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國立交通大學 科技法律研究所 張兆恬所指導 吳家欣的 法人為憲法上隱私權主體之研究──論美國法及對我國法之啟示 (2017),提出7-11 etag小卡關鍵因素是什麼,來自於法人格、法人基本權利、法人隱私權、大規模監控、集體勞動權之隱私保障。

而第二篇論文國立中興大學 化學工程學系所 鄭文桐所指導 蕭書旻的 高導電感光性高分子複合薄膜製備暨其特性研究 (2016),提出因為有 高導電、感光性高分子、銀奈米粒子、複合薄膜、光微影的重點而找出了 7-11 etag小卡的解答。

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除了7-11 etag小卡,大家也想知道這些:

法人為憲法上隱私權主體之研究──論美國法及對我國法之啟示

為了解決7-11 etag小卡的問題,作者吳家欣 這樣論述:

  法人不僅是現代社會的重要成員,也是自然人參與社會生活不可或缺的管道。法人為憲法上基本權利主體,近來因美國聯邦最高法院分別在Citizens United v. Federal Election Commission案、Burwell v. Hobby Lobby Stores, Inc.案肯定法人政治性言論自由、宗教信仰自由,而再次掀起學界與實務界的關注。否定論者質疑承認法人基本權利,有過度擴張法人權利,法人與基本權利本質不符,甚至造成法人與自然人基本權利衝突的疑慮。肯定論者則支持法人在本質上即具有受基本權利保護的資格,或以保障自然人之基本權利為終極目的,賦予法人基本權利實有其必要性與正

當性。  為研究法人為憲法上隱私權主體,本文汲取美國法的啟示,於第二章論述法人作為基本權利主體的歷史進程,從本質論、目的論加以觀察。本質論與目的論的分析,雖有助於理解司法實務肯定法人人格的基本態度,但用於個別基本權利的分析,仍嫌不足。本文於第三章導入「法人權利理論」作為思考法人基本權利正當性與必要性之方法論,以「法人權利理論」重訪美國聯邦最高法院之判決。進而,本文於第四章從隱私權的發展沿革、社會整體性脈絡,考察並重新界定隱私權的意義與本質,將前一章的法人權利理論適用於憲法上的隱私權,以建構本文法人憲法上隱私權的體系。第五章則將法人憲法上隱私權落實於具體法律,分別以大規模監控、集體勞動權的隱私保

障為子題,提出法人憲法上隱私權的研究實益。最後於第六章提出本文的結論與對我國法的未來展望。賦予法人憲法上隱私權,並不是純粹擴張法人的權利,而是以「人」為終極保障的目標,完善更健全的人權保障體系。

高導電感光性高分子複合薄膜製備暨其特性研究

為了解決7-11 etag小卡的問題,作者蕭書旻 這樣論述:

電子產品逐漸走向輕薄化且多功能性發展,複雜及密集的電子線路使電磁波干擾(EMI)的問題越來越嚴重,其中導電貼膠膜被廣泛用於軟板上,以阻絕電磁波干擾,目前主要使用化學鍍在導電貼膠膜材上沉積導電金屬薄膜,化學鍍處理之流程繁瑣、費時,甚至會產生對環境造成汙染的廢水。因此,本研究使用原位(in-situ)合成法並藉由塗佈的方式,在絕緣體基材表層附著高導電複合薄膜。另外,為了可應用於被動式元件的製作,例如eTag、悠遊卡、門禁卡等,本文也探討高導電複合薄膜的微影製程。 感光性高分子溶液由聚乙二醇二丙烯酸酯(PEGDA)作為單體、50 % 1-羥基環己基苯基酮與50 % 二苯甲酮(50 % 1-h

ydroxycyclohexyl phenyl ketone and 50 % benzophenone)作為光起始劑、乙醇作為還原劑、?咯(pyrrole)作為有機電解質及硝酸銀(AgNO3)作為金屬前驅物所組成,藉由照射紫外光,將塗佈於玻璃基材上的感光性高分子溶液,進行光聚合並原位合成銀奈米粒子,後續經過燒結處理,合成高導電感光性高分子複合薄膜。將製備出之薄膜使用紫外光可見光光譜儀(UV-Vis)、場發射掃描式電子顯微鏡(FESEM)、X光能量散譜儀(EDS)及X光繞射分析儀(XRD),分別鑑定銀奈米粒子的生成、分佈情況、元素組成及晶體結構,且利用原子力顯微鏡(AFM)觀察表面形貌及低阻抗

分析儀的四點探針量測表面阻抗值。 另外,將感光性高分子溶液添加含有44~49 mgKOH/g酸價的酚醛環氧壓克力樹脂,形成複合光阻溶液,然後塗佈成膜且經軟烤再進行紫外光曝光,並經由KOH溶液顯影,最後硬烤得到線路圖案,利用光學顯微鏡(OM)量測其解析度。 從以上實驗結果,本研究獲得下列重要成果:(1) 成功利用原位合成法,使用紫外光能量提供光起始劑及乙醇產生自由基,促使PEGDA進行交聯反應及合成銀奈米粒子,形成含有銀奈米粒子的高分子複合薄膜,並由FTIR穿透圖譜中位於1633 cm-1的C=C特徵峰減弱,確認自由基聚合反應的進行,而在UV-Vis吸收圖譜中,於波長為430 nm

處出現表面電漿共振吸收峰,確定銀奈米粒子於高分子薄膜中生成。(2) 利用硝酸銀濃度為12.5 wt.%且以3 J/cm2的能量曝光,隨後進行250 °C燒結處理30 min,可產生連續性電子通路的高導電感光性高分子複合薄膜,其表面阻抗值為16.7±0.1 Ω/sq。(3) 硝酸銀濃度為12.5 wt.%的複合光阻溶液,塗佈成膜後先於90 °C下軟烤3 min再以3 J/cm2的能量曝光,硬烤前的膜厚為7.65 μm,固定KOH濃度為0.1 wt.%顯影30秒,最後經過250 °C硬烤30 min,由OM觀察得知線寬線距比為1.58。