
............28圖2.25未添加(a)(b)以及添加15 mol%(c)(d) NH4SCN之鈣鈦礦薄膜SEM圖 樣.....................................................29圖2.26各個添加比例之鈣鈦礦薄膜(a)PL圖譜以及(b)SCLC曲線............29圖2.27常見的離子液體陽離子與陰離子類型..............................31圖2.28 添加1.5 wt% EMIC前(a)後(b)之鈣鈦礦薄膜SEM圖................32圖2.29添加1.5 wt% E
MIC後元件之(a)XRD圖譜、(b) UV–vis吸收光譜、(c)PL圖 譜(d)J-V曲線圖、(e)EQE光譜、(f)Nyquist曲線圖.....................32圖2.30 BMII結構圖....................................................33圖2.31由BMII引導的鈣鈦礦結晶機制示意圖.............................33圖2.32添加BMII後之鈣鈦礦薄膜SEM圖..............................34圖2.33 BMIMBF4結構圖.........
......................................35圖2.34鈣鈦礦薄膜之XPS比較圖.......................................35圖 2.35 BMIMBF4元件效率之穩定性測試.................................36圖2.36 MPIB結構圖...............................................37圖 2.37添加MPIB前後之鈣鈦礦晶體SEM圖...........................38圖 2.38 MPIB添加與原始鈣鈦礦之(a) XPS圖
譜(b) FT-IR圖譜................38圖2.39 EMIMBF4結構圖...............................................39圖2.40新型態鈣鈦礦晶體形成機制示意圖................................40圖2.41新型態鈣鈦礦晶體之XRD圖譜...................................40圖2.42新型態鈣鈦礦晶體之SEM圖.....................................40圖2.43最佳添加比例之新型態鈣鈦礦晶體之SEM圖.............
...........41圖2.44三種離子液體(a) EMIMBr、(b) EMIMSCN、(c) EMIMDCI之分子結構。....................................................43圖3.1 EMIMSCN NMR Spectrum.........................................45圖3.2 EMIMSCN結構圖................................................45圖3.3 EMIMDCI NMR Spectrum........................
.................46圖3.4 EMIMDCI結構圖................................................46圖4.1.1 添加不同濃度EMIMBr之元件J-V曲線圖..........................57圖4.1.2 添加不同濃度EMIMBr之元件IPCE圖譜..........................57圖4.1.3 添加不同濃度EMIMBr之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜....................59圖4.1.4 未添加EMIMBr(Ref.)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...................
...60圖4.1.5 添加1 wt% EMIMBr(Br1)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...................60圖4.1.6 添加3 wt% EMIMBr(Br3)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...................60圖4.1.7 添加5 wt% EMIMBr(Br5)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...................61圖4.1.8 添加不同濃度EMIMBr之鈣鈦礦薄膜UV-Vis圖譜...................62圖4.1.9添加不同濃度EMIMBr之鈣鈦礦薄膜PL圖譜.......................63圖4.1.10 (a)Ref
.、(b)Br1、(c)Br3、(d)Br5之純電子(electron-only)元件之I-V特性曲 線圖..................................................65圖4.2.1添加不同濃度EMIMDCI之元件J-V曲線圖.........................67圖4.2.2添加不同濃度EMIMDCI之元件IPCE圖譜.........................68圖4.2.3添加不同濃度EMIMDCI之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜...................69圖4.2.4未添加EMIMDCI(Ref.)之鈣鈦礦薄膜
