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國立中央大學 地球科學學系 許樹坤所指導 黃碧淳的 台灣東北海域龜山島北側崩塌與海底山崩研究 （2017），提出Twt terra關鍵因素是什麼，來自於岩屑崩落、陸上山崩、龜山島。
而第二篇論文國立清華大學 材料科學工程學系 周立人所指導 闕郁倫的 鉭矽化物和耐火金屬氧化物奈米材料合成、結構鑑定及物理性質研究 （2006），提出因為有 耐火金屬氧化物、鉭矽化物、奈米材料的重點而找出了 Twt terra的解答。
台灣東北海域龜山島北側崩塌與海底山崩研究
為了解決Twt terra 的問題，作者黃碧淳 這樣論述：
前人根據龜山島上的熔岩流分布研究指出龜山島近 7000 年來至少發生過四次火山噴發事件。除此之外，火山島的噴發事件也常和伴隨的火山側翼崩塌事件有關。龜山島周圍的高精密水深資料顯示海底有岩屑崩落（Debris avalanche），主要分佈在北方以及南方的海域。為瞭解崩塌機制與岩屑崩落的分布情形，本研究主要利用高精密水深、底拖側掃聲納、底質剖面與火花放電波源的震測剖面等資料來研究北方海域崩落事件。水深資料的分析結果顯示岩屑崩落分佈在距離龜山島北側翼的馬蹄鐵狀崩塌口約4公里遠且占據大約 10 平方公里的面積，可辨認出的崩落石塊約有67處，呈現不規則分布且高度約為10到 50 公尺高。從 ROV
觀測的結果發現，研究區域的海床主要以泥質和沙質為主的沉積環境，而且為大小不一的石塊堆疊而成並附著了珊瑚礁等生物在石塊上。 除此之外，震測資料分析結果可大致區分為兩個不同的混亂震測相，第一個混亂震測相主要包含了反射訊號的繞射現象以及不連續的側向反射訊號，本論文定義其為第三個大量沉積物傳輸的堆積單元(MTD3)。至於第二個混亂震測相主要包含不規則的側向反射訊號以及斷斷續續的強振幅反射訊號，以深度分別可定義為第一個和第二個大量沉積物傳輸的堆積單元 (MTD2 和 MTD1)。震測相與分布的情況來看，與島上崩塌口相關的崩塌沉積物主要為 MTD2 和 MTD3。MTD3主要分佈於淺部地層中，在龜山
島斜坡地區覆蓋了大約90公尺厚的沉積物並往東北方向傳遞。另外在 MTD3 的地層中可以進一步辨識滑動不整合面(U3)。因此，根據分佈的特性以及不整合面的位置推測出 MTD3 可能來自於龜山島海底邊坡不穩定所造成的崩塌事件。至於 MTD2 的分布位置主要在較深部的地層中(約為350 ms TWT)且呈現連續的強反射訊號，顯示其質地可能為較硬的岩塊，因此推斷龜山島側翼崩塌事件主要是記錄在 MTD2。最後，本研究提出一個模型來解釋龜山島側翼崩塌以及後續的海底山崩事件。 最後，本研究提出一個新的模型來解釋龜山島側翼崩塌以及後續的海底山崩事件。
鉭矽化物和耐火金屬氧化物奈米材料合成、結構鑑定及物理性質研究
為了解決Twt terra 的問題，作者闕郁倫 這樣論述：
一維奈米結構如奈米線、奈米管等，擁有高的表面積比，因此具有獨特的光性、電性和機械性質而引發廣泛的興趣和研究。 本篇論文以設計及合成新穎奈米材料為主題，著重於奈米材料合成及奈米材料結構上分析鑑定，主要研究奈米材料分類如下:(1)低維度金屬及半導體矽化物材料; (2)半導體矽奈米線; (3)低維度金屬氧化物奈米材料。由於這些材料都具有金屬及半導體性質，因此探索奈米特性與現象對於這些奈米材料物理性質為此論文討論重點。 半導體性質的鐵矽化物之發光波長為1.55毫米，運用於光纖傳輸時，具有最小的能量消耗，未來於通訊領域極具發展潛力。因此，在低維度半導體矽化物奈米材料，本論文以嘗試成長具有半導體性質的
鐵矽化物奈米薄膜及奈米點於矽及矽鍺虛擬基材為主要方向，進而討論成長時形貌及尺寸對於發光上之影響。此外，利用直接退火鐵矽物奈米點於矽及矽鍺虛擬基材而成長不同形貌一維矽奈米線及討論此獨特一維矽奈米線成長機制及各種物理性質如光學、場發射等則為本論文的另一項重點。此外，金屬性質矽化物奈米線屬矽化物具有著許多優點，如高熔點、良好的熱穩定性及低電阻等特性等，故在VLSI半導體製程上的應用，有舉足輕重的地位，如矽化鎢常應用於閘極間，降低接觸電阻，以形成歐姆接觸，本研究利用新的成長方式，嘗試利用鐵及鎳矽化物於一鉭加熱氣氛下成長鉭矽化物一維奈米線，對於成長機制上的探討及此金屬一維奈米鉭矽化物之物理性質如電性質、
機械性質、場發射性質之量測與探討亦為本論文的重點，一維奈米鉭矽化物於液晶顯示器之場發射源或元件上之導線連接具有極大的潛力。再者，在金屬氧化物方面，本論文亦涵蓋了下列幾項奈米材料:(1)二氧化矽/五氧化二鉭之同軸結構及五氧化二鉭一維奈米線、管; (2)二氧化三鐵及四氧化三鐵一維奈米線; (3)金屬性二氧化釕一維奈米線及二氧化釕/二氧化鈦同軸結構; (4)氧化鋅及磷化鋅一維奈米線。而本論文嘗試探討這些奈米材料之合成 、結構分析及鑑定並試圖找出尺寸及形貌對於各種物理性質如光電、機械及 場發射性質量測上的影響，並製作簡易奈米元件探索未來工程上之可能應用。