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音波療癒：人體能量場調諧法

為了解決電流速度的問題，作者艾琳．黛．麥庫希克 這樣論述：

　　～以音波療癒情緒、記憶、疾病和創傷～ 　　★音療領域及能量醫學長暢鉅作 　　★美國亞馬遜4.7星，2000多則至高好評，暢銷改訂第二版！ 　　現代科學終於認識到身體藍圖是能量構成的。 　　而聲音的能量振動，可用於改變身體藍圖、提升身心健康平衡。 　　這個發現對藝術及科學而言是一次開創性的突破， 　　更重要的是，它提供了新的療癒途徑。 　　人類的「生物場」會紀錄從妊娠期開始迄今的痛苦、壓力和創傷。 　　作者艾琳．黛．麥庫希克發現透過音叉，可聽出個案的生物場所受的干擾，且找出其位置。 　　這些干擾通常與個案一生所經歷的情感和身體創傷有關； 　　而將音叉伸入生物場中的這些

區域，不但會改正聽到的扭曲振動聲， 　　而且還可以——有時候是立即——緩解個案的疼痛、焦慮、失眠、偏頭痛、抑鬱、纖維肌痛、消化系統疾病和多種其他不適。 　　經過科學及生物驗證，近二十年後的現在， 　　麥庫希克完整開發出「聲音平衡法」的音波治療法， 　　並製作生物場地圖，精確揭諸累積情緒、記憶、疾病和創傷的位置。 　　《音波療癒：人體能量場調諧法》用多幅生物場解剖圖對聲音平衡治療法做了完整解說。 　　解釋以音叉尋找並清除生物場中疼痛和創傷的方法， 　　也揭示了傳統脈輪的原理及位置，與生物場直接對應的情形。 　　麥庫希克檢視科學上對於聲音和能量的研究，藉以探索聲音平衡法背後的科學， 　　並且

解釋創傷經驗在生物場中產生「病態振盪」， 　　導致身體秩序、結構、功能崩潰的過程， 　　對於思想、記憶和創傷提出了的革命性的觀點， 　　為能量工作者、按摩治療師、聲音治療師以及想要克服慢性疾病， 　　釋放過去創傷的人提供全新的治療途徑。 本書特色 　　◎檢視聲音和能量的科學研究，藉以探索聲音平衡法作用的原理。 　　◎透過音叉，找尋生物場所受的干擾，揭諸累積情緒、記憶、疾病和創傷的位置。 　　◎非侵入性溫和緩解疼痛、焦慮、失眠、偏頭痛等身心問題，開創全新治療途徑。 專業推薦 　　◎缽樂多聲波能量療癒工作室／劉昱承(Kevin) 　　◎知己琴床聲動所／范晴雯

電流速度進入發燒排行的影片

以噴霧乾燥法製備Si/Graphite複合陽極材料及其電性分析

為了解決電流速度的問題，作者陳映如 這樣論述：

明志科技大學碩士學位論文口試委員審定書 i誌謝 ii摘要 iiiAbstract iv目錄 vi圖目錄 x表目錄 xvii第一章 緒論 11.1 前言 11.2 研究動機 2第二章 文獻回顧 32.1 二次電池簡介 32.2 鋰離子二次電池的基本概念 42.2.1 陰極材料 (Cathode materials) 52.2.2 陽極材料 (Anode materials) 72.2.3 電解液 (Electrolyte) 92.2.4 隔離膜 (Separator) 112.3 碳/矽複合陽極介紹 122.3.1 矽基材料之介紹 12

2.3.2 鋰離子嵌入碳材的充/放電原理及矽的儲存機理 132.4 碳/矽複合陽極材料製備方式 142.4.1 固相摻混法 (Solid-state blending method) 142.4.2 靜電自組裝法 (Electrostatic self-assembly method) 202.4.3 氣相沉積法 (Chemical vapor deposition) 252.4.4 噴霧乾燥法 (Spray drying method) 322.5 陽極材料改良方式 382.5.1 尺寸控制 392.5.2 表面包覆 432.5.3 活性/非活性合金

