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大話軟件測試--性能、自動化及團隊管理

為了解決記憶體 相 容 性測試的問題，作者趙強 這樣論述：

本書並不是一本純技術書籍，更像是一本系統性的參考書，能説明讀者深入理解性能測試和自動化測試的意義，也能幫助有多年工作經驗正處於迷茫階段的朋友排憂解難，還能給那些剛剛步入管理崗位的“菜鳥們”提供指導，尤其是其中的團隊建設、績效管理等是很多讀者深感困惑的問題，可以說是測試工程師必讀的一本書籍。   本書分為兩大部分： 1~11章： 以全新的角度來解釋什麼是性能測試和自動化測試，不僅以實際案例講解了LoadRunner、JMeter、Soapui、Appium、移動端APP測試、前端性能、介面測試、安全測試、性能測試、自動化測試等內容，也講解了大家最為頭疼的兩大難題——性能測試通用分析思路和報告編寫

，同時也介紹了如何設計和開發羽量級自動化測試框架。12~14章：目前市面上缺少測試管理方面的圖書，而本部分內容以作者本人的親身經歷來分享對測試行業的看法以及如何進行測試團隊的建設、管理、績效考核等，通俗易懂，是管理者的必讀內容。 第1章 全新認識性能測試和自動化測試 1.1性能測試到底是什麼 1.2性能測試分層模型 1.2.1前端層 1.2.2網路層 1.2.3後端層 1.3自動化測試到底是什麼 1.4自動化測試是否萬能 1.5自動化測試分層模型 1.5.1UI層 1.5.2介面層 1.5.3單元層 1.6分層自動化在企業中的演變 1.7初學者如何選擇學習哪種測試技術 1.

8本章小結 第2章 LoadRunner腳本開發實戰精要 2.1LoadRunner介紹 2.2使用LoadRunner完成業務級腳本開發 2.2.1項目介紹 2.2.2需求分析 2.2.3腳本開發 2.3使用LoadRunner完成H5網站的腳本開發 2.4Mock實戰精要 2.5使用LoadRunner完成介面級腳本開發 2.5.1單介面的測試方法 2.5.2介面依賴的測試方法 2.6使用LoadRunner完成移動APP的腳本開發 2.7使用LoadRunner完成MMS視頻流媒體測試 2.8場景設計精要 2.9去“併發數” 2.10使用LoadRunner完成介面級功能自動化測試 2

.11本章小結 第3章 JMeter腳本開發實戰精要 3.1JMeter介紹 3.2使用JMeter完成業務級腳本開發 3.3使用JMeter完成介面級腳本開發 3.3.1單介面的測試方法 3.3.2介面依賴的測試方法 3.4使用JMeter完成JDBC腳本開發 3.4.1單SQL語句測試 3.4.2多SQL語句測試 3.5使用JMeter完成JMS PointtoPoint腳本開發 3.5.1JMS介紹 3.5.2ActiveMQ介紹 3.5.3JMS PointtoPoint腳本開發 3.6BeanShell腳本在JMeter中的應用 3.7使用JMeter完成Java自訂請求

3.8JMeter羽量級介面自動化測試框架 3.9在JMeter中使用Selenium WebDriver完成測試 3.10使用JMeter完成MD5加密的介面請求 3.11使用JMeter完成檔上傳和下載測試 3.12巧妙地完成WebService介面測試 3.13JMeter也有讓你心動的圖表報告 3.14本章小結 第4章 性能測試通用分析思路和報告編寫技巧 4.1通用分析思路 4.1.1觀察現象 4.1.2層層遞進 4.1.3縮小範圍 4.1.4推理分析 4.1.5不斷驗證 4.1.6確定結論 4.2測試報告編寫技巧 4.3本章小結 第5章 SoapUI腳本開發實戰精要 5.1Soa

pUI介紹 5.2SOAP WebService介面功能自動化測試 5.2.1單介面的測試方法 5.2.2介面依賴的測試方法 5.3SOAP WebService介面負載測試 5.4SOAP WebService介面安全測試 5.5SoapUI羽量級介面自動化測試框架 5.6本章小結 第6章 Appium腳本開發實戰精要 6.1Appium介紹 6.2控制項的識別與定位 6.3常用的操作方法 6.4Appium羽量級UI自動化測試框架 6.5微信的UI層自動化測試探索 6.5.1微信的本質 6.5.2如何查看微信WebView中的元素 6.5.3小實戰 6.6本章小結 第7章 淺談移動AP

