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六大動詞，10天速成英語表達：多益考高分還是不敢說?本書幫你開口說，對方秒懂

為了解決開關關掉還有電的問題，作者周昱葳（葳姐）,李存忠（Mitch）,吳惠怡（Flora）、,林宜珊（Amy） 這樣論述：

　　連大人都想排隊報名的「葳姐親子英語共學」版主葳姐領軍！ 　　橫跨金融、電子科技、英語教學界最強專業師資群！   　　★隨書附贈！發音示範！QR Code線上音檔，現學現說！   　　◎please代表請，但如果說：「Give me some water, please.」你就會被當成奧客。 　　◎別再跟部屬說：Do you understand?（你懂我意思嗎？）， 　　更好的說法是：Do you get it? 　　◎點餐要用哪個動詞？別用order，你得說：I’d like to have… 　　◎say、tell、talk，都是「說」，用法差在哪？see、look、watch，又

該怎麼分？   　　本書作者周昱葳（葳姐），成立「葳姐親子英語共學」線上平臺近5年， 　　因為簡單說故事，且具有MBA商學院背景， 　　她設計的英語線上課程，實用到連大人都搶報名。   　　本書從心智圖、片語動詞、時態變化、助動詞、基本句型， 　　搭配超過200組的生活例句、實戰練習題， 　　告訴你，英文要學好，這6個動詞就夠了！   　　◎ 六大動詞，10天英語表達能力速成      　　介紹六大動詞：be、have、do、say、get、make， 　　教你用你早就會的簡單動詞，食衣住行玩，完整表達自己的想法、經驗。   　　問同事午餐哪裡吃？have lunch比eat lunch更道地

！ 　　like只代表喜歡？美國明星泰勒絲曾在致詞典禮上，提到了20次的like。 　　本書特別收錄like六大用法 ╳ 大明星金句 ╳ 獨創心情溫度計（第4天）。      　　◎ 職場、考試、生活，一定會用到的動詞   　　用圖像式記憶，教你從核心字義掌握，一學就懂！例如：   　　‧打開（關掉）電視，用open（close）？正確是：turn on（turn off）。 　　‧交報告怎麼說？你可以用turn in the report，或是submit the report。 　　‧take（拿） ＋ off（離開）＝請假： 　　I want to take two days off.（

我想要請假兩天。） 　　‧搭公車用get on、搭乘計程車則是用get into。 　　‧倒垃圾、外帶食物，都是用take out。   　　◎ 職場英文好好聊！疑問詞＆附加問句   　　只要用5W1H，就能輕鬆打開話匣子，跟別人聊不停！例如： 　　Who’s calling?（電話中，請問你是誰？） 　　Who will join us?（誰會跟我們一起去？） 　　When will the meeting start?（會議何時開始？） 　　還有3個聊天萬用句，教你提出邀約、建議、詢問意見： 　　What／How about、Why don't you、What if。   　　萬用句型公

式 ╳ 使用率破表的片語動詞 ╳ 文法急救包 ╳ 13首流行歌曲， 　　幫你立刻開口說，對方馬上懂。   名人推薦   　　歴任友達光電及台達電集團人資長／林瑞娟 　　自媒體創作者、TESOL認證ESL教師／倉庫的女人Claire 　　YouTuber、英語學習推廣家／Catherine 　　《通勤學英語》Podcast主持人／John老師 　　Ricky英語小蛋糕

開關關掉還有電進入發燒排行的影片

氧化鋅錫薄膜電晶體光檢測特性與閘極偏壓之相關性研究

為了解決開關關掉還有電的問題，作者張鈞凱 這樣論述：

本實驗第一部分以溶液法製備不同鋅錫莫爾比的鋅錫氧化物薄膜電晶體(Zinc Tin Oxide Thin Film Transistor)，鋅錫莫爾比分別為Sn:Sn+Zn=9%、Sn:Sn+Zn=33%、Sn:Sn+Zn=50%、Sn:Sn+Zn=67%、Sn:Sn+Zn=80%，共五種。以轉換特性曲線(IDVG curve)的結果，計算臨界電壓(VTH)、次臨界擺幅(S.S.)、載子遷移率(Mobility)、開關電流比(On/off current ratio)等基本電晶體性質，由以上四種性質判斷不同鋅錫比ZTO薄膜電晶體優劣。此外，使用波長為405nm、520nm、635nm雷射光作為