SEM圖像.....................70圖4.2.5添加1 wt% EMIMDCI(DCI1)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像................71圖4.2.6添加3 wt% EMIMDCI(DCI3)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像................71圖4.2.7添加5 wt% EMIMDCI(DCI5)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像................71圖4.2.8添加不同濃度EMIMDCI之鈣鈦礦薄膜UV-Vis圖譜.................72圖4.2.9添加不同濃度EMIMDCI之鈣鈦礦薄膜PL圖譜......................7
4圖4.2.10 (a)Ref.、(b)DCI1、(c)DCI3、(d)DCI5之純電子(electron-only)元件之I-V特 性曲線圖....................................................75圖4.3.1 添加不同濃度EMIMSCN之元件J-V曲線圖........................77圖4.3.2 添加不同濃度EMIMSCN元件之IPCE圖譜........................78圖4.3.3 添加不同濃度EMIMSCN之鈣鈦礦薄膜XRD圖譜..................79圖4.3.4
未添加EMIMSCN(Ref.)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像....................80圖4.3.5 添加1 wt% EMIMSCN(SCN1)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...............81圖4.3.6 添加3 wt% EMIMSCN(SCN3)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...............81圖4.3.7 添加5 wt% EMIMSCN(SCN5)之鈣鈦礦薄膜SEM圖像...............81圖4.3.8 添加不同濃度EMIMSCN之鈣鈦礦薄膜UV-Vis圖譜.................83圖4.3.9 添加不同濃度EMIMSCN之鈣鈦礦薄膜PL圖譜
....................84圖4.3.10 (a)Ref.、(b)SCN1、(c)SCN3、(d)SCN5之純電子(electron-only)元件之I-V 特性曲線圖..................................................85圖4.4.1 EMIMBr、EMIMDCI、EMIMSCN三者之分子結構圖.................86圖4.4.2三種離子液體添加劑之鈣鈦礦薄膜SEM圖像.......................89
Crystal-engineering studies of N,N’-bis(pyridylcarbonyl)-4,4’-diaminodiphenyl sulfoxide, sulfone and carboxide with Cu(I) and Cu(II) salts
為了解決V IR P I={V} 的問題，作者廖任浩 這樣論述：
本篇論文利用實驗室所設計和合成出的一系列對稱形雙吡啶-醯胺配位基 N,N’-bis(pyridylcarbonyl)-4,4’-diaminodiphenyl sulfone (papso2)、N,N’-bis(pyridylcarbonyl)-4,4’-diaminodiphenyl sulfoxide (papso)、及 N,N’-bis(pyridylcarbonyl)-4,4’-diaminodiphenyl carboxide (papco) 分別與 CuI 及 Cu(ClO4)2 進行合成反應，得到一系列一維及二維配位高分子化合物：{[Cu2(papso)2I2]·MeCN·3.
5DMF}n (1)、{[Cu2(papso2)2I2]·3MeCN·4DMF}n (2) 、{[Cu4(papso2)I4]·2MeCN·6DMF}n (3) 、 {[Cu(papso)2(DMF)2](ClO4)2·MeCN·2DMF·H2O}n (4) 、 {[Cu(papso2)2(DMF)2](ClO4)2·MeOH·2DMF}n (5) 、 {[Cu(papso2)2(ClO4)2]·MeOH·3DMSO}n (6) 及{[Cu(papco)2(DMSO)2](ClO4)2·2Et2O}n (7)。藉由 X-ray單晶繞射對化合物進行結構解析，其中化合物 1 及 2 的中心銅(I)
金屬以Cu(I)2I2的雙核形式存在，並與配位基形成一維雙鋸齒鏈狀配位高分子，而兩者的金屬團簇與配位基以不同形式配位。化合物 3 的銅(I)中心金屬則為Cu4I4 扭曲四面體立方烷形式存在，並與配位基形成二維層狀配位高分子。化合物 4 及 5 的銅(II)中心金屬的軸位與一個二甲基甲醯胺配位，化合物 6 的銅(II)中心金屬的軸位與兩個過氯酸根陰離子配位，化合物 7 的銅(II)中心金屬的軸位與兩個二甲基亞碸配位，四個化合物的赤道面皆與四個配位基上的吡啶配位，形成一維雙鋸齒鏈狀配位高分子。在固態放光方面，化合物 1-3皆存在 Cu(I)…Cu(I) 相互作用(2.532 - 2.914 Å)，
並且在室溫下的放光波長分別為 552、552 及 558 nm，推測其放光皆為來自於 iodo-to-copper charge-transfer transition (LMCT, ligand-to-metal charge-transfer transition)。將化合物 6 透過加水研磨轉變為非晶相，因此化合物 6 雖然具有過氯酸根配位，但並非形成如實驗室先前的研究工作中得到的二維聚輪烷結構 (PR)。