記憶體被 降 頻的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列免費下載的地點或者是各式教學

另外網站記憶體1600降頻跑1333問題- 光華商場論壇也說明:記憶體 1600降頻跑1333問題. 我是用MSI 970A-G43機板 我插了2條威剛4G DDR3 1600 可是發現家裡還有2條威剛2G DDR3 1333 請問如果我都插上去降頻跑雙 ...

國立雲林科技大學 電子工程系 許明華所指導 蔡長銘的 基於無干擾技術之低功耗12T SRAM晶片設計 (2020),提出記憶體被 降 頻關鍵因素是什麼,來自於靜態隨機存取記憶體、無干擾、次臨界電壓操作、低功率消耗。

而第二篇論文元智大學 電機工程學系 林承鴻所指導 宋辰霈的 適用於高密度固態硬碟系統之可變動碼長低密度奇偶校驗碼編解碼器 (2016),提出因為有 錯誤糾正碼、低密度奇偶校驗碼、NAND 型快閃記憶體、可變動碼長設計的重點而找出了 記憶體被 降 頻的解答。

最後網站記憶體 - 中文百科全書則補充:記憶體 主頻和CPU主頻一樣,習慣上被用來表示記憶體的速度,它代表著該記憶體所能達到的 ... 記憶體廠商預計在2012年,DDR4時代將開啟,起步頻率降至1.2V,而頻率提升 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了記憶體被 降 頻,大家也想知道這些:

記憶體被 降 頻進入發燒排行的影片

蘋果電動車明年問世?先帶你看懂概念股在漲什麼!記憶體、被動元件碰月均線反彈之後呢?二線塑化短線要看大量!聖誕老公公降臨送大禮?2020/12/25【老王不只三分鐘】

02:34 川普否決了紓困法案,美股接下來怎麼看?
08:17 港股真的超會洗盤的,又破底又反彈上去了!
11:17 不免俗,談談陸股

13:27 蘋果傳出電動車,明年有機會上市,這個題材我該怎麼注意?
28:39 回到台股,從禮拜二過後就開始反彈了,真的就像董哥說的不用太緊張啊!
36:16 被動元件,靠著凱美的利多大漲反彈,董哥你怎麼看這族群?

44:02 記憶體族群也是就像董哥講的,在月均線出現反彈,這招真的好好用喔!
50:57 你那天講到二線塑化,但好像忘了告訴我們短線該怎麼觀察?可以幫我們補充一下嗎?

55:35 之前的指標股元晶站上月均線了,旭日要東昇了嗎?
01:01:39 今天最後的重頭戲,貨櫃航運!大家都留言很感謝你那天把航海王叫來救援!你有什麼感言要講嗎?

#浦惠投顧 #老王不只三分鐘 #老王給你問 #老王愛說笑 #分析師老王 #台股

歡迎按讚臉書粉專,一天一篇免費財經解析:https://www.facebook.com/pg/winnstock
浦惠投顧官網:https://www.inclusion.com.tw/

-----------------------------------------------------------
※王倚隆(老王)為浦惠證券投顧分析師,本影片僅為心得分享且不收費,本資料僅提供參考,投資時應審慎評估!不對非特定人推薦買賣任何指數或股票買賣點位,投資請務必獨立思考操作,任何損失概與本頻道、本公司、本人無責。※

基於無干擾技術之低功耗12T SRAM晶片設計

為了解決記憶體被 降 頻的問題,作者蔡長銘 這樣論述:

現今靜態隨機存取記憶體被大量用於深度學習、感測數據資料成為高容量的嵌入式記憶體儲存的首選,因此低功率消耗靜態隨機存取記憶體已成為系統晶片設計的基本需求,降低電源電壓是最有效降低功率消耗的方法,當靜態隨機存取記憶體中電源電壓低於電晶體的臨界電壓時,受到讀寫干擾、半選擇問題、位元線漏電流之影響造成存取錯誤,因此如何保證靜態隨機存取記憶體穩定在近臨界(Near-Threshold)或次臨界(Sub-threshold)電壓操作已成為重要研究的重點之一。本論文提出基於讀/寫解耦方案之無半選擇干擾12T SRAM單元設計,具有無半選擇干擾,並且穩定操作於次臨界區域,透過切斷跨耦合(cross coup