482.5.4 結構設計 522.5.5 複合材料 56第三章 實驗方法 603.1 實驗藥品與儀器 603.1.1 實驗藥品 603.1.2 實驗儀器與設備 623.2 矽碳複合陽極材料製備 643.2.1 靜電自組裝法製備矽石墨複合陽極材料 (bare-Si/G)之步驟 643.2.2 以噴霧乾燥法製備矽石墨複合陽極材料(SD-Si/G)之步驟 663.3 材料之物/化性分析 683.3.1 晶相結構分析 (X射線繞射分析） 693.3.2 材料碳層分析 (顯微拉曼光譜分析) 703.3.3 碳含量分析 (元素分析儀) 713.3.4 官

能基分析 (傅立葉轉換紅外光譜分析) 723.3.5 表面形態與元素組成分析 (掃描式電子顯微鏡分析) 733.3.6 晶體微觀結構分析 (穿透式電子顯微鏡) 753.3.7 比表面積分析 (比表面積與孔徑分析儀) 763.3.8 材料之電化學性質分析 77第四章 結果與討論 834.1 複合材料之物化性分析 834.1.1 複合材料之晶相結構分析 (XRD) 834.1.2 複合材料之顯微拉曼光譜分析 (Raman) 854.1.3 複合材料之表面官能基分析 (FT-IR) 874.1.4 複合材料之表面形貌分析 (SEM)與元素分析 (EDS) 89

4.1.5 複合材料之微觀結構分析 (HR-TEM) 964.1.6 複合材料之粒徑大小分析 (DLS) 1004.1.7 複合材料之表面電位分析 (Zeta Potential) 1064.1.8 複合材料之比表面積分析 (BET) 1094.1.9 複合材料之殘碳量分析 (EA) 1124.2 電化學性能分析 1134.2.1 低電流速率充/放電分析 1134.2.2 高電流速率充/放電分析 1164.2.3 循環穩定性分析 1214.2.4 交流阻抗測試及鋰離子擴散係數分析 1314.2.5 電化學之循環伏安分析 1384.2.6 差分容量分

析 1414.2.7 原位膨脹分析 144第五章 結論 151參考文獻 152 圖目錄圖 1、(a). 為充電過程、(b). 為放電過程中鋰離子二次電池的工作原理示意圖 4圖 2、陰極晶體結構圖: (a). 橄欖石結構、(b). 層狀結構、(c). 尖晶石結構 5圖 3、合金型、轉化合金型、轉化型及插層型等不同陽極材料特性比較 7圖 4、失效機理: (a). 顆粒粉碎；(b). 電極塌陷；(c). SEI層連續生成 12圖 5、a-Si@SiOx/C複合材料在充放電速率為 (a). 100 mA g-1及 (b). 500 mA g-1時的充/放電循環性能 16圖 6、1-

BM樣品的 (a1). SEM、(a2). TEM和(a3). SAED圖像；2-BM樣品的；(b1). SEM、(b2). TEM和(b3). SAED圖像 17圖 7、(d). 1-BM和(f). 2-BM在0.2C時的放電/充電曲線圖 18圖 8、1-BM和2-BM樣品在 (e). 不同電流速度下的電化學性能；(g). 0.2C下的循環壽命圖 19圖 9、自組裝法製備多孔石墨/矽/碳複合材料之製程示意圖 20圖 10、多孔石墨/矽/碳的(a). 循環伏安圖；(b). 電流速度為50 mA g−1的第1、5、10、20次之充/放電曲線圖；(c). 循環壽命圖；(d). 不同速率性能

