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電鍍 濺鍍的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦柯賢文 寫的 表面與薄膜處理技術(第四版) 和田民波的 創新材料學都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自全華圖書 和五南所出版 。
國立陽明交通大學 工學院半導體材料與製程設備學程 陳智所指導 賴忠良的 鈦鎢蝕刻側蝕改善探討 （2021），提出電鍍 濺鍍關鍵因素是什麼，來自於蝕刻、凸塊、底切、蝕刻總量、掉凸塊。
而第二篇論文國立虎尾科技大學 材料科學與工程系材料科學與綠色能源工程碩士班 方昭訓所指導 廖泳棋的 電化學沉積Co(P)合金薄膜與自組裝單層整合 （2021），提出因為有 電化學沉積、鈷磷合金薄膜、自組裝單層、互連導線的重點而找出了 電鍍 濺鍍的解答。
表面與薄膜處理技術(第四版)
為了解決電鍍 濺鍍 的問題，作者柯賢文 這樣論述：
固體材料的表面問題既已發展成一非常多樣化的科技，很多出版的參考書籍以專題深入探討或以工具書出現，不易為初學者所接受，也不適宜當教材之用。因此作者就重要的問題分成十二章討論。這十二章的結構實際上可以看成五個部份，第一部份為基礎篇，這些都是乾式氣相表面處理最常面臨的技術。第二部份為氣相技術篇，乃常見的乾式氣相表面處理技術。第三部份為液相技術篇，亦即最傳統的表面處理技術，包括無極鍍、化成、取代及電鍍和電鑄，陽極處理實際上相等於電化學反應的化成作用。第四部份為薄膜篇，包括薄膜的成長及微結構、薄膜的特性及量測。第五部份為前瞻篇，它們已脫離常見表面技術的章節，其中有微機電系統、奈米技術及表面的物理
化學性質。本書適合大學、科大、技術學院機械工程、電機、電子材料、化學工程科系『薄膜技術』課程使用。 本書特色 1.固體材料的表面問題已發展成一非常多樣化的科技，本書內容以深入淺出的方式表達，使其成為最適宜的教材。 2.作者就重要問題分成十二章討論，共分為五大部分為；基礎篇、氣相技術篇、液相技術篇、薄膜篇與前瞻篇，內容精選，整理完善。 3.適合大學、科大、技術學院機械工程、電機、電子材料、化學工程科系『薄膜技術』課程使用。
鈦鎢蝕刻側蝕改善探討
為了解決電鍍 濺鍍 的問題，作者賴忠良 這樣論述：
隨著半導體科技不斷進步，液晶顯示器從過往黑白螢幕轉為彩色螢幕，解析度由512*342進展到了1024*768、4K、8K…，而其控制元件driver IC也同步微型化，在driver IC die表面積不變下，為能融入更多bump，於是bump size便加以縮小，Bump size縮小後，Bump底部的側蝕刻未改變，導致於Die chip在切割時，縮小後的bump受高壓水柱沖刷，容易發生掉bump 狀況，因此bump與IC間的金屬界層底切問題，便被提出探討與改善。於是便針對現行bumping製程底切狀況進行分析，並由蝕刻製程溫度、蝕刻總量、高蝕刻速率與防側蝕刻藥液開發、增加金蝕刻製程、蝕刻
機台測試比較…等方向進行改善探討，由各項測試結果可知：1. 測試中發現當pH值上升時，蝕刻速率會加快，由化學反應式可以知道，H2O2反應後藥液會逐漸酸化（產生H+離子），所以當pH值升高時，會更加有利與產生的酸中和，去除反應生成物，進而提高反應速度。2. Spin etch機台有較強的Z軸流速，因此有助於正面化學反應生成物的帶離，使得正向有較快的蝕刻速率，因而得到較低的側向蝕刻量，主要原因為噴嘴正向噴吐時給了一個較強的Z軸流場。3. 降低蝕刻總量，對凸塊底部側蝕刻改善有正向效果，如果再搭配Spin蝕刻機台正向蝕刻力高於側向蝕刻力的流場特性，對於凸塊底部底切狀況有極佳之改善效果
。
創新材料學
為了解決電鍍 濺鍍 的問題，作者田民波 這樣論述：
《創新材料學》共分10章，每章涉及一個相對獨立的材料領域，自成體系，內容全面，系統完整。內容包括半導體積體電路材料、微電子封裝和封裝材料、平面顯示器相關材料、半導體固態照明及相關材料、化學電池及電池材料、光伏發電和太陽能電池材料、核能利用和核材料；能源、信號轉換及感測器材料、電磁相容—電磁遮罩及RFID 用材料、環境友好和環境材料，涉及最新技術的各個領域。本書所討論的既是新技術中所採用的新材料，也是新材料在新技術中的應用。
電化學沉積Co(P)合金薄膜與自組裝單層整合
為了解決電鍍 濺鍍 的問題，作者廖泳棋 這樣論述：
隨著半導體科技日新月異的持續進步，積體電路元件尺寸微縮，傳統銅金屬由於其高電子平均自由路徑，造成銅電阻率急遽上升，導致銅金屬在奈米化連導線使用中受到限制。鈷具有較低的電子平均自由路徑，並在奈米尺寸下具有跟銅金屬相近之電阻率，因此鈷在新型連導線製程中被認為具有相當的潛力取代傳統奈米級元件使用的銅金屬。本實驗使用電化學沉積製程沉積鈷及鈷磷薄膜，並整合自組裝單層改質應用於奈米級積體電路連導線製程。本論文研究以NiSi底層及經過自組裝單層(SAM)改質之NiSi底層作為本研究之基板，以電化學沉積法製備Co及Co(P)薄膜，以研究不同基板所沉積之Co及Co(P)薄膜的性能。實驗藉由改變Co溶液種類和沉
積電位來獲得最佳的沉積參數與薄膜特性。分析以四點探針量測電阻、掃描式電子顯微鏡觀察表面形貌及薄膜厚度、X光繞射分析儀進行結構分析、感應耦合電漿質譜儀對成份做定量分析、X光電子能譜儀分析元素鍵結、拉曼光譜儀分析晶格的振動模式。由實驗得知，NiSi基板上以-1.5 V的沉積電位，並以氯化鈷溶液沉積之鈷薄膜具有最低電阻率為11.11 µΩ-cm。沉積Co(P)最好之參數為以-1.5 V 所沉積之薄膜，同樣以氯化鈷作為沉積溶液可獲得最低電阻率為61.97 µΩ-cm；SAM基板上以-1.9 V所沉積之鈷薄膜，並以氯化鈷所沉積來達到最佳薄膜電阻，電阻率為123.2 µΩ-cm。Co(P)薄膜最好參數為以
-1.9 V所沉積之合金薄膜，沉積溶液以硫酸鈷所得Co(P) 薄膜，最低電阻率為498.3 µΩ-cm。結果顯示Co(P)合金薄膜在NiSi基板上沉積具有應用於下世代連導線之應用潛力。