光源(對應的光能量分別為3.06eV、2.38eV、1.95eV)，針對不同鋅錫莫爾比ZTO薄膜電晶體作為場效光電晶體(photo-FET)，在不同波長的照射下得到的光電晶體性質:光敏性(Sensitivity)、光響應(Responsivity)、外部量子效率(External Quantum Efficiency, EQE)，判斷不同鋅錫比ZTO薄膜電晶體作為場效光電晶體之優劣。由基本電晶體以及光電晶體性質的結果，ZTO(Sn:Sn+Zn=50%)薄膜電晶體為最佳比例。本實驗第二部分為了更進一步判斷場效光電晶體的實際應用，使用405nm雷射作為光源，量測元件的動態光響應性(Dynamic

photoresponse)，主要探討探討ZTO(Sn:Sn+Zn=50%)薄膜電晶體元件在多次照光下的電流變化情況以及重複性。元件有兩個問題，光源開啟時電流上升的速度慢導致電流上升時間(Rise time)過長，以及光關掉後的光電流殘留行為導致電流衰減時間(Decay time)過久。因此吾人使用兩種閘極電壓脈衝(VG pulse)方法改善此行為。在照光一開始，施加負閘極偏壓脈衝一秒(雷射照光脈衝的參數與照光時相同)，使光電流快速上升至飽和值，電流上升時間從原本的十幾秒下降為0.35秒。照光後，再施加正閘極偏壓脈衝一秒，使光電流能夠快速地回復為初始值。照光電流增加原因為中性氧空缺被光激發成帶

正電氧空缺以及光電子，照光時，光電流變化受到光電子產生(generation)以及複合(recombination)速率的變化而影響，光源波長越短、光源功率密度越大會使得光電子產生數量增加，然而數量越多的帶正電氧空缺以及光電子，兩者相遇的機率增加，由於過量載子複合速率正相關於帶電氧空缺相遇光電子的機率，光電子複合的機率也提升，光電流難以飽和造成電流上升時間過長，負閘極偏壓脈衝會使照光產生正的帶正電氧空缺往主動層-介面層界面處移動並累積，排斥光電子往主動層表面累積，電荷分離(charge seperation)讓複合速率降低，所以光電流快速飽和，電流上升時間縮短。相反地，光源關掉後，由於殘留的光

電子造成PPC(Persistent Photoconductivity)效應，本實驗使用正閘極偏壓脈衝，將元件還原成沒有光電子貢獻的狀態。吾人使用過量載子的公式描述偏壓脈衝產生的電荷分離/複合，改善動態光響應性的原因。並透過改變光源波長、光源功率密度、負閘極偏壓脈衝時間等條件，比較各個參數對於動態光響應性的影響。本實驗第三部分同樣使用ZTO(Sn:Sn+Zn=50%)薄膜電晶體，使用時間可控IDVG排除量測時間的影響，取代原先的時間不可控IDVG進行討論。比較全部偏壓掃伏都有照光(VG from -40V to +40V照光)、只有負閘極偏壓掃幅照光(VG from -40V to 0V照光

、VG from 0V to +40V不照光)以及只有正閘極偏壓掃幅照光(VG from -40V to 0V不照光、VG from 0V to +40V照光)的差異。只有負閘極偏壓掃幅照光便能得到與全部偏壓掃伏都有照光相似的光響應性；只有正閘極偏壓掃幅照光，雖然也有光響應性，但是明顯低於其他兩個條件。掃伏過程中的閘極電壓正負會影響著照光光電子的貢獻，在負閘極偏壓掃伏時，電荷分離造成主動層存在較多的光電子；正閘極偏壓掃伏時，雖然不斷有光電子產生，但是正閘極偏壓會加速光電子與帶正電氧空缺複合，主動層存在的光電子相較於負閘極偏壓掃伏時為少，所以光響應性低。

1日5分鐘，搞定自律神經失調!自己就能做得到!(書附:60秒快速自我檢測表，失衡指數立即掌握!)(三版)

為了解決開關關掉還有電的問題，作者伊藤克人 這樣論述：

神經不自律．一身都是病 超過９成上班族，自律神經失調 免吃藥！101種特效療法 雙向矯正失調的身心，恢復達成率100%   　　日本醫學研究發現，自律神經系統控制著人體全部的內臟與血管，一旦失去平衡，不僅會奪走身體健康，形成憂鬱恐慌等精神病態，連本能的「快樂感」都會跟著喪失，影響性可說遍及身心，不得不慎！   　　現代人許多慢性病、憂鬱症，追根究柢都與自律神經的失調有關。醫院門診上也會常聽到患者抱怨：「我最近老是覺得身體很不舒服，去醫院檢查又找不到病因，但症狀還是一直出現……怎麼辦？」事實上，為這類症狀苦惱的患者，多數已經出現本書的主題－－自律神經失調這種疾病。 自律神經一旦失調，會引起各