P非功能測試 7.1移動APP啟動時間測試 7.2移動APP流量測試 7.3移動APP CPU測試 7.4移動APP電量測試 7.5移動APP相容性測試 7.6移動APP測試工具和雲測平臺 7.6.1常用的移動APP測試工具介紹 7.6.2常見雲測平臺介紹 7.7移動應用基礎資料統計方案介紹 7.8移動APP記憶體測試 7.8.1記憶體洩漏是什麼 7.8.2記憶體洩漏常見的分析方法 7.8.3案例： 隱秘而低調的記憶體洩漏(OOM) 7.9本章小結 第8章 前端性能測試精要 8.1HTTP簡介 8.2HTTP請求和回應的過程 8.3前端性能優化方法 8.3.1減少HTTP請求數 8.3.2圖

片優化 8.3.3使用CDN 8.3.4開啟GZIP 8.3.5樣式表和JS檔的優化 8.3.6使用無cookie功能變數名稱 8.3.7前端代碼結構優化 8.3.8其他優化方法 8.4常用前端性能測試工具 8.4.1Firebug 8.4.2利用Chrome測試移動端網頁性能 8.4.3HttpWatch 8.4.4YSlow 8.4.5PageSpeed 8.4.6埋點測試 8.4.7基於ShowSlow的前端性能測試監控體系 8.4.8基於YSlow和Jenkins的前端性能測試 監控體系 8.4.9其他前端性能測試平臺 8.5真實網站的前端性能測試 8.6本章小結 第9章 玩轉介面測

試 9.1介面測試是什麼 9.2介面文檔規範 9.3介面測試怎麼做 9.3.1介面功能測試 9.3.2介面性能測試 9.3.3介面安全測試 9.4Python+Unittest+HTMLTestRunner完成介面功能 自動化測試 9.5一個介面引發的性能“血案” 9.5.1介面描述 9.5.2腳本結構 9.5.3結果分析 9.6與介面性能測試捉迷藏 9.6.1背景 9.6.2問題與分析 9.6.3總結 9.7利用Python完成Dubbo介面Hessian協定的測試 9.8用Python下載美劇 9.9Fiddler抓包 9.9.1Fiddler介紹和安裝 9.9.2Web端抓包 9.9.3

配置可抓HTTPS 9.9.4移動APP端抓包 9.9.5模擬發送請求 9.9.6限速 9.9.7篡改請求數據 9.10本章小結 第10章 性能測試案例分享 10.1電商系統性能測試 10.1.1通用化分析思路 10.1.2專案背景與需求分析 10.1.3場景用例設計 10.1.4腳本開發 10.1.5測試執行與監控 10.1.6JVM記憶體洩漏(OOM) 10.1.7JVM垃圾回收(GC)和堆外OOM 10.1.8MySQL慢查詢 10.1.9Mongodb連接數 10.1.10常見性能問題總結 10.2Redis功能與非功能性測試 10.2.1測試結論(功能、性能、穩定性) 10.2.2

測試過程之功能測試 10.2.3測試過程之大資料元素測試 10.2.4測試過程之分佈均勻性測試 10.2.5測試過程之性能測試 10.2.6測試過程之高可用測試 10.2.7測試過程之穩定性測試 10.3本章小結 第11章 大話安全測試 11.1安全測試與X客 11.2安全測試的範圍 11.3安全測試的流程 11.4安全測試的意義 11.5安全測試攻擊技術精要 11.5.1XSS跨站腳本攻擊 11.5.2SQL注入攻擊 11.5.3CSRF跨站請求偽造攻擊 11.5.4表單攻擊 11.5.5文件上傳攻擊 11.5.6DoS拒絕服務攻擊 11.6安全測試掃描工具精要 11.6.1AppScan

