SiP封裝 優點的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

多晶片扇出型晶圓級封裝製程相依翹曲分析

為了解決SiP封裝 優點的問題，作者曾冠霖 這樣論述：

近年來各式微型電子產品日新月異，尺寸微縮的速度逐漸加快，作為評估半導體發展速度的摩爾定律卻面臨技術上的瓶頸導致推遲，晶片尺寸微縮的速度受到限制，為了跟上電子產品的微型化許多廠商選擇往超越摩爾定律(More than Moore)的系統級封裝(System in Package, SiP)發展，其中扇出型晶圓級封裝(Fan-out Wafer Level Package, FOWLP)具有低成本、封裝厚度薄、高I/O密度等優點，不論在2.5D或3D整合的系統級封裝都非常適合，因此也有許多以FOWLP為基礎而延伸的封裝形式逐漸被開發出來，但仍有許多問題必須解決，例如晶圓翹曲等，晶圓翹曲可能會造成

後續的製程發生問題，如機台定位失準、抓取困難等等，最終造成產品的良率不佳而使公司受到損失。本研究主要目標為建立一套可以有效評估多晶片扇出型晶圓級封裝(Multi-chip FOWLP)構裝製程相依翹曲值的數值分析模型，模型中考慮了重力、幾何非線性、模封材料之固化體積收縮與黏彈性材料性質等因子之影響，結合ANSYS網格生死技術以模擬實際製程之效果，模擬翹曲值結果與實驗量測之翹曲值結果相互比對驗證，此外本研究利用材料等效方法與多點約束(Multipoint Constraint, MPC)技術來簡化原始模型以提升運算效率，簡化後的模型分析結果與原始模型相互比對驗證，接著透過參數化分析以找出影響構裝

製程翹曲之重要因子，並透過田口氏實驗設計找出較佳的因子組合以有效降低製程翹曲值，以降低後續製程的難易度。最後透過全域/區域方法分析Multi-chip FOWLP製程過程中的熱機械應力行為。

扇出型玻璃基板封裝設計之失效壽命預估及驗證研究

為了解決SiP封裝 優點的問題，作者王保雄 這樣論述：

下一代電子產品將需要與更輕，更薄，更小的設備的發展趨勢保持同步。 這些設備的物理要求和多功能要求將取決於高密度集成電路（IC）封裝技術，例如三維IC集成，扇出型晶圓級封裝設計和矽通孔設計。 其中，扇出型封裝技術目前是大多數研究關注的焦點，因為它使器件的組裝具有高度的集成度和較小的尺寸，並且具有價格競爭力。扇出型設計有兩種類型：晶圓級設計和面板級設計，這兩種方法目前已在生產中使用，然在製造過程中，面板級設計有板面翹曲的風險限制，仍需要更多的研究來克服。 Si晶片具有固定的熱膨脹係數（CTE），因此可以通過模擬晶片的預期壽命來預測基於Si晶片的IC的預期壽命。本研究使用熱循環壽命預測來預測雙面扇

出型結構設計，也探討考慮不同基板材料用於扇出型封裝技術IC的結構設計過程中的可行性。使用玻璃基板是本研究創新的想法。玻璃載體的優點是它們的平整度，光滑度，可調的CTE，低功耗，超高電阻和低介電常數，所有這些優點使玻璃成為扇出型堆疊結構中有吸引力的選擇。封裝技術的發展將進一步擴大玻璃基板的產品整合功能，且輸入/輸出功能可用於直接連接基板，從而有效降低封裝成本。在本文描述中，我們製造了一種測試載具，以載具在評估熱循環測試（OBTCT）的壽命，並將所得數據與模擬預測進行比較。 根據這些數據，我們對基於玻璃基板的扇出型結構進行了可靠性預測，以幫助確定這些材料的失效行為。我們使用了有限元素模型，結合Co

ffin-Mason應變方程式和Modified energy density能量方程式，探討其壽命預估的結果。為了探索不同設計的模擬結果以及指標因素的影響，我們探索了一系列不同的設計因素，例如球墊尺寸，錫球材料特性，玻璃載體特性以及緩衝層厚度的設計。藉由使用有限單完模擬來進行玻璃基板的扇出型封裝的壽命估算，我們發現應力集中位置接近測試載具的斷裂位置，這意味著通過使用此模擬模型能準確預估出測試載具失效壽命，我們可以藉由扇出型封裝結構的壽命預估，然後對模型設計進行參數化研究，預測最佳的使用壽命結果。根據結果數據使我們能夠建立基於玻璃基板的扇出型封裝的設計規則，未來，我們可將這些研究應用於實際封裝

產品的設計中，以減少實際誤差並減少實際樣品的設計時間。關鍵詞: 晶圓級封裝、扇出型、玻璃基板、應變、有限單元法、3D模擬。