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動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率

為了解決金士頓記憶體ddr4的問題，作者田椿璟 這樣論述：

在半導體業製造方式是將在矽基板上製造電子元件(產品包括:動態記憶體、靜態記億體、微處理器、LCD驅動IC、NAND Flash…等)，而電子元件之完成則由精密複雜的積體電路(Integrated Circuit，簡稱IC)所組成；IC之製作過程是應用晶片氧化層成長、微影、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沈積等技術。正如摩爾定律所預測的一樣隨著電子資訊產品朝輕薄短小濃縮的方向發展，半導體製程的方式亦朝著高密度及自動化生產的方向前進；而IC製造技術的發展趨勢，大致上朝向克服晶圓直徑變大，元件線寬縮小，製程步驟增加，製程特殊化以提供更好方式去達到良率提升的目標。為了提升電腦、通訊、消費性電子產

品的效能與追求單位晶圓成本的降低，晶圓代工廠未來兩年的主要投資建立14奈米、16奈米產能以及導入10奈米和10奈米以下技術。在DRAM廠方面，短期內或許不會增加太多新產能，其投資焦點為20奈米技術的導入，並且調整產品組合來配合行動市場。其主要目的增加晶圓的顆粒數、製程成本降低、提高良率、增加產能利用率、減少支出增進公司的營收可以為下一個世代的產品舖路，當製程能力已達到可以代工的程度將可以為公司帶來額外的資金，同時可以讓公司有較優渥的條件購買下一個世代產品的技術與設備。在半導體製造業，製程技術能力代表該廠商產品生產能力與產品成本競爭力。在競爭過程中，企業常透過聯盟等合作放式，與合作的夥伴處取得或

共同研發高階製程技術，其提高市場競爭力。本研究在探討動態記憶體之高深寬比連接導線製程成本改善以及增加產能利用率，其研究方針是利用實驗機台取代現有機台，使其可增加機台的使用率、降低機台成本的支出以及增加產品推移效率減少產出的周期。