電位計算的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

電位計算的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦Halliday,葉泳蘭,林志郎寫的 物理(電磁學與光學篇)(第十一版) 和王俊凱,黃仁偉,葉泳蘭的 物理(電磁學與光學篇)(第十版)(附部分內容光碟)都 可以從中找到所需的評價。

另外網站四、影响电极电位的因素也說明:计算 电极电位. 利用能斯特方程式,可以计算不同条件下的电极电位值。 例4 计算298K,锌离子浓度为0.01mol.L -1 时,Zn 2+│ Zn电极的电极电位。 解:电极反应.

這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。

國立中央大學 光電科學與工程學系 綦振瀛、賴昆佑所指導 郗靖加的 P-型GaN閘極高電子遷移率電晶體之磊晶層設計與成長 (2020),提出電位計算關鍵因素是什麼,來自於有機金屬化學蒸汽沉積系統、氮化鎵。

而第二篇論文國立中央大學 地球科學學系 陳建志所指導 朱佾蓁的 利用地電阻影像法計算水文地質參數:以屏東平原為例 (2019),提出因為有 地電阻法、水文地質參數、相對飽和度、水力傳導係數的重點而找出了 電位計算的解答。

最後網站標準還原電位差(二) Standard Reduction Potentials - 加百列的 ...則補充:標準還原電位差的定義:在標準狀態下,進行還原反應的物質「氧化劑」對電子的拉力。 化學原理啟迪268. 標準還原電位差(二) ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了電位計算,大家也想知道這些:

物理(電磁學與光學篇)(第十一版)

為了解決電位計算的問題,作者Halliday,葉泳蘭,林志郎 這樣論述:

  本書譯自HALLIDAY所著之Halliday and Resnick's Principle of Physics 11/E 之第二十一章至四十四章。本書取材包羅萬象,以生活化的例子,引導讀者進入物理的領域。解題除了有詳細的解說,並帶領讀者了解主要關鍵點為何。這是在其他相關書籍中不常見的。希望讀者在閱讀本書時,先了解理論再多利用練習題增加理解的深度。本書適合做為大學、科大理工相關科系「物理」課程經典級教科書。 本書特色   1. 累積超過30年的編寫經驗、內容深入淺出的經典物理學教科書。   2. 內容完整豐富,且範例均極為實用,並有詳盡的解題過程。   3. 章

末並有重點回顧及大量習題,可加強對物理概念的了解和應用。   4. 其他資訊可參閱官網:www.wiley.com/go/global/halliday   5. 本書適合作為大學、科大理工相關科系必修之普通物理課程使用。

電位計算進入發燒排行的影片

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P-型GaN閘極高電子遷移率電晶體之磊晶層設計與成長

為了解決電位計算的問題,作者郗靖加 這樣論述:

現今商用增強型(E-mode)高功率氮化鎵異質場效電晶體中,p 型氮化鎵(p-GaN)閘極是常用的閘極結構之一,此閘極對元件開關時的動態特性影響以及與可靠度的關聯性是必須要了解的重要研究課題。本論文主要提出利用 P-型 GaN 閘極的方式來製作出增強型(Enhancement-mode)操作之氮化鋁鎵/氮化鎵場效功率電晶體,以用於電源供應器內的功率電晶體,將目標設在實現具有高閾值電壓、高導通電流、低導通電阻、低閘極漏電流的元件,以上述四主要特性做延伸,著重在磊晶結構的設計與磊晶條件參數的探討。此研究係利用有機金屬化學蒸汽沉積系統(Metal-Organic ChemicalVapor Dep

osition, MOCVD)沉積 GaN 磊晶層在矽基板上,使用不同鋁含量的 AlGaN 位障層,與不同濃度的鎂摻雜 p-GaN 閘極,探討背後物理意義並且組合出四種不同結構。為了更了解不同 p-GaN 長晶條件的影響,也設計了高溫和低溫,濃度高與濃度低四種 P-型 GaN 閘極的長晶條件,研究其變化對元件電性帶來的影響。此研究顯示,用計算能帶的方式可以看出元件的閾值電壓走向,有助於設計磊晶結構。在磊晶的層面,p-GaN的磊晶條件中,溫度990°C比起1020°C有更低的表面粗糙度,且可以降低 Mg 的擴散深度。在這四種結構中,以鋁成分 18%的 AlGaN 位障層搭配濃度 8E18 ???