圖 21圖 11、RH-Nano Si@C/CNT的(a-c). SEM圖、(d、e). TEM圖及(f).HR-TEM圖和其相對應的選區電子繞射圖 22圖 12、RH-Nano Si@C/CNT的倍率性能表現分析圖 23圖 13、RH-Nano Si@C/CNT的長期充/放電循環壽命圖 24圖 14、微波等離子體CVD反應器裝置示意圖 25圖 15、微波功率為0.4、1 kW時，不同CVD時間與矽含量的關係圖 26圖 16、充/放電速率為C/20時，首次循環的可逆/不可逆克電容量與矽含量之間的關係比較圖 27圖 17、在2 C高速率充/放電時，碳矽複合材料的循環壽命圖 28圖

18、Si NP-C電極的拉曼光譜分析圖 29圖 19、在不同放大倍數下，碳片上Si NP沉積的形態圖 30圖 20、在0.1 A g-1速率下，Si NP (0.5 mg cm-2)克電容量維持率、庫侖效率及使用相同的測量程序循環的碳基板的克電容量維持率圖 30圖 21、不同質量負載的Si NP-C電極在0.8 A g-1速率時的循環壽命圖 31圖 22、不同質量負載的Si NP電極的倍率能力分析圖 31圖 23、噴霧乾燥製程示意圖 33圖 24、球型Si/C複合材料的 (f)-(g). SEM圖；(h). FIB分析的切面圖 33圖 25、Si/C陽極的 (a). 首次充/

放電曲線圖；(b). 長期循環壽命圖 34圖 26、不同速率下的充放電曲線圖 (黑色為無3D導電網絡的Si/C陽極，紅色為具有3D導電框架的Si/C陽極) 34圖 27、(a). 矽原料、(b). 天然石墨和(c-d). 石墨/矽-多孔碳複合材料的SEM圖像；(e). 石墨/矽-多孔碳複合材料的橫切面SEM圖像 36圖 28、石墨/矽-多孔碳複合材料的氮吸-脫附曲線圖 37圖 29、石墨/矽-多孔碳複合材料和天然石墨(插圖)的循環伏安圖 37圖 30、天然石墨與石墨/矽-多孔碳複合材料的循環性能及庫倫效率圖 38圖 31、微米級/奈米級MG-Si粉的製備流程圖 39圖 32、(a

). 微米級矽電極、(b). 奈米級矽電極在速率C/24時的前兩次充/放電曲線變化圖 40圖 33、微米級和奈米級矽電極於C/6速率下的循環壽命比較圖 41圖 34、SEM圖像：(a). 循環前、(b). 循環後的微米級矽電極(c). 循環前、(d). 循環後的奈米級矽電極 42圖 35、Si/G/C複合材料的製備流程圖 43圖 36、矽、MCMB和Si/G/C複合物的拉曼光譜圖 44圖 37、Si/G/C複合材料的TEM圖像: (d). 全尺寸；(e). 部分放大圖、(插圖為SAED圖像)；(f). 邊界部分的HRTEM圖 45圖 38、不同矽比例之Si/G/C複合材料在前三個循

環中的充/放電曲線圖: (a). 10 wt.%；(b). 20 wt.%；(c). 30 wt.%；(d). 40 wt.% 46圖 39、在第二循環的鋰化狀態下Si/G/C複合材料的AC曲線圖 46圖 40、速率為0.2 C時，Si/G/C複合材料之放電克電容量與庫侖效率圖 47圖 41、嵌入Cu3Si的3D PoSi的合成流程圖 48圖 42、(a)–(c). 嵌入Cu3Si的3D PoSi之不同倍率的FESEM圖像；(d). EDS元素映射圖；(e). 氮吸附和解吸等溫線圖；(f). 相應孔徑分佈圖 49圖 43、(a)-(c). 嵌入Cu3Si的3D PoSi之不同放大倍率