種現代文明病。交感神經過度緊張，會導致高血壓、心臟病、血糖上升。副交感神經過度興奮，會導致氣管收縮（氣喘），消化液分泌過多（胃潰瘍）。   　　本書除讓您認識「什麼是自律神經」？「自律神經失調會出現哪些症狀」？   　　更從處理職場上的壓力、人際關係、角色轉換、檢視生活節奏等面向提出101則自我紓解常見不適感的練習，維持自律神經平衡，徹底解決睡不飽、沒精神、體力差、肩頸痠痛等惱人症狀，維持工作效率、維護生活品質。   　　焦慮、失眠、肥胖、脖子緊、每天都好累… 　　超過9成上班族，自律神經失調！ 　　嚴重會導致猝死，輕忽恐怕會中風！   　　您是否有以下症狀： 　　「便秘、瀉肚子交替出現……」

　　「明明累得要命，躺在床上卻遲遲無法入睡……」 　　「蕁麻疹、異位性皮膚炎，總在加班時找上門……」   　　胸悶、感覺缺氧、習慣性頭疼、思考理解力下降、記憶力減退、腰酸背痛、全身倦怠、焦慮情緒不穩，你為這些症狀感到煩惱，卻遲遲找不出病因嗎!?小心！你很有可能自律神經失調了！！長期自律神經失調，可能引起多種急性或慢性疾病，譬如：心臟病、高血壓等，嚴重者甚至引發中風、猝死等急症。   　　日本自律神經醫學專家‧心理內科名醫---伊藤克人 　　重新打造交感神經與副交感神經的平衡感！ 　　有效改善自律神經失調的101種特效療法 　　雙向矯正失控的身心，恢復達成率100%   　　★策略1  修正容

易累積壓力的思考模式，讓你的內心更強大 　　◎接受「不完美很正常」的事實 ◎以「客觀化」取代「情緒化」 ◎找出壓力凝聽它的真相◎活在當下的專注訓練 ◎ 跳脫「非這樣不可」的思考模式  ◎傾倒精神垃圾的心理諮商與發牢騷 ◎想哭就哭，常疏洪就不會崩潰 ◎下班了記得心情也要下班…………   　　★策略2 自我紓壓練習，身心完全鬆到底 　　◎神奇的腹式呼吸法  ◎居家掃除心情也清爽了 ◎經絡按摩與肌肉鬆弛法  ◎去除百病的指壓按摩 ◎冥想靜坐心更安定  ◎通經暢血的泡手泡腳&半身浴  ◎和寵物一起散步最有幸福感  ◎活絡腦□啡的芳療與音樂 ◎感受生命喜悅的園藝栽植活動…………   　　★策略3

重新設定生活節奏，再忙都能擁有好睡眠 　　◎利用「晨光效應」啟動一天的活力 ◎以24小時為基本規律分配作息 ◎每天、星期、月份、季節各有最佳生活週期規律 ◎因應各年齡階段神經系統的強弱勢 ◎就寢與晨起時間必須固定化 ◎自律神經在「春季」要特別小心保養 ◎活絡血清素、腦□啡的寶貴休閒時光 ◎就寢前一小時關掉3C產品…………   　　★策略4 全食物．抗氧化‧多色彩飲食 　　◎吃早餐自律神精的切換功能 ◎充份咀嚼身心皆受益 ◎攝取紅、黃、綠三色系優能食物◎雞胸肉特有的成分有助於消除疲勞◎太晚吃飯只吃七分飽就好  ◎調整自律神經需要足夠的蛋白質◎甜食、小酌、咖啡其實有好處 ◎補充鈣質減少焦慮不安感◎

蔬菜湯、益生菌有助保養神精系統  ◎採行更清淡、原味、有機的烹調法   　　【身心減壓‧重點搶先看】 　　○ 壓力、個性和先天體質，是造成自律神經失調的三大主因。 　　○ 過度適應他人或環境，會無意識地囤積壓力。 　　○ 封閉自己的情感會形成壓力，說說話感覺比較愉快。 　　○ 對別人的感覺先擺一邊，把工作完成才是唯一目標。 　　○ 為保持自律神經的平衡，夏天也要「禦寒」大作戰。 　　○ 橫膈膜一動起來，可刺激自律神經進行調整。 　　○ 一哭泣，人體就會切換自律神經的開關。 　　○ 針對失敗的反省不要拉得太長。 　　○ 跟誰去旅行很重要，小心壓力增加。 　　○ 一有貧血，自律神經失調的症狀會更加