?????−3鎂摻雜的 p-GaN 磊晶層的結構可得最高之閾值電壓,低鋁含量的位障層使極化效應降低,但不影響遷移率的表現,讓 HEMT 的閘極更容易達到常關型狀態。搭配上低濃度的 Mg 摻雜 p-GaN,使表面更加平坦,也讓 Mg 的向外擴散較低,使電子遷移率不被其影響,這是本研究根據元件結果推理出來的最佳結構。

物理(電磁學與光學篇)(第十版)(附部分內容光碟)

為了解決電位計算的問題,作者王俊凱,黃仁偉,葉泳蘭 這樣論述:

  本書譯自HALLIDAY所著之PRINCIPLES OF PHYSICS 10/E 之第二十一章至四十四章。本書取材包羅萬象,以生活化的例子,引導讀者進入物理的領域。解題除了有詳細的解說,並帶領讀者了解主要關鍵點為何。這是在其他相關書籍中不常見的。希望讀者在閱讀本書時,先了解理論再多利用練習題增加理解的深度。本書適合做為大學、科大理工相關科系「物理」課程經典級教科書。 本書特色   1. 累積超過30年的編寫經驗、內容深入淺出的經典物理學教科書。   2. 內容完整豐富,且範例均極為實用,並有詳盡的解題過程。   3. 章末並有重點回顧及大量習題,可加強對物理概念的

了解和應用。   4. 其他資訊可參閱官網:www.wiley.com/go/global/halliday   5. 本書適合作為大學、科大理工相關科系必修之普通物理課程使用。

利用地電阻影像法計算水文地質參數:以屏東平原為例

為了解決電位計算的問題,作者朱佾蓁 這樣論述:

地電阻法已被廣泛用於確定層狀介質的厚度和電阻率,本研究於屏東平原進行地電阻施測,此研究目的為透過地電阻法了解屏東平原區域水文特性與計算其水文地質參數,希望此研究能夠作為水文地質評估參考並提升數值模擬能力。本研究地點有二,其一位於大樹區大樹國小,於校區內建置一井地地電阻監測測線;其二研究地點位於大寮區臺灣中油大寮水源站,先於2017年進行地電阻一次性施測期間進行抽水作業,同時收集不同抽水時段地電阻資料,接著於2019年建置一地表地電阻監測測線,期間內進行例行抽水作業,可藉此來了解地下水抽取與地電阻的關聯性。大樹區域之地電阻剖面結果顯示,降雨前後測量之地電阻剖面有明顯的電阻率分佈變化,變化範圍根

據現地水位資料顯示,為地下水位以下為飽和帶,此電阻率反映影響原因可能為受到雨水(室溫)慢慢入滲至地下時(地下水水溫約15oC ),造成地下水層溫度的改變,進而影響地層電阻率改變,根據深度與時間,可推估其水力傳導係數為1.73*10-4 m/ s。大寮區域 2017 年 8 月前導實驗結果隨著抽水事件水位洩降約 10 米。接著於2019 年進行地電阻監測期間,隨著抽水事件,計算區域相對飽和度變化,其飽和度變化範圍於深度10~20 米,此結果更驗證出此區域抽水洩降範圍。將大寮區域之電阻率利用Kozeny-Carman-Bear equation 可推算出水力傳導係數約為10−4~10−3m/s 且

孔隙率約為15%~30%。將此方程式利用屏東平原第四紀沖積層鄰近嶺口礫岩之區域水文地質參數基本資料代入,其結果顯示粒徑小之砂岩泥岩對應之井測電阻率較小,透水係數也有較小的趨勢,且受壓密作用影響,隨深度越深,孔隙率有變小的趨勢。屏東平原西側為嶺口礫岩與全新世台地堆積層與第四紀沖積層,粒徑大小較一致,其井測電阻率值範圍廣,深度分布廣,但透水係數範圍皆落在10−3~10−4 m/s。