le)反相器下拉路徑與讀/寫解耦方案,以提升寫入能力(write ability)和寫入半選擇穩定性免於浮接漏電流干擾,使用位元線預放電(Pre-discharge)技術與堆疊電晶體有效改善漏電流功率消耗,由讀/寫解耦方案進行位元線充電,並使儲存資料單元免於讀取干擾以提高雜訊容忍度,且可減少位元線切換的功率消耗,達成半選擇無干擾高密度且低功率消耗的設計。本論文使用台積電40奈米製程佈局下線並量測,所提出的操作電壓降低至次臨界電壓0.35V,並擁有最佳的讀取能量消耗,所提出的單元佈局方式與FD10T單元的佈局面積相同,與同樣技術相比晶片最高工作頻率達到24MHz,並可節省74.87%能量消耗與6

9.22%漏電流功率消耗。

適用於高密度固態硬碟系統之可變動碼長低密度奇偶校驗碼編解碼器

為了解決記憶體被 降 頻的問題,作者宋辰霈 這樣論述:

NAND 型快閃記憶體是目前在消費性電子市場上成長非常快速的一種記憶體元件,由於其存取速度快、功率消耗低以及低成本的特性,今日已經被廣泛的應用於各個電子產品中,例如相機、手機與固態硬碟等。隨著製程的演進與資料存取技術的進步,NAND 型快閃記憶體的記憶體容量得到了非常顯著的成長,但是這樣的演進卻也造成了資料可靠度下降的問題。NAND 型快閃記憶體由於製程的演進而使得電子元件之間的距離不斷縮小,這樣的影響使得原來存在電子元件之間的寄生電容效應日趨嚴重而造成資料在寫入時發生錯誤,這個因素使得 NAND 型快閃記憶體的資料可靠度逐漸降低,過去應用於 NAND 型快閃記憶體的 BCH 碼開始無法應付

日趨嚴重的資料錯誤率,因此針對未來應用於 NAND 型快閃記憶體的錯誤糾正碼開始轉往低密度奇偶校驗(Low-Density Parity-Check, LDPC)碼此種相較於BCH碼擁有更優秀的錯誤糾正能力的錯誤糾正碼發展。本論文採用低密度奇偶校驗碼來實現應用於 NAND 型快閃記憶體的錯誤糾正編解碼器,此外由於 NAND 型快閃記憶體被應用於各式各樣的電子產品中,而對於不同的應用方面而使的 NAND 型快閃記憶體有不同的頁長(Page Size)規格,不同的頁長規範代表著低密度奇偶校驗碼也需要不同的碼長(Codeword Size),這使得低密度奇偶校驗碼在設計編解碼器時為了對應到不同的碼長

而需要對奇偶校驗矩陣做重新設計,對於低密度奇偶校驗碼的編解碼器而言改變奇偶校驗矩陣等同於需要對硬體做重新設計,為了使編解碼器能夠有更好的應用彈性度,本論文提出了一個可藉由調整奇偶校驗矩陣的擴展係數使低密度奇偶校驗碼編解碼器能夠針對不同的碼長作編解碼。而在低密度奇偶校驗碼編解碼器的硬體實現中,考量到速度與面積的效益,我們所採用的演算法為正規化機率最小和(Normalized Probabilistic Min-Sum)演算法,藉由犧牲些許的錯誤糾正能力來換取在解碼速度與硬體成本的極大改進,為了再進一步得到功率消耗上的改進,藉由已經被觀察到的額外機率質特性,我們也提出了一個能夠應用於檢查點單元的部

分停止機制,藉由排除已經偵測到具有高可靠度而不需再被進行運算的事前機率值,來達到減少功率消耗上的改進。最後,我們以 TSMC 40nm CMOS 製程實現一個適用於高密度固態硬碟之可變動碼長低密度奇偶校驗編解碼器,其工作頻率為 384.6MHz、核心面積為 5.84mm2、解碼吞吐量最低達到 417.6 MB/s、編碼吞吐量最低達到 766.7 MB/s、編碼功率消耗為 106.4 mW、解碼功率消耗為 376.8 mW。在提出的部分停止機制方面,我們以 1.2% 的解碼器硬體成本以及約 0.05dB 的錯誤糾正能力來減少在8次疊代下 0.1% 的解碼平均功率消耗。