的TEM圖像和(d). HRTEM圖像 50圖 44、嵌入Cu3Si-3D PoSi電極的(a). CV曲線；(b). 電流速度為0.4 A g-1時的循環性能；(c). 不同電流速度下的倍率性能；(d). AC 51圖 45、卵黃殼多孔矽@碳之合成設計示意圖 52圖 46、p-SiNPs@HC之XRD分析圖 53圖 47、p-SiNPs@HC之 (a). TEM圖像；(b). HRTEM模式；(c). SAED圖；(d). 高角度環形暗場掃描透射電子顯微鏡成像圖像 54圖 48、(a). p-SiNPs@ HC-1電極的CV曲線圖；(b). 各材料電極的第一循環充/放電曲線圖；(c

). 電流速度為200 mA g–1時各材料的循環壽命圖；(d). 各材料在不同電流密度時的倍率性能 55圖 49、(a). 各材料的奈奎斯特 (EIS)曲線圖；(b). p-SiNPs @ HC-1的EIS曲線在循環過程中的演變 56圖 50、SiGC複合材料的製備合成過程示意圖 57圖 51、球磨Si、石墨、SiG及SiGC的拉曼光譜分析圖 57圖 52、球磨Si、SiG及SiGC樣品於不同速率下之電性比較圖 58圖 53、在電流速度為0.5 A g -1下 (c). SiGC充/放電300次循環的循環壽命比較圖；(d). 球磨Si、SiG及SiGC的容量保持率圖 59圖 54

、靜電自組裝流程示意圖 65圖 55、噴霧乾燥法製備矽石墨複合陽極材料 67圖 56、矽石墨複合材料之物/化性檢測項目流程圖 69圖 57、X光繞射分析儀 (BRUKER D2 Phaser)硬體設備圖 70圖 58、顯微拉曼光譜儀 (Confocal Micro-Renishaw)硬體設備圖 71圖 59、元素分析儀 (Thermo Flash 2000)硬體設備圖 72圖 60、傅立葉紅外光光譜儀 (Spectrum 100)硬體設備圖 73圖 61、熱場發射掃描式電子顯微鏡 (JEOL JSM-IT700HR)硬體設備圖 75圖 62、穿透式電子顯微鏡 (HR-TEM)硬

體設備圖 76圖 63、比表面積與孔徑分析儀 (Micromeritics, Gemini VII)硬體設備圖 77圖 64、CR2032鈕扣型半電池之封裝示意圖 79圖 65、佳優 (BAT-750B)充/放電測試儀圖 80圖 66、等效電路示意圖 81圖 67、恆電位電池測試儀 (Metrohm Autolab PGST AT302N)圖 82圖 68、電化學膨脹儀 (Electrochemical dilatometer)結構示意圖 83圖 69、Emax-KS6、Si與矽石墨複合陽極材料的XRD比較圖 85圖 70、NG及矽石墨複合陽極材料之顯微拉曼光譜圖 87圖 7

1、NG、PDDA-Si及各複合陽極材料之FT-IR圖譜 89圖 72、bare-Si/G複合材料之FE-SEM分析圖 91圖 73、SD1-Si/G複合材料之FE-SEM分析圖 91圖 74、SD2-Si/G複合材料之FE-SEM分析圖 92圖 75、bare-Si/G複合材料的EDS分析光譜圖 94圖 76、bare-Si/G複合材料的EDS元素Mapping分佈圖 94圖 77、SD1-Si/G複合材料的EDS分析光譜圖 95圖 78、SD1-Si/G複合材料的EDS元素Mapping分佈圖 95圖 79、SD2-Si/G複合材料的EDS分析光譜圖 96圖 80、SD2

-Si/G複合材料的EDS元素Mapping分佈圖 96圖 81、NG樣品之TEM分析圖 98圖 82、bare-Si/G複合陽極材料之TEM分析圖 99圖 83、SD1-Si/G複合陽極材料之TEM分析圖 100圖 84、SD2-Si/G複合陽極材料之TEM分析圖 100圖 85、NG之雷射粒徑分析圖 102圖 86、bare-Si/G之雷射粒徑分析圖 103圖 87、SD1-Si/G之雷射粒徑分析圖 104圖 88、SD2-Si/G之雷射粒徑分析圖 105圖 89、NG之Zeta表面電位檢測結果圖 107圖 90、PDDA-Si之Zeta表面電位檢測結果圖 108圖