11.6.2Burpsuite 11.6.3線上漏洞掃描 11.7案例： 電商項目安全測試 11.8本章小結 第12章 測試團隊的組建與管理 12.1重新認識所謂的管理 12.2人人都是管理者 12.3測試團隊常見的組織架構模型 12.4小議扁平化組織結構 12.5如何組建測試團隊 12.6如何高效管理測試團隊 12.6.1初創期測試團隊的管理 12.6.2發展期測試團隊的管理 12.6.3穩定期測試團隊的管理 12.7如何考核和激勵測試團隊 12.7.1如何進行測試團隊的考核 12.7.2如何激勵測試團隊 12.8人性管理 12.9缺陷知識庫的建立 12.10如何高效地開會和寫日報 12

.11PDCA環 12.12本章小結 第13章 暢談測試工程師未來之路 13.1軟件測試行業的現狀與發展趨勢 13.2如何成為優秀的測試工程師 13.3再談測試工程師的價值 13.4危機！測試工程師真的要小心了 13.5測試工程師職業發展路線圖 13.6本章小結 第14章 一線測試工程師訪談錄及面試心理 14.190後美女的全能測試蛻變之路 14.2從功能測試到性能測試的轉型之路 14.3一隻菜鳥的成長之路 14.490後帥哥的測試技能提升之路 14.5“一根老油條”的面試記錄 14.6零經驗噩夢般的面試 14.7痛並快樂的面試記錄 14.8十年手工測試的迷茫，值得每個人深思 14.9本章

小結 附錄A 參考資料 附錄B LoadRunner常見問題解決方案匯總 B.1LoadRunner和各OS以及流覽器的可相容性 B.2LoadRunner無法安裝 B.3錄製時無法啟動IE B.4錄製腳本為空 B.5示例網站WebTours無法啟動 B.6Controller中運行場景有很多逾時錯誤 B.7錄製完成有亂碼 B.8LoadRunner中對HTTPS證書的配置 B.9LoadRunner運行時常見報錯解決方案 附錄C 性能測試文檔範本匯總 C.1場景用例範本 C.2性能測試計畫範本 C.3性能測試方案範本 C.4性能測試報告範本 C.5前端性能對比測試結果範本 附錄D 自動化測

試用例範本 附錄E 管理相關文檔範本匯總 E.1日報範本 E.2績效考核方案範本 後記

記憶體 相 容 性測試進入發燒排行的影片

高科技廠濕式蝕刻製程過氧化氫系溶液之不相容性熱分析

為了解決記憶體 相 容 性測試的問題，作者許詠怡 這樣論述：

隨著高科技產業發展日益迅速及蓬勃，因應半導體及光電面板等產業之製造需求，常將危害性化學品應用於製程中進行化學反應，進而促使危害性化學品越來越廣泛且更加複雜，若於使用或以管線運輸危害性化學品之過程中忽略工程防護與安全管理，即可能導致嚴重之事故或意外。 目前高科技廠因過氧化氫分解之產物僅為水及氧氣以及其強氧化性等特性，常被添加於蝕刻液中製成過氧化氫系蝕刻液，如 SPM (Sulfuric acid and hydrogen peroxide mixtures) 及 HPM (Hydrochloric acid and hydrogen peroxide mixtures) 等應用在蝕刻製程中；

然而，當過氧化氫與強酸或金屬離子等不相容性物質接觸便可能立即觸發或產生劇烈放熱反應，進而導致事故發生，因此蝕刻製程於過氧化氫與酸混合程序或不慎與不相容性物質接觸所產生之放熱現象皆可能為其製程風險之來源。本研究將先針對 30、50 及 60 wt% 過氧化氫進行本質熱分析，確認其熱危害特性；接著探討以 30 及 50 wt% 過氧化氫配製而成之過氧化氫系蝕刻液 SPM 及 HPM 之熱危害；再添加約 1 wt% 之不相容性物質（銅粉 (Copper powder, Cu)、氯化銅 (Copper chloride, CuCl3)、硫酸銅 (Copper sulfate, CuSO4)、氯化鐵 (

