7z的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

DIY自創自己的中文輸入法

為了解決7z的問題，作者蘇勝宏 這樣論述：

DIY自創自己的中文輸入法 　　如果你不想自己編碼而想找一款簡單的輸入法，那麼你可以到筆者的網站（a-be.myweb.hinet.net）下載DIYime.7z檔案，或超連結到（a-be.myweb.hinet.net/DIYime.7z），體驗體驗筆者自行改良創造的【老蘇形音中文輸入法】。只要輸入三碼，輸入「頭尾一」三個碼就能打出一個漢字。即「倉頡的頭一碼」和「倉頡的最尾一碼」和「注音的第一碼」。如果不知道注音的第一碼就按「Ｚ」（「ㄈ」）鍵，不按「Ｚ」（「ㄈ」）鍵也可以。 　　為了讓讀者可以很快的自行編寫的輸入法，本書簡單示範只用數字就可以輸入中文的「無理頭輸入法」。讀者可以照著範

例練習編碼及輸入中文；也可以將自己已寫好的輸入法碼表複製貼在「無理頭輸入法」碼表上變成自己專屬的輸入法。 　　不管你是用何種中文輸入法，你都要有一個自己的字碼表。為什麼要擁用這個字碼表？第一：因為作業系統一直改，所以內建的中文輸入法也會跟著改。第二：有些字不常用、不會輸入，有了這個碼表就可以查碼了。  

7z進入發燒排行的影片

二硫化鉬及二硫化鎢傳輸特性及其電晶體之研究

為了解決7z的問題，作者陳品方 這樣論述：

本研究以蒙地卡羅法討論二硫化鉬以及二硫化鎢的傳輸特性，經模擬後得知二硫 化鉬及二硫化鎢的電子遷移率分別為171 cm2/V-s 及83 cm2/V-s。此外，能帶中，K 能谷以及Q 能谷間的能量差是影響材料傳輸特性的重要因素。但若將二維材料周圍以高介電係數材料包覆，遠程聲子散射將會成為最重要降低材料速度的因子。我們將討論完的材料特性帶入二維奈米片電晶體討論元件特性。材料、閘極長度、電極交疊區域、介電層以及電子摻雜將被討論。我們發現相較於二硫化鎢，二硫化鉬會是較好的通道材料。至於介電層，因三氧化二鋁較二氧化鉿有較低的遠程聲子散射，會是較好的介電層材料。電極交疊區域縮短以及摻雜能給電流帶來正面的

效應。至於閘極長度的選擇，則要在縮短閘極的好處以及閘極控制力下降間來選擇。在眾多的參數間進行優化後，我們設計出一電晶體，其閘極長度七奈米，電極交疊區域一奈米，介電層為等效氧化層厚度0.8 奈米之氧化鋁以及電子摻雜為4×1013 cm-2。此電晶體在操作電壓0.65伏以及截止電流為1×10-4 μA/μm 下，開路電流可達495 μA/μm，符合國際半導體技術發展藍圖於2022 年對電流之要求。此外，其亦展現出良好的閘極控制能力。