91、bare-Si/G複合陽極材料之比表面分析圖 110圖 92、SD1-Si/G複合陽極材料之比表面分析圖 110圖 93、SD2-Si/G複合陽極材料之比表面分析圖 111圖 94、各種不同矽石墨複合陽極材料於100/100 mA g-1充/放電速率下之活化電性比較圖 114圖 95、各種不同矽石墨複合陽極材料於100 mA g-1相同速率下之首次充/放電曲線 115圖 96、各材料於不同充/放電速率下之充/放電電性表現階梯圖 117圖 97、bare-Si/G樣品於100-800 mA g-1不同速率下之充/放電曲線圖 118圖 98、SD1-Si/G樣品於100-800

mA g-1不同速率下之充/放電曲線圖 119圖 99、SD2-Si/G樣品於100-800 mA g-1不同速率下之充/放電曲線圖 120圖 100、各材料在100/100 mA g-1速率下之充/放電循環壽命比較分析圖 122圖 101、bare-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能曲線圖 123圖 102、SD1-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能曲線圖 124圖 103、SD2-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能曲線圖 125圖 104、各材料在400/400 mA g-1速率下之充/放電循環壽命比較圖 126圖

105、bare-Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能曲線圖 127圖 106、SD1-Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能曲線圖 128圖 107、SD2-Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能曲線圖 129圖 108、在100/100 mA g-1速率下10次循環充/放電後，bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之EIS阻抗比較圖；插圖為放大區間在50Ω 131圖 109、在100/100 mA g-1速率下30次循環充/放電後，bare-Si/G、SD1

-Si/G及SD2-Si/G樣品之EIS阻抗比較圖；插圖為放大區間在50Ω 132圖 110、在400/400 mA g-1速率下經100次循環充/放電後，bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之EIS阻抗比較圖；插圖為放大區間在50Ω 133圖 111、在100/100 mA g-1速率下30次循環充/放電後bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之Z’ vs. 1/√ω 分析圖 135圖 112、在400/400 mA g-1速率下100次循環充/放電後bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之Z’ vs. 1/√ω 分析圖

136圖 113、各種不同矽石墨複合陽極材料之首次循環伏安比較圖 138圖 114、bare-Si/G複合陽極材料之循環伏安圖 138圖 115、SD1-Si/G複合陽極材料之循環伏安圖 139圖 116、SD2-Si/G複合陽極材料之循環伏安圖 139圖 117、經兩次循環充/放電後，各種自製矽石墨複合陽極材料之差分容量比較圖 140圖 118、bare-Si/G複合陽極材料之差分容量分析圖 141圖 119、SD1-Si/G複合陽極材料之差分容量分析圖 141圖 120、SD2-Si/G複合陽極材料之差分容量分析圖 142圖 122、矽石墨複合電極之電壓-時間變化曲線比較圖

145圖 123、矽石墨複合電極之厚度-時間變化曲線比較圖 145圖 124、bare-Si/G複合電極前五次循環之相對厚度變化與電壓分佈曲線 146圖 125、SD1-Si/G複合電極前五次循環之相對厚度變化與電壓分佈曲線 147圖 126、SD2-Si/G複合電極前五次循環之相對厚度變化與電壓分佈曲線 148表目錄表 1、常見二次電池之特性比較 3表 2、各種不同結構陰極材料之特性比較 6表 3、不同種類碳系材料的負極特性表現 8表 4、不同鋰鹽的特性分析 9表 5、不同電解質溶劑的特性分析 10表 6、原始Si、研磨Si、熱處理過的研磨Si及不同重量比的研磨矽/檸檬