Ferric chloride, FeCl3)、氧化亞鐵 (Iron oxide, FeO) 及二氧化鈦 (Titanium dioxide, TiO2)）於 SPM 及 HPM 溶液中進行不相容性測試，並藉由微差掃描熱卡計 (Differential scanning calorimetry, DSC1) 進行昇溫掃描實驗取得物質之放熱圖譜及製程反應熱危害之相關參數（如放熱起使溫度 (T0)、放熱峰值溫度 (Tp) 及反應分解熱 (ΔHd) 等），篩選危害程度較高之樣品進行動力學之計算及以 C++ 軟體模擬自昇溫速率。

智慧型行動電話原理應用與實務設計(第二版)

為了解決記憶體 相 容 性測試的問題，作者賴柏洲,陳清霖,呂志輝,陳藝來,賴俊年,林修聖 這樣論述：

　　本書將行動通訊基本原理與實務設計結合，利用重點式的敘述，力求簡潔明瞭，並以淺顯的圖解方式來敘述概念。內容介紹有：硬體電路相關原理、設計方式、產品發展與生產流程等基本知識，讓讀者有廣度的了解。而且每章章節之後，附有研讀重點與習題，幫助讀者做深度的重點複習。適合私立大學、科大電子、資工系「行動通訊」相關課程之學生使用。 本書特色 　　1.本書將行動通訊基本原理與實務設計結合，介紹硬體電路相關原理、設計方式、產品發展與生產流程等基本知識，讓讀者有廣度的了解。 　　2.利用重點式的敘述，力求簡潔明瞭，並以淺顯的圖解方式來敘述概念。 　　3.每章章節之後，附有研讀重點與習

題，幫助讀者做深度的重點複習

氣氛退火對氧化鋁穿隧層於鋅錫氧化物基電晶體記憶特性的影響

為了解決記憶體 相 容 性測試的問題，作者呂俊瑩 這樣論述：

薄膜電晶體作為單電晶體記憶體(One-Transistor memory)結構於非揮發性記憶體的應用近年來開始得到關注，主要歸功於製程相對簡單不複雜、可以大面積生產、與傳統的記憶體(One-Transitor-One-Capacitor 或 One-Transitor-One-Resistor)相比，減少與電容或電阻的連接，穩定性表現相對地優異，當薄膜電晶體非揮發性記憶體被應用於下一代大面積電子系統中，將會是實現低成本和高功能的消費性電子產品中最有前途，隨著科技的發展，對於薄膜電晶體記憶體的性能及消費的性價比也是越來越受到注目，有鑑於此，本研究利用低成本的溶液法製作氧化鋅錫基通道層及電荷捕捉

層的半導體材料、氧化鋁的高介電常數材料，研究主要分為四個部分。第一部分首先研究對各層薄膜於沉積前，有無進行 UV/Ozone 處理及在元件中有無利用氧化鋁薄膜作為穿隧層，研究UV/Ozone 前處理及薄膜電晶體不同結構對元件電性、穩定性及記憶行為影響進行探討，第二部分與第三部分則分別利用 NH3 氣氛退火處理穿隧層提升電晶體記憶特性及利用含氟基鋅錫氧化物的前驅液製作的電荷捕捉層改善薄膜電晶體記憶性能，最後第四部份透過研究高介電常數的介電層應用於薄膜電晶體非揮發性記憶體，在降低操作電壓的同時，提升薄膜電晶體及薄膜電晶體記憶體元件的電特性。本研究第一部分為研究在各層薄膜於沉積前有無進行 UV/Oz

