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中華大學 機械工程學系 陳精一所指導 陳富揚的 EMIB 封裝結構有限元素分析 （2016），提出EMIB 載板關鍵因素是什麼，來自於有限元素法、內埋中介層、EMIB封裝、錫球壽命、熱循環。
EMIB 封裝結構有限元素分析
為了解決EMIB 載板 的問題，作者陳富揚 這樣論述：
輕薄短小一直以來都是半導體產業的技術趨勢，使用中介層來進行內埋元件，是達成體積微小化、高效能的技術之一。使用埋入式中介層的技術，可降低封裝體積，縮短製作流程而降低成本。因為少了一層接點，也相對的降低接點可靠度失效的風險。載板及晶片有著密不可分的關係，近年來技術發展的進步，也使的內埋技術有著一定的發展空間，例如最早由英飛凌所開發的eWLB (Embedded Wafer-Level Ball Grid Array) 、欣興電子所提出的EIC (Embedded Interposer Carrier) 技術平台及近期由英特爾所發表的EMIB (Embedded Multi-Die Interco
nnect Bridge) ，而EMIB主要用於兩個或兩個以上的晶片連接，藉由內埋的中介層作為橋梁，傳遞到各晶片，也因為藉由內埋的技術，也使得結構輕薄，除此之外還有著不用TSV (Through-Silicon Via)的優勢，使得成本大幅降低。本研究即採用Intel所發表的EMIB結構來使用有限元素分析，藉由分析模擬的結果來探討該結構的可靠度。本文採用SAC405(Sn95.5%,Ag4.0%,Cu0.5%) 無鉛錫球，利用ANSYS有限元素分析軟體建立三維有限元素模型，來模擬EMIB封裝架構，為了簡化模擬的時間及複雜度，以四分之一對稱之全域模型進行安南熱循環測試 (TCT) -55 oC
/125 oC /60 min模擬。經過安南熱循環模擬後，模型EMIB之最大位移為1.021 m，最大應力為48.9977 MPa，最大塑性應變為0.010705，最大塑性功密度為14.1438，參考學者所推導出的公式估算錫球之疲勞壽命，其結果顯示EMIB模擬結構之壽命預估分別為晶片上之錫球壽命為634個循環，EMIM結構上之錫球壽命為309個循環，從結果可見此結構最脆弱的地方為EMIB結構上之錫球。