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利用模糊層級分析法 探討半導體產業品牌影響因素之分析

為了解決Goto webinar的問題，作者范志旻 這樣論述：

隨著時間的流逝，半導體創新正在發生變化，可以適用於不同的創新業務，半導體業務的發展至關重要，因而開闢了許多新的職位。半導體業務是一個融合了不同創新能力並協調上游，中途和下游提供商的專業能力的行業，並且通常具有較高的進入壁壘 。廠家已投入花費很多精力與成本進入這個行業，期盼永續經營與回饋利害關係人。本研究第一步採用PEST, 五力 & SWOT分析，在美國，日本和臺灣，這些是國際半導體供應商鏈中的關鍵成員。經過最新半導體有關文獻的討論和分析，發現現有廠商已經建立了行業品牌，並獲得了用戶的信任。因此，品牌研究在這個行業是大家一直在探索的領域。考慮到寫作對話和大師談話，本研究使用分析層次結構(A

HP)研究技術對品牌的關鍵指針在半導體品牌的關鍵部件上進行重要性的排序，然後利用模糊層次分析法(FAHP)來分析這些標記之間的聯繫。經調查，有11項顯著結果可供參考，關鍵是要在半導體品牌建設上取得優異的成績，“客戶價值”和“品牌資產”都必須達到一定的水平。本研究發現，半導體品牌策略應以“客戶價值”為核心，解決客戶問題，創造卓越價值，並隨著技術的進步不斷投入新產品的研發，以奠定半導體品牌長期成功的基礎。

應用於V頻段收發機毫米波射頻晶片研製

為了解決Goto webinar的問題，作者柯博喻 這樣論述：

由於無線通訊系統發展進步，射頻研究的進步頻段的操作進入毫米波提升通訊傳輸的速度。本論文的研究目標是以V-Band 做為研究的主軸，針對低損耗傳輸設計來完成V-Band 被動電路與主動電路應用在收發器系統。本研究區分為三大部份。首先利用GaAs基板來設計低損耗傳輸線，透過改善式缺陷共平面波導方式完成四種不同結構的傳輸線，以及由過去文獻提出緊凑型微帶線諧振單元(CMRC)分別完成不同型式的V-Band帶通濾波器。第二部份分別完成V-Band 射頻主動電路分別包含低雜訊放大器，升頻混頻器，降頻混頻器，壓控振盪器，最後的功率放大器，以上主動電路透過GaAs 150-nm技術完成。最後針對系統接收機前

段電路完成工作在55-64 GHz 以及提供本地振盪訊號的注入鎖頻倍頻器工作在77.34-80.32 GHz，以上電路是透過 CMOS 90-nm完成。研究方向分為三大部份分別細分為八個章節如下:第一部份完成高性能低損耗GaAs V-Band帶通濾波器，使用慢波型式的共平面波導傳輸線和緊凑型微帶線諧振單元。慢波共平面波導傳輸線具有微小化並減低傳輸損耗。由於有強的慢波效應，在慢波的共平面波導縱向長度縮短與傳統型式的共平面波導在等電性長度相較之下有幅度的改善。利用慢波形式共平面波導傳輸線透過缺陷接地結構(DGS)的技巧。利用緊凑型微帶線諧振單元(CMRC)完成帶通濾波器具有微小化並有低的損耗。利用

這些觀念提出新穎的緊凑型微帶線諧振單元(CMRC)配合開路環(open loop)完成帶通濾波器，並可以利用緊凑型微帶線諧振單元(CMRC)來控制傳輸零點在60GHz。第二部份完成高性能GaAs 150-nm的V-Band收發器電路，主要包括低雜訊放大器，升頻混頻器，降頻混頻器，壓控振盪器，功率放大器。本計畫提出的低雜訊放大器雜訊指數為6.21dB，增益在66 GHz有最高的值17.3dB。此外，該放大器的非線性特性透過三階截取(IIP3)點是大於-0.5dBm，整體功率消耗為75mW。降頻混頻器設計最大轉換增益從5.17到1.41dB RF的頻率在53GHz到60GHz，P1dB為-9.5

dBm 在LO 輸入的功率為-7dBm，隔離度分別RF-LO 與 LO-RF 分別都大於25dB。在升頻混頻器設計設計在低LO功率升頻頻段從54GHz到66GHz LO功率工作在0到2 dBm 轉換增益為-6.4 dB，隔離度分別為2LO-RF分別平均為25dB，IF輸入的功率為-15dBm。在壓控振盪器研究分別討論使用慢波形式的共振腔與傳統形式的壓控振盪器，比較兩電路的相位雜訊分別中心頻率位移1MHz使用慢波型式的壓控振盪器為-104.5dBc/Hz，無使用慢波型式的壓控器為-96.5dBc/Hz可調頻率範圍分別為53.2 GHz到 57.1 GHz傳統的共振腔，53.2 GHz到 55.4

GHz為使用慢波型式的共振腔。在功率放大器設計利用輸入輸出巴倫完成推挽式來達到高的輸出功率，小訊號增益為16.8 dB在58 GHz 3dB頻寬為55-62 GHz 最佳的功率附加效率為13.8%。最後利用CMOS 90-nm技術完成系統電路。提出一個接收器前端電路分別包含混頻器與壓控振盪器，從56 GHz 到64 GHz的工作，透過量測整體具有3.4 dB轉換增益，輸出P1dB 為-12.4dBm，整體電路功率消耗為17.9mw，整體電路面積為0.64mm2 不包含量測PAD。接下來針對本地壓控電路完成注入鎖頻三倍頻器，整體鎖頻頻寬為2.98 GHz由77.34到80.32GHz，鎖頻的狀

況下量測相位雜訊分別中心頻率位移1MHz為-83.24dBc/Hz，整體電路的功率消耗為6.52mW在直流電源偏壓為1.2V。