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BTS: The Ultimate Fan Book 防彈少年團終極粉絲指南

為了解決Rise mv的問題，作者Malcolm Croft 這樣論述：

BTS防彈少年團 首次全彩寫真成長書 80張彩色照片，28x21大開本精裝!   　　防彈現象:一支來自南韓的七人男團，征服全球樂迷。   　　來自南韓的BTS防彈少年團，成員包含Jin、SUGA、j-hope、RM、Jimin、V以及Jung Kook。自2013年出道至今，不僅屢屢寫下新紀錄，橫掃多項新人獎，團員們在歌曲中真誠地分享自己的害怕與挫折，道出新世代普遍的心聲，拉近與粉絲的距離，讓BTS風潮席捲世界。   　　《防彈少年團終極粉絲指南》是BTS防彈少年團市面上首次全彩寫真成長書! 80張彩色照片，64頁精彩內容，28x21cm大開本精裝可供收藏!收錄BTS成長背景、成員、

時尚、人生觀、獎項、專輯、音樂、粉絲、現場演唱，分享團員的個性與熱誠，BTS帶給A.R.M.Y無限力量，鼓勵大家勇敢追尋自己的夢想。   　　【BTS的傲人紀錄】 　　．第一個韓國團體登上美國《告示牌》百大專輯排行榜第一名。 　　．BTS發行6張韓文與日文專輯，全球銷售超過5百萬張。 　　．2018年美國「時代」雜誌評選為「網路上最具影響力的25位人物」之一: 防彈少年團於英語社交平台上的追蹤者至少有5千萬人，本次推出的主打歌《FAKE LOVE》的官方MV，在24小時內的觀看次數與美國知名歌手泰勒絲並駕齊驅。 　　．BTS 2018年發行的《Love Yourself轉‘Tear’》刷新自身

於美國音樂排行榜的最佳紀錄，是第一張獲得此殊榮的韓國專輯。並於美國告示牌的「Social 50」排行在榜中超過89週。   　　BTS are much more than just a K-Pop phenomenon, they are a band acclaimed for their record-smashing, barrier-breaking, trend-setting dance-pop and hip-hop tunes and personal philosophies.   　　BTS: The Ultimate Fan Book is the first cele

bration of this colourful seven-piece phenomenon from Korea, exploring in stunning technicolour detail the group's origins, members and super rise to success, beautifully accompanied by photographs celebrating the band's kaleidoscope of personalities and passions that have made them famous. BTS are

more than just a boy band - they are a way of life.

Rise mv進入發燒排行的影片

二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決Rise mv的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的

記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。

100 Years of the Isle of Man TT: A Century of Motorcycle Racing

為了解決Rise mv的問題，作者Wright, David 這樣論述：

Run over the every-day roads of the Isle of Man for over 100 years, the world-famous Tourist Trophy races have gripped the imaginations of successive generations of motorcyclists. From the earliest days of single-speed, belt-driven machines delivering 5 bhp, to the highly developed projectiles of to

day offering a fearsome 200 bhp, race fans have thronged the roadside banks and watched in awe as the best racing motorcyclists in the world rode the fastest machines of their day around the twists, turns and climbs of the 374 mile Mountain Course, all in pursuit of a coveted Tourist Trophy. This ne

w updated edition covering the 2007 - 2012 races, reveals the event's colorful history through the high-speed activities of great riders such as the Collier brothers, Geoff Duke, Mike Hailwood, Giacomo Agostini, Steve Hislop, Joey Dunlop, John McGuinness and many others. It also looks at the machine

s and mechanical developments and race organization, plus the financial rewards and commercial interests; setting them all in the context of the triumphs and tragedies of a great sporting event that has seen average lap speeds rise from 40 mph to over 130 mph. David Wright’s interest in the TT goe

s back over fifty years to the era when the Italian machines of Gilera and MV Agusta dominated the races in the hands of riders like Geoff Duke, John Surtees and Carlo Ubbiali. A constant follower of Island racing ever since, he greatly admires the performances of today’s TT-winning machines from Ja

pan and the riders who have the courage and talent to race over the famous Mountain Course. David is the author of several books including Vincent - The Complete Story and 100 Years of the Isle of Man TT, both published by Crowood.

以一步驟表面電漿誘發剝離法製備氮摻雜碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料及其性質和產氫催化性能

為了解決Rise mv的問題，作者呂弈均 這樣論述：

在此論文中，講述運用一步驟表面電漿誘發剝離法，製備碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料和氮摻雜碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料，探討碳化鉬和石墨烯奈米片的比例對表面形貌、材料性質和其應用於電催化產氫中的催化劑表現，並以前者最佳催化表現的比例進行氮摻雜探討異質摻雜對表面形貌、材料性質和其應用於電催化產氫中的催化劑的影響。一步驟表面電漿誘發剝離法是先以石墨紙為基材製備雙層電極，再將雙層電極接到陰極、1M硫酸為電解液，通以70伏特的電壓，在陰極尖端會產生電漿並從雙層電極上剝離複合材料到電解液中，再把電解液抽氣過濾即可得到產物。使用SEM和TEM觀察碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料的呈現互相交疊的情形，碳化鉬表面變

崎嶇、尺寸變小，石墨烯奈米片則呈現奈米片狀結構；以EDS和XPS分析可以得知添加氮源可對複合材料中的碳化鉬進行氮摻雜；透過拉曼光譜儀可以得知複合材料中的石墨烯奈米片為少層數；以XRD對材料進行分析和文獻比對後可以得知複合材料中的碳化鉬為beta相結構；把材料以一定比例塗在碳玻璃電極上進行電化學量測，透過LSV量測可得知碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料中的最佳過電位是GM-300，數值為247mV，氮摻雜碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料中最佳過電位是GM-N50，數值為185mV。塔弗曲線圖中，碳化鉬/石墨烯奈米片複合材料中的塔弗斜率最好的是GM-300，數值為86(mV/dec)，氮摻雜碳化鉬/石墨烯

奈米片複合材料中斜率最好的是GM-N50，數值為70(mV/dec)。一步驟表面電漿誘發剝離法能成功同時複合材料進行剝離和異質摻雜，而且此製程有著快速、便宜和單步驟完成製程等優勢，是一項具有研究潛力的製程，未來可以替換其他產氫催化材料進行複合材料的研究。