明顯。   本書特色   　　★ 60秒快速自我檢測表，自律神經失衡指數立即掌握 　　★ 發現有相關症狀時，可立即採取的緩解方法不藏私 　　★ 自己就可以調理自律神經與體質、荷爾蒙、免疫力之間的和諧 　　★ 需就醫時應該看哪一科？專業醫師指引不白跑 　　★ 絕對要學會的101種抒解不適症狀的健康自療法！ 　　 權威推薦   　　郭育祥｜中華民國自律神經失調症協會創辦人兼理事長   　　謝瀛華｜萬芳醫院副院長   　　陳豐偉｜聯合報、康健雜誌專欄作家

利用新穎摻雜方法製備矽元件及其在3D整合應用

為了解決開關關掉還有電的問題，作者陳奕豪 這樣論述：

本論文主要著重在藉由新穎的摻雜技術研製矽元件，包含熱燈絲佈植摻雜、感應耦合電漿(ICP)輔助熱燈絲佈植摻雜技術，並應用於3D整合。首先，我們成功應用熱燈絲佈植摻雜技術製作金氧半場效電晶體(MOSFETs)，以歐傑電子能譜儀分析摻雜在電晶體的磷 (P) 原子顯示出其接面深度近似~80 nm，而經由霍爾量測結果顯示及其摻雜入矽晶圓呈現N型半導體，其磷(P)原子的摻雜載子濃度近似為~5.83 × 1020 cm−3。對於MOSFET元件，實驗量測結果顯示出，汲極電流-汲極電壓（ID-VD）得到一個好的轉換特性。電晶體顯示出標準飽和及夾止的特性，這顯示柵極金屬可以完全空乏整個通道。另外，此熱燈絲摻雜

佈植技術亦可應用在薄膜電晶體 (TFT)。另一方面，我們也成功利用感應耦合電漿(ICP) 輔助熱燈絲摻雜佈植技術研製了P型以及N型金氧半場效電晶體(MOSFETs)，且我們藉由P型以及N型金氧半場效電晶體的結合，研製出互補式金屬氧化物半導體(CMOS)元件。在P型金氧半場效電晶體的量測結果顯示出好的轉換特性，分析摻雜硼 (B) 原子在電晶體中的接面深度近似~ 45 nm，此外電晶體的次臨界擺幅和電流開關比分別為0.18 V/decade和大於104 ; 另一方面在互補式金屬氧化物電晶體量測結果顯示出具備好的反相器特性。在單晶矽太陽能電池的部分，同時成功證明出藉由感應耦合電漿(ICP) 輔助熱燈

絲佈植摻雜技術可研製單晶矽太陽能電池。在藉由感應耦合電漿(ICP) 輔助熱燈絲佈植摻雜技術，以歐傑電子能譜儀分析摻雜在太陽能電池的磷 (P) 原子，顯示出其接面深度近似~70 nm，而我們經由霍爾量測結果顯示其摻雜入矽晶圓的太陽能電池呈現N型半導體，其磷(P)原子的摻雜載子濃度近似為~9.34 × 1020 cm−3。另外，以粗糙化和氮化矽當抗反射層的單晶矽太陽能電池，其元件具有高的轉換效率16.08%. 此外，同時藉由感應耦合電漿(ICP) 輔助熱燈絲佈植摻雜研製出n型金氧半場效電晶體，其量測結果呈現出良好的次臨界擺幅0.39 V/decade、電流開關比大於104。另外一方面，在3D整合的

部份我們成功以矽穿孔 (TSV) 技術研製3D 氧化鋅奈米線紫外光檢測器。在矽穿孔的直徑與深度分別約為80μm 與170 μm ，而在矽穿孔 (TSV) 電鍍銅方面，藉由SEM影像可發現銅均勻的填入每一個矽穿孔 (TSV) 中，在矽穿孔 (TSV) 電性量測方面顯示出單一根的平均阻抗大約為0.9 mΩ. 對於3D的氧化鋅奈米線紫外光檢測器，在紫外光照射下量測其光電流約〜1秒的時間常數迅速增加，其開 - 關電流比大於104。最後，為了進一步整合氧化鋅奈米線與金氧半場效電晶體，我們順利以矽穿孔(TSV)技術來製備3D 智慧型光感測器，所量測到金氧半場效電晶體藉由熱燈絲佈植摻雜技術，可獲得標準的飽和

與夾止的特性。此外，在3D氧化鋅奈米線/ MOSFET智慧型光感測器，在紫外光照射下具有穩定的動態響應和穩定的再現性，其光暗電流特性亦呈現出大的光響應和快速的反應，且開-關電流對比大於十倍以上，而實驗顯示出當關掉紫外光照射，其衰減時間低於1秒，該結果顯示出智慧型3D氧化鋅奈米線/ MOSFET光感測器的衰減時間比傳統的氧化鋅奈米線的光感測器還要短，反應更迅速。