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Samsung S20 FE進入發燒排行的影片

調控鎳開路電位時間置換低電位沉積鈷製備鈷鎳合金薄膜特性

為了解決Samsung S20 FE的問題，作者陳坤煌 這樣論述：

隨著半導體製程的變遷，銅金屬化連導線線寬和橫截面積縮小化，電子散射使電阻率增大，由於其高電子平均自由路徑，造成銅金屬已不足以使用。鈷與鎳金屬皆具有較低的電子平均自由路徑，在新一代連導線製程中具有相當的潛力。因此本實驗以電化學原子層沉積進行製備鈷鎳薄膜，改善縮小化後的溝槽高深寬比導致傳統濺鍍其階梯覆蓋率不足之問題，作為應用於奈米級積體電路連導線製程。本研究以鈷作為基板，以低電位沉積單層鈷原子，再利用表面侷限氧化還原反應以鎳離子置換鈷原子，藉由控制開路電位時間來獲得不同鎳含量之鈷鎳合金薄膜。本實驗著重於不同開路電位時間與調控鎳溶液的pH值探討之電流密度變化及成核機制，從電流密度-時間曲線觀察鈷原

子沉積狀態，由電位-時間曲線觀察到鈷-鎳置換反應之合金薄膜成長狀態，經電流瞬態曲線(j - t1/2)和Cottrell曲線(j - t-1/2)觀察鈷鎳置換反應動力學成核成長趨勢，並藉由場發射式電子顯微鏡觀察表面形貌、X-ray繞射儀進行結構分析、感應耦合電漿質譜儀進行薄膜成分定量分析、四點探針量測片電阻和電性分析。結果得知改變鎳溶液之pH值可有效擴大鈷與鎳之間的電位差，使得鎳的標準電位往正電位偏移，而獲得低含量鎳沉積與低電阻率表現，在表面形貌呈現均勻且緻密之鈷鎳合金薄膜。實驗結果得知，在5 mM CoSO4溶液添加9 mM H3BO3，低電位沉積電位為 -0.9 V，並以0.5 mM Ni

SO4控制pH值於5.6進行置換，開路電位時間為30秒，可得最低電阻率為27.72 -cm之薄膜，此薄膜具有平整均勻的表面形貌，為瞬時成核成長。其製程以電化學原子層沉積，對於線寬縮小化之應用，作為有潛力的半導體鈷連導線製程中。