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LFA x的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦林要寫的 Pepper開發者從0到1的創新工作法:重要的不是才能,而是練習!我在Toyota和SoftBank突破組織框架的22個關鍵 和FunHouse師資團隊的 我的第一本跑車博士小百科NEW(內附1本小百科+5款迴力車模型+1個貼心收納袋)都 可以從中找到所需的評價。

這兩本書分別來自時報出版 和双美生活文創所出版 。

國立陽明交通大學 材料科學與工程學系奈米科技碩博士班 吳欣潔所指導 何孟圜的 以相圖工程優化銀、銦、銅共摻雜硒化錫之熱電性質 (2021),提出LFA x關鍵因素是什麼,來自於熱電材料、SnSe、In-Sn-Se三元相圖、布氏長晶法、濺鍍。

而第二篇論文國立臺灣師範大學 物理學系 林豐利、雷曼所指導 易山達的 微結構協同機制對一碲化鍺 (GeTe)複合材料熱電表現的影響效應 (2021),提出因為有 的重點而找出了 LFA x的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了LFA x,大家也想知道這些:

Pepper開發者從0到1的創新工作法:重要的不是才能,而是練習!我在Toyota和SoftBank突破組織框架的22個關鍵

為了解決LFA x的問題,作者林要 這樣論述:

「從0到1」的創新能力,不只是創業家或研究者的專利 而是每一個上班族都能學會的藍海策略!   重要的不是「才能」,而是「練習」 能否一次又一次地練習跨出框架,將決定從0到1的成敗!   Pepper開發者/機器人新創公司「GROOVE X」創辦人兼CEO 真正的「從0到1」實踐者 ————林 要Hayashi Kaname———— 揭開在組織內成功創新的22個關鍵 善用組織資源.集結團隊力量 每個人都有實現從「0」到「1」的天賦!   ◤從0到1,是上班族的藍海策略◢   ●「效率」是危險的詞彙! ●越多「不滿」的人,越適合創新 ●「半吊子

的專家」是最麻煩的存在 ●在「非日常經驗」中發現從0到1的點子 ●「限制條件」是創意的泉源 ●設定的「終點」,決定從0到1的成敗 ●「故事」是從0到1的原動力 ●「預測力」是從0到1的武器 ●在「有計畫」與「無計畫」之間前進 ●不能忍受失敗,就無法成功   「如何成為被看見、被賦予機會的人?」 「如何善用組織資源、獲得相關部門的支持?」 「在從0到1這種沒有前例可循的計畫中,如何有效率地執行、管理進度?」   Pepper開發者林要,在書中分享他先後在Toyota和SoftBank實現創新的真實經歷, 從開發到管理,整理出22個創新的關鍵

,回應上班族和組織真正面臨的問題。 他更要打破迷思,創新不是專屬於創業家或研究者, 也不是天才才有的天賦,而是人類的本能欲望與工作動力,每個人都做得到!   關於本書作者林要Hayashi Kaname/   ▍曾參與Toyota第一款超跑Lexus LFA的研發 ▍被指派為Toyota F1工程師,屢次幫助團隊獲勝 ▍在孫正義的延攬下,進入SoftBank,開發商用機器人Pepper  ▍現在,他成立機器人新創公司GROOVE X,積極開發能療癒人心的家用機器人   無論是在豐田汽車,還是在軟體銀行,我都曾經在組織法則的夾縫中不知所措,不知道為此被罵

了多少次。我也經歷過數不清的失敗,但唯有一件事我可以抬頭挺胸地說:「即便如此,我還是會持續挑戰從0到1。」我認為,這就是實現從0到1的唯一方法!────林要   ● 各界推薦   讀這本書,相見恨晚。林要寫出了我們這一群在企業內創新者應有的心態和挑戰,相信可以給許多在企業科層組織架構裡努力創新的朋友一些實用的教戰守則。──周碩倫/奇果創新管理顧問公司首席顧問   失敗和成功,永遠都是一路同行。這本書從日本的視角,以及大企業的視角闡述創新,又出自全球爆紅的Pepper 之父之手,非常值得一讀。──程世嘉/愛卡拉執行長   從0到1不是現有工作的延伸,而是一種量子化的

跳躍,所以更顯得本書值得借鏡的價值。林要用輕鬆但深刻的方式表達他學到的教訓與心得,我們就像在聆聽一個真實又有趣的故事,並且從他的經驗中獲得巨大的能量與啟示。──楊千/交通大學經營管理研究所教授   邱奕嘉 政治大學EMBA執行長 周碩倫 奇果創新管理顧問公司首席顧問/兩岸知名創新教練/講師 吳靜吉 政治大學創造力講座主持人.名譽教授/中山大學榮譽講座教授 程世嘉 愛卡拉執行長 楊 千 交通大學經營管理研究所教授.EMBA榮譽執行長 ──────一致好評!  