酸複合材料在定電流充/放電時的電化學性能 (充/放電電流為100/100 mA g-1) 15表 7、不同矽含量複合陽極材料的電阻值 47表 8、實驗藥品 60表 9、實驗儀器與設備 62表 10、樣品簡稱表 64表 11、充/放電流條件計算表 79表 12、NG及各矽石墨複合陽極材料之micro-Raman數值比較 86表 13、KS6之雷射粒徑結果數據 101表 14、NG之雷射粒徑結果數據 102表 15、bare-Si/G之雷射粒徑結果數據 103表 16、SD1-Si/G之雷射粒徑結果數據 104表 17、SD2-Si/G之雷射粒徑結果數據 105表 18、N

G之Zeta表面電位檢測結果數據 107表 19、PDDA-Si之Zeta表面電位檢測結果數據 108表 20、各矽石墨複合陽極材料之比表面積數值表 109表 21、各種不同自製矽石墨複合陽極材料之碳含量分析 112表 22、各種不同矽石墨複合陽極材料於相同充/放電速率下之活化電性表現比較表 114表 23、各種不同矽石墨複合陽極材料之首次充/放電之電性數據表 115表 24、各材料於不同充/放電速率下之充/放電電性比較表 117表 25、bare-Si/G樣品於不同充/放電速率下之電性數據表 118表 26、SD1-Si/G樣品於不同充/放電速率下之電性數據表 119表 2

7、SD2-Si/G樣品於不同充/放電速率下之電性數據表 120表 28、各材料在100/100 mA g-1速率下，充/放電循環穩定性比較表 122表 29、bare-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能數據表 123表 30、SD1-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能數據表 124表 31、SD2-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能數據表 125表 32、各材料在400/400 mA g-1速率下，充/放電循環穩定性比較表 126表 33、bare -Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性

能數據表 127表 34、SD1 -Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能數據表 128表 35、SD2 -Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能數據表 129表 36、本實驗自製矽碳複合陽極材料數據結果與文獻資料之比較 130表 37、bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品經過10次100 mA g-1相同速率充/放電循環後之阻抗分析結果數據 132表 38、bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品經過30次100 mA g-1相同速率充/放電循環後之阻抗分析結果數據 133

表 39、bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品經過100次400 mA g-1相同速率充/放電循環後之阻抗分析結果數據 134表 40、各複合陽極材料於100 mA g-1速率下，30次充/放電循環後之鋰離子擴散係數比較 136表 41、各種不同複合陽極材料於400 mA g-1速率下，100次充/放電循環後之鋰離子擴散係數比較 137表 42、矽石墨複合電極於相同充/放電速率下之電性數據表 146表 43、bare-Si/G複合電極前五次循環之膨脹率與不可逆膨脹率數據比較 148表 44、SD1-Si/G複合電極前五次循環之膨脹率與不可逆膨脹率數據比較 14

9表 45、SD2-Si/G複合電極前五次循環之膨脹率與不可逆膨脹率數據比較 150

單位角色圖鑑：什麼都想拿來量量看!78種單位詞化身可愛人物，從日常生活中認識單位，知識大躍進!

為了解決電流速度的問題，作者星田直彥 這樣論述：

★給好奇孩子的「超入門單位圖鑑書」★ 你聽過公尺、公升、加侖， 但是你有聽過海里、光年、流明、勒克斯這些單位嗎？ 課本上常出現、令人頭痛的單位詞，一本澈底搞懂！ 輕鬆培養孩子的數感及量感！   　　你知道最古老的「單位」是什麼嗎？ 　　想知道測量星球之間的距離，要用什麼單位嗎？ 　　公尺、公里、公分、毫米、碼，怎麼換算才正確？ 　　「馬力」的單位詞起源，真的跟馬有關係嗎？   　　本書涵蓋14個領域、78個單位詞， 　　將枯燥乏味的單位擬人化，變得親切有趣易懂，讓孩子不排斥學習。 　　認識各種單位的起源、定義、用途及換算方法， 　　從日常點滴累積科普素養，擴展對世界的眼界！   　　★從日

