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NOR mos的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦陳本源寫的 數位邏輯電路實習(第四版) 和澀谷道雄的 世界第一簡單CPU都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自全華圖書 和世茂所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 簡昭欣、鄭兆欽所指導 鍾昀晏的 二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用 （2021），提出NOR mos關鍵因素是什麼，來自於二維材料、二硫化鉬、二硫化鎢、二維電晶體、記憶體元件、邏輯閘。
而第二篇論文國立中央大學 電機工程學系 陳聿廣所指導 張維的 一個可靠的靜態隨機存取記憶體內運算結構: 設計指南與耐老化策略研究 （2021），提出因為有 靜態存取記憶體、記憶體內運算、正偏壓溫度不穩定性、抗老化方法、老化偵測方法的重點而找出了 NOR mos的解答。
數位邏輯電路實習(第四版)
為了解決NOR mos 的問題，作者陳本源 這樣論述：
本書著重創造力與解決問題之能力訓練，內容分數位IC、邏輯閘、正反器、計數器、解碼、多工器等十四章，每章並分目的、相關知識、實驗操作及問題等項，使學生經由實作來驗證原理，而達理論與實際的相互配合。 本書特色 1.本書著重創造力與解決問題能力的訓練。 2.實習中可能發生的問題與困難，本書則將原因予以分析，並提示讀者應如何解決。 3.本書適用於大學、科大電子、電機系二、三年級「數位邏輯電路實習」課程使用。
二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用
為了解決NOR mos 的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：
半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載
子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的
記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as
sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。
世界第一簡單CPU
為了解決NOR mos 的問題，作者澀谷道雄 這樣論述：
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一個可靠的靜態隨機存取記憶體內運算結構: 設計指南與耐老化策略研究
為了解決NOR mos 的問題，作者張維 這樣論述：
記憶體內運算 (In-memory computing, IMC) 能夠透過類比訊號的行為模式在記憶體內部直接做資料的處理，此方法提供了既快速又有效率的布林邏輯運算 (Boolean logic computation)。在眾多記憶體內運算架構中，有一種架構是以靜態隨機存取記憶體 (Static Random Access Memory, SRAM) 為基礎，其行為是使用觀察放電的幅度來實現不同的布林邏輯運算。從前述可得知，IMC的運算基本上是以類比的行為來進行，所以IMC對於電壓或是電流的變異是十分敏感，因此IC製程、電壓、溫度等變異 (PVT variation) 以及老化效應 (Agi
ng effects) 會對記憶體內部運算造成嚴重的影響，甚至是運算結果的正確性。因此，如何改善記憶體內部運算結果的正確性並延長系統的壽命就成為一個需要被解決的問題。在本篇論文中，我們主要針對正偏壓溫度不穩定性 (Positive Bias Temperature Instability, PBTI) 老化效應對記憶體內部運算所造成的影響。在觀察不同數量的列對於記憶體內部運算架構的不同效果之後，我們提出了建構基於SRAM的記憶體內部運算架構設計指南以及抗老化效應的方法。其中包含使用Supplemental Transistors (ST)以及透過調節RWL寬度來改善受到PBTI效應的8T SR
AM的IMC架構的方法，此耐老化方法也適用於其他同類型的SRAM IMC架構。另外，為了得知記憶體內部的健康狀況，我們提出了一個自我檢測的方法，可得知記憶體內部各列的老化嚴重程度，配合提出的抗老化方法，達到延長系統壽命的目標。本論文的實驗結果顯示我們所提出的方法對於不同列的IMC架構皆可行，並能使得系統的壽命有明顯的延長。