LFA x進入發燒排行的影片

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以相圖工程優化銀、銦、銅共摻雜硒化錫之熱電性質

為了解決LFA x的問題,作者何孟圜 這樣論述:

熱電材料在熱電致冷與廢熱回收中有巨大的發展潛力,而熱電材料的轉換效率可由熱電優值(zT)判斷,根據公式zT = (S2σ/κ)T可算出合金之熱電優值,其中σ及S與電性有關,分別為電導係數與賽貝克係數,而κ是熱傳導係數。而SnSe為中溫型熱電材料,其晶體結構為斜方晶且具有異向性,在b軸與c軸方向具有較佳之電性,故在該方向具有較佳之熱電表現。根據以往文獻,不同製程會影響其熱電性質,其中又以長晶法所製作出的SnSe晶體具有最佳的熱電表現,熱電優值在923 K時能達到約2.62,顯示出SnSe本身具有良好的熱電發展潛力。因此本研究冀能透過摻雜,改善SnSe在低溫區間的熱電性質,使其在中低溫區亦具有熱

電發展潛力。本研究主要可分為三個部分: (一) 以布氏長晶法合成SnSe 單晶,及In、Cu摻雜之SnSe熱電合金;(二) 搭配實驗所建構之In-Sn-Se、Cu-Sn-Se之三元熱力學相圖資訊,輔助確認微量摻雜SnSe熱電合金之最佳組成區間,其中以合金Cu0.0025Sn0.9975Se具有最高的熱電優值,在室溫下較未摻雜之SnSe高出200 %,達到0.16,此結果有助於改善SnSe在低溫區間之熱電應用;(三) 進一步探討SnSe之異向性,並作為發展SnSe薄膜熱電材料之基石,本研究以In或Cu摻雜之SnSe晶體作為基材 (matrix),在其表面濺鍍 (sputtering) Ag鍍層,

藉以觀察Ag/(In, Cu)-SnSe於電流輔助/觸發燒結 (electric current assisted/activated sintering)下之相互擴散反應,研究結果顯示,在In0.002Sn0.998Se及(Cu2Se)0.01(SnSe)0.99的合金組成中,其熱電性質會在Ag濺鍍及電流輔助後提升,可作為提升SnSe於低溫區熱電性質之方法。關鍵字:熱電材料、SnSe、In-Sn-Se三元相圖、布氏長晶法、濺鍍

我的第一本跑車博士小百科NEW(內附1本小百科+5款迴力車模型+1個貼心收納袋)

為了解決LFA x的問題,作者FunHouse師資團隊 這樣論述:

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微結構協同機制對一碲化鍺 (GeTe)複合材料熱電表現的影響效應

為了解決LFA x的問題,作者易山達 這樣論述:

Germanium Telluride (GeTe) has been extensively investigated among the lead-free thermoelectric (TE) materials for its high thermoelectric performance (ZT) in mid-temperature; however, high p-type carrier density (∼10^21 cm-3) weakens its suitability for higher ZT's. To strengthen the thermoelectri

c properties of nature-friendly GeTe, we utilized Molybdenum (Mo), a widely used transition element, for further study and confirmed its role in enhancing GeTe's TE properties. The density functional theory (DFT) calculations and TE transport properties experiments were performed to study the influe

nce of Mo doping on the Ge site of the GeTe system. DFT computations predict the additional dopant/impurity states induced by Mo-doping. Mo doping sharply decreased the carrier concentration, e.g., from 8.28×10^20 cm-3 (pristine GeTe) to 5.24×10^20 cm-3 for Ge0.97Mo0.03Te with a slight increase in t

he Seebeck at room temperature. The simultaneous reduction in thermal conductivity is correlated with optimized carrier concentration, multi-scale lattice deformation, verified by extensive microstructural studies, emphasized by microcrystalline rods (MCRs), high-density planar defects, nano straine

d domains, strained stacking faults, point defects, herringbone, strengthening all-frequency phonon scattering.Moreover, co-doping of Sb/Bi with Mo at the Ge sites primarily decreases the carrier concentration (n) and thermal conductivity (κ) to achieve a higher ZT. The co-doping of Sb/Bi demonstrat

ed a prominent role with a maximum ZT of ∼ 2.14 and ∼ 2.3 at 673 K for the samples of Ge0.89Mo0.01Sb0.1Te and Ge0.89Mo0.01Bi0.1Te, respectively. This work reports one of the highest TE performances among the transition metal co-doping in the mid-temperature range. The synergistic performance with an

ultralow thermal conductivity has been achieved primarily due to microcrystalline-assisted grain boundary formations, a possible pathway for reducing the thermal conductivity. Different scattering centers in Mo doped GeTe systems, which helps the reduction in κlat, and overall thermal conductivity

reached an ultralow, owing to a highly disordered network formation to hinder the phonon transport.