常生活中認識單位，知識大躍進！ 　　「媽媽，這根樹枝有多長呢？」 　　「爸爸，這塊石頭有多重啊？」 　　「老師，那位選手跑得多快呀？」   　　當我們要告訴別人某個東西有多長或多重時，如果只說「大約這麼長」、「大約這麼重」，無法表達出正確的長度及重量，因為每個人的感覺都不同，如果要充分溝通，就必須有一個「基準」，這個基準就是「單位」。 　 　　原來在遠古時代，人們還曾經使用手掌、腳掌、手臂……來測量呢！但是這樣的測量方式不夠準確，所以不同國家開始建立屬於自己的測量方式與單位，隨著國際交流越來越密切，終於出現「國際單位制（SI）」的發明與認定，全世界有了一套測量的標準，再也不用為了測量大小事而爭

吵啦！   　　★一起來認識讓生活更方便的「單位」 ！ 　　‧帥氣「公尺小哥」你可以叫我單位界的一哥，我出場的地方多到數不完，身高一公尺的人，張開手臂也差不多是一公尺喔！ 　　‧秀氣「毫克小姐」秤量藥品是我的工作，可以準備一粒米感覺我的分量喔！  　　‧淘氣「秒寶寶」我是表示時間的基本單位，一天大約有8萬6400秒，很酷吧！ 　　‧美麗「瓦特大姊」我常運用在微波爐和電燈泡方面，用電流╳電壓，就能算出我有多少了！ 　　‧調皮「西弗小鬼」我是表示放射線對生物的影響程度，醫院的X光也是放射線的一種喔！ 　　‧可愛「牛頓小妹」我是表示力量的單位，將100克重的物品放在手心時，下壓的力量大約

就是1牛頓喔！   　　萬物都能量，從具體到抽象，各種生活事物都需要經過測量，看似難記又難懂的測量單位，原來我們每天都需要用到它！因為有了「單位」，我們的生活才會變得更加便利，趕快翻開本書，變身能靈活運用的單位達人吧！   本書特色   　　特色1單位變身可愛角色，激發孩子的學習動力！ 　　特色2從單位起源、定義、用途及換算方法，一本全知道！  　　特色3從生活中培養孩子的觀察力、探究力、思考力！ 　　 專業審訂   　　李柏蒼教授｜國立臺灣海洋大學水產養殖學系副教授   聰明推薦   　　米蘭老師｜YouTube網紅自然教師 　　洪進益（小益老師）｜GHF教育創新學人獎得主、暢銷作家

　　 　　【適讀年齡】 　　9~12歲　國小中高年級、國中生

低壓車用馬達驅動器研製

為了解決電流速度的問題，作者王信富 這樣論述：

近幾年來，由燃料汽車慢慢轉變為電動汽車，不管哪種類型的汽車，汽車內部會有數個電子控制單元(Electronic Control Unit)，用來控制車內電氣系統，其中就有ECU是控制無刷馬達，使用此控制技術可讓受控物產生的振動，噪音降低許多，讓駕駛時更安靜與穩定。此外，更大優點就是沒有廢氣排放的環保問題。本論文使用旋轉編碼器偵測馬達轉子位置，透過解角晶片轉換成數位訊號以供微控制器讀取，再使用比例積分法驅動永磁無刷馬達。另一方面使用電腦的人機介面觀測其馬達輸出電流、速度之波形。硬體電路採用車用規格等級零件，DC BUS設有預充電電路，閘極驅動晶片內建各項保護機制，實現了一款高可靠度、高壽命的馬

達驅動器。微控制器使用德州儀器公司Texas Instruments , TI所開發的TM4C123G Launch-Pad Evaluation Board開發板，微控制器型號為TM4C123GH6PM來編寫韌體。程式方面使用KEIL公司設計的MDK-ARM是一套使用C語言編寫程式的系統。