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國立成功大學 光電科學與工程學系 藍永強所指導 林和陞的 基於多重開口螺旋狹縫生成電漿子渦流之研究 （2020），提出Photoelectrons關鍵因素是什麼，來自於電漿子渦流、軌道角動量、缺陷耦合、阿基米德螺旋、拓樸電荷、相位奇點。
而第二篇論文國立東華大學 物理學系 葉旺奇所指導 Pangihutan Gultom的 生長溫度對含碳TiO2納米線形貌和光催化性能的影響 （2020），提出因為有 的重點而找出了 Photoelectrons的解答。
Photoelectrons進入發燒排行的影片
基於多重開口螺旋狹縫生成電漿子渦流之研究
為了解決Photoelectrons 的問題，作者林和陞 這樣論述：
本研究主要是探討多重開口螺旋狹縫生成電漿子渦流的電場振幅和相位分佈，當偏振光通過螺旋狹縫金屬結構時，會在金屬表面產生表面電漿震盪，而在缺陷耦合機制的作用下，會有部分的表面電漿發生輻射並且散射至空間中，這些被散射的電漿子本身攜帶的軌道角動量，會讓電漿子在空間中沿著中心處旋轉，由於中心處電場為零，因此形成環狀電場分佈以及相位不連續的特性。利用此現象，我們根據阿基米德螺線設計了多重開口的狹縫，透過改變開口數量和拓樸電荷來得到不同型態的電漿子渦流，並觀察環狀電場振幅分佈以及相位奇點。 本文使用Meep模擬軟體研究，運算方法採用有限時域差分法對網格空間中電磁場進行計算。模擬結果顯示，電漿
子渦流型態會根據總軌道角動量變化，而總軌道角動量是由拓樸電荷和入射光的偏振態所決定，因此藉由改變開口數量、開口寬度和偏振型態就能夠實現對電漿子渦流的控制。其獨特的光學性質可以在空間通訊、光學鑷子、量子計算、光學量測、天文學等領域得到廣泛應用。
生長溫度對含碳TiO2納米線形貌和光催化性能的影響
為了解決Photoelectrons 的問題，作者Pangihutan Gultom 這樣論述：
通過化學氣相沉積（CVD）在四種不同的溫度（650、750、850、950°C）下合成含碳二氧化鈦（TiO2@carbon）。已進行高分辨率場發射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）以確定作為納米線的 TiO2@carbon 的形態。納米線的直徑估計為 85±1.3、61±0.6、379±3.1 和 856±3.3 nm，生長溫度分別為 650、750、850、950 °C。通過能量色散 X 射線光譜 (EDS) 研究的 TiO2@carbon 的化學成分為碳、鈦和氧。已經進行拉曼光譜來研究 TiO2@carbon 的振動模式。通過從C1s、Ti2p和O1s核心能級檢測到的X射線光電子能譜(XPS
)證實了碳、鈦和氧的存在，並在鹵素燈照射下進行了光催化試驗，研究了TiO2@的降解能力通過在亞甲藍 (MB) 分子中測試碳作為標準污染。根據計算，在 850°C 下生長的 TiO2@碳納米線，通過將 MB 分子減少至 36.5%，非常有效地降解 MB 分子。根據一級動力學方程，TiO2@carbon 的降解速率為 2.3x10-4 min-1。