one 處理及控制在雙層ZTO 通道層層間加入 0 nm、1.6 nm 及 3.2 nm 氧化鋁穿隧層，探討製程與結構對電晶體特性及記憶特性的影響，使用 UV/Ozone 處理的元件有著比較優異的載子遷移率、優異的次臨界擺幅及高開關電流比及更好的耐用性，而隨著穿隧層的加入，載子遷移率下降、次臨界擺幅上升，在遲滯特性上，遲滯窗口隨穿隧層厚度增加而增大，但在記憶編程特性上，並無明顯展現。第二部分則針對氧化鋁穿隧層進行 450°C 及 550°C 氨氣退火處理，並研究氨氣處理對薄膜電晶體元件記憶特性的影響，透過 SEM 觀察到通過氨氣退火的氧化鋁薄膜表面出現了一些顆粒，透過 Al 2p X 光光電子

能譜，發現氧化鋁薄膜進行氨氣退火有金屬鋁及更多的 AlOx 的生成；另外在 O 1s X 光光電子能譜，也能發現隨著進行氨氣退火處理及溫度的提升，氧化鋁薄膜的氧空缺含量均增加；將穿隧層應用於薄膜電晶體元件在遲滯特性及記憶特性，皆發現隨氨氣處理及氨氣處理退火溫度的提高，元件的遲滯窗口及編程能力均提高，這歸功於氧空缺、金屬鋁電荷捕捉因子的提升。此外，4000 rpm 及 8000rpm 的氧化鋁穿隧層 550°C 氨氣退火處理應用於元件，雖然有很好的編程能力，但擦除的能力不佳，且電晶體特性下降，因此，氧化鋁穿隧層進行 450°C 氨氣處理應用於 ZTO薄膜電晶體的元件展示出的性能較優異。 第三部分

研究氟化亞錫金屬化合物製備的前驅液，探討有氟基與無氟基的前驅液製備的薄膜應用於電荷捕捉層的差異，從 Zn 2p3/2、Sn 3d5/2 及 O 1s 的 X 光光電子能譜顯示 ZTO: F 薄膜的 Zn1+為 10%、Sn2+為 29%及氧空缺 34%比例皆大於 ZTO 薄膜的含量（Zn1+為 3%、Sn2+為 18%及氧空缺 20%），顯示出 ZTO: F 薄膜缺陷態比例較多，Alpha step 顯示 ZTO: F 薄膜厚度為 13.8 nm，ZTO 薄膜厚度為 5.4 nm，且應用 SiO2 介電層作為通道層，ZTO TFT 遲滯窗口為 3.6V，而 ZTO: F TFT 有著更大的遲滯

窗口 6.4V，應用於有 450°C 氨氣處理的氧化鋁穿隧層薄膜電晶體元件，遲滯窗口更是高達 8.85 V，而在記憶特性上不僅降低了編程時間至 2 ms，並且提升記憶窗口至 11.5 V。第四部份研究不同溶劑製備氧化鋁作為閘極介電層的應用，並探討氧氣退火處理於氧化鋁對其作為閘極介電層的影響，透過 FT-IR 分析發現利用乙二醇甲醚溶劑製備的氧化鋁前驅液水解縮合 Al2O3(EGME)過程完整性高，X 光光電子能譜顯示 Al2O3(EGME O2@450°C)薄膜在 M-O 鍵結比例最高，且通過 C-V 及 I-V 測試得到 K 值為 6.2，漏電流密度小於 105 A/cm2 及最佳的 SiO

2 等效厚度為 20.8 nm，且應用於 ZTO 薄膜電晶體成功的降低操作電壓，並展示出具有高達載子遷移率 172.66 (cm2V-1s-1) 、臨界電壓為 0.23(V)、次臨界擺幅為 0.38 (V/dec) 以及開關電流比為 105，並且成功的應用於ZTO/Al2O3 (4000rpm NH3@450°C)/ZTO: F/Al2O3 (EGME O2@450°C)元件上，實現了降低操作電壓可編程/擦除，並展示出 0.62 V 的記憶窗口。