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電壓公式v的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦高偉寫的 新一代 科大四技電機與電子群電工機械與實習升學跨越講義含解析本 - 最新版(第二版) - 附MOSME行動學習一點通：詳解.診斷.評量.影音 和林奎至,阮弼群的 電子學(基礎概念) 都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自台科大 和全華圖書所出版 。
國立陽明交通大學 電子研究所 林炯源、簡昭欣所指導 歐仲鎧的 具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算 （2021），提出電壓公式v關鍵因素是什麼，來自於過渡金屬二硫屬化物、二維材料、密度泛函理論、二硫化鎢、非平衡格林函數、p型接觸、p型電晶體。
而第二篇論文明新科技大學 電子工程系碩士班 楊信佳所指導 林家鈞的 N型鰭式金氧半場效電晶體定爾利電壓之曲線貼合與射頻運算放大器(OPA)應用於電路之設計與最佳化 （2021），提出因為有 鰭式的重點而找出了 電壓公式v的解答。
新一代 科大四技電機與電子群電工機械與實習升學跨越講義含解析本 - 最新版(第二版) - 附MOSME行動學習一點通：詳解.診斷.評量.影音
為了解決電壓公式v 的問題，作者高偉 這樣論述：
1. 重點掃描：快速簡潔條列或圖表化本章重點所在，詳細說明電路原理或實習相關知識技能。 2. 理論（實習）攻略：先以「精選範例」學習，之後再配合「同步練習」實際演練熟悉該小節的內容。 3. 立即練習：根據重點立即練習，加強熟練以加深印象，打好基礎。 4. 綜合模擬測驗：分為「基本模擬演練」與「進階模擬演練」，循序漸進擴大練習試題的層面，看多＋練習多，融入生活題，統測時自然得心應手。 5. 歷屆統測試題：試題收集完整，分類歸納徹底，複習曾經考過的試題，因為每年試題雷同的機會還不少。 6. 歷屆試題答對率與難易度：自107 年度起，測驗中心公告每一選擇題的考生答對率，並
依據答對率來判別難易度（答對率小於40% 表示困難，大於等於40%、小於70% 表示中等，大於等於70% 表示容易）。 7. 火紅素養題型：精準分析素養題型結構，掌握「測驗主題」與「核心素養」，面對跨域素養題型也能游刃有餘！ 8. MOSME 行動學習一點通：搭配書籍內容使用，掃描章首QR code 可連接到本書線上相關內容：詳解、影音、診斷、評量等功能，隨時測驗複習不間斷。
具新穎氮硫化鎢界面結構的p型二硫化鎢電晶體: 以第一原理量子傳輸理論進行模擬計算
為了解決電壓公式v 的問題，作者歐仲鎧 這樣論述：
實驗室所製作的過渡金屬二硫族化合物(含一定濃度缺陷)二維電晶體，由於費米能釘札導致其p型接觸非常稀少；另一方面，電腦計算模擬所對應的上述理想結構(二維材料無缺陷)則可在高功函數金屬顯出為p型接觸，但仍未達到足夠低的電洞蕭特基位障。因此本文提出一種金屬性的超材料硫氮化鎢作為傳統金屬與半導體通道之間的緩衝層。其結構的形成可揣摩是由簡單的metal/WS2側接觸做為出發，我將鄰近介面處一定面積的上排硫原子置換為氮。以第一原理及量子傳輸理論計算電子結構與傳輸電流。我發現在金屬與二硫化鎢之間僅需0.6奈米長的硫氮化鎢緩衝層，便可有效降低通道的電洞蕭特基位障：在以鉑為金屬電極的情形中，硫氮化鎢可使蕭特基
型的Pt/WS2側接觸轉變為歐姆特性，達成以單一二維材料實現互補式金屬氧化物半導體的目標。除了鉑電極，即便我採用低功函數的金屬鋁，在Al/WSN/WS2的結構，計算而得的蕭特基位障仍低至0.12 eV。上述鉑與鋁電極的計算結果表明，氮硫化鎢緩衝層顯著提升了選擇電極金屬的靈活性，令選擇不再受限於高功函數的貴重金屬：如金、鉑和鈀。我亦更進一步量化計算Pt/WSN/WS2在不同閘極電壓下的伏安特性，得出該結構有高達10^8的開關電流比和在汲極電壓50毫伏下231 µA/µm的導通電流(接觸電阻 ≈ 63.8Ω∙μm)。同時為驗證實驗製程時硫氮化鎢的穩定性，我們採用第一原理分子動力學在室溫下分別模擬氮
吸附、單顆氮取代硫和單層氮硫化鎢，發覺皆為穩定結構。
電子學(基礎概念)
為了解決電壓公式v 的問題，作者林奎至,阮弼群 這樣論述：
本書以作者多年教學經驗，配合淺顯易懂的文字和圖形的描述編撰而成，對於重要觀念及公式，善用問答的方式陳述，加強研讀時的吸收與想像。各章皆以學習流程圖及生活化短文，啟發學習興趣、確立學習目標，內容節選重要定理及觀念，以中、英語對照的方式呈現，建立課堂雙語互動，並收錄豐富且經典的題型及各校入學考題，有效驗證學習成果；全書共分成「基礎概念」、「進階分析」兩冊，適用於大學及科大之電子、電機、資工系「電子學」課程。 本書特色 1.每章皆以學習流程圖歸納重點、確立學習目標。 2.每章前皆設計「生活電子學」短文，以生活、歷史為喻說明電子專業，啟發學習興趣。 3.每章皆節
選重要定理、觀念，以中、英語對照呈現，活絡雙語學習的潛力。 4.本書以簡單扼要的方式闡述觀念，定理推導有條理且詳盡。 5.本書收錄豐富的例題及習題，且精選近十所大專校院研究所入學考題、公務員高考考題，有效驗證學習成果。
N型鰭式金氧半場效電晶體定爾利電壓之曲線貼合與射頻運算放大器(OPA)應用於電路之設計與最佳化
為了解決電壓公式v 的問題，作者林家鈞 這樣論述：
金氧半導體場效電晶體通道長度的尺寸緊縮道數十柰米後，漏電流無法控制，取而代之的為3維立體鰭式電晶體，以閘極電壓空乏狹長的通道本體達到遏止漏電流的效果，電晶體的電性仰賴電壓-電流特性曲線，以工程技術作成精密的模型，內中包含眾多的等效電路，也成功地應用於電路設計，造成類比積體電路與數位邏輯積體電路的可行性的發展，締造高科技產業所帶來的方便與好處。電性或電流表現可以閘極電壓與汲極電壓相對於設為接地的源極電壓所表出，此傳統的公式化函數經修正後，其中三個重要的參數，即與尺寸及載子漂移率相關的Kn，還有門檻電壓和與漏電流相關的爾利電壓。本研究主要定下與爾利電壓倒數的絕對值，以表示，調整Kn及門檻電壓，
達到貼合量測後電性曲線的最佳化，進而分析其特性為了更了解電晶體元件特性。另外，類比訊號運算放大器在射頻電路上的應用，雖不像低雜運放大器與功率放大器在射頻電上明顯的運作功用，但鑒於其在射頻運用上的可行性，成為此論文研究的開發主題，期待有更多的突破與系統設計上的便利。