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半導體元件物理學第四版（上冊）

為了解決記憶體尺寸的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   　　《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   　　Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯

然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   　　全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊

收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   　　1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   　　2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   　　3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   　　4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

記憶體尺寸進入發燒排行的影片

堆疊介電層與通道對電荷捕捉式快閃記憶體元件操作特性之模擬研究

為了解決記憶體尺寸的問題，作者蔡榮恩 這樣論述：

近年來，隨著莫爾定律，非揮發性快閃記憶體尺寸逐年微縮，並廣泛應用於許多產品，同時，為了不斷提升快閃記憶體特性，有許多方法被提出，例如無接面式通道、矽化鍺與鍺通道、能帶工程(bandgap engineering)等。本論文使用Synopsys Sentaurus TCAD軟體對三閘極電荷捕捉式快閃記憶體元件進行模擬研究，包含使用矽化鍺與鍺通道，穿隧層之能帶工程應用，高介電質材料堆疊於電荷陷阱層之特性探討。鍺作為通道材料因具備較小的能隙(~0.66 eV)，可以提供更多的載子在快閃記憶體寫入/抹除操作期間，進一步提升電荷陷阱式快閃記憶體的操作速度，因此在第一部分研究中，為模擬能帶工程應用於穿隧

層之電荷陷阱式快閃記憶體元件特性，並搭以三閘極無接面式鍺通道之結構，包含使用氧化鍺、氧化鋁、二氧化矽材料作為穿隧層材料，同時探討元件內部物理機制。模擬結果顯示，具有氧化鍺、氧化鋁、二氧化矽堆疊穿隧層元件擁有較快操作速度與較佳電荷保持力特性，分析因其擁有較大的注入電流、較低的穿隧能障、較大的穿隧電場，以及擁有較大的物理厚度與較高的穿隧層能障於電荷保持力測試中。由於過去文獻尚未討論鍺含量同時對於掩埋式通道與其通道界面氧化層的影響，因此了解鍺同時在掩埋式通道與其通道界面氧化層內的物理機制，對於多晶矽電荷捕捉式快閃記憶體元件的操作特性至關重要，在第二部分研究中，為模擬使用矽化鍺與鍺作為通道材料同時搭以

其界面氧化層的元件特性，並探討元件內部物理機制。模擬結果顯示，鍺通道元件擁有較快之操作速度，可歸因於通道與穿隧層界面之二氧化鍺能障較低，且橫跨在通道上的電場較大，將載子大量集中於通道與穿隧層界面處，可靠度方面，因穿隧氧化層之二氧化鍺能障較低，使得元件的電荷保持力特性較差。對於高性能的多晶矽電荷捕捉式快閃記憶體而言，抹除速度一直是個瓶頸，為了提升電荷捕捉式快閃記憶體元件的抹除速度，文獻提出了許多種方法，像是使用高介電(high-k)材料取代傳統Si3N4作為元件電荷陷阱層，因此在第三部分研究中，為模擬高介電質材料堆疊於電荷陷阱層的元件特性，包含使用二氧化鋯、氮氧化鋯、鋁摻雜氮氧化鋯，堆疊氮化矽作

為電荷陷阱層，並探討元件內部物理機制。模擬結果顯示，二氧化鋯元件表現出最快的寫入/抹除速度，歸因於二氧化鋯缺陷能階較淺，但也因此表現出待改善的電荷保持力特性。而藉由使用氮氧化鋯可改善電荷保持力特性，但氮氧化鋯缺陷能階較深，使元件表現出最慢的抹除速度，最後，鋁摻雜氮氧化鋯元件則表現出可接受的抹除速度，以及不錯的電荷保持力特性。

示見之眼 五+六套書書盒組

為了解決記憶體尺寸的問題，作者蒔舞 這樣論述：

　　五 　　意外發生後，陸以洋一直昏睡不醒， 　　沒人比杜槐愔更明白發生什麼，也責無旁貸， 　　無論如何，他都得下去把那傢伙帶回來！ 　　但即便再三叮囑……最後一刻，韓耀廷可願放手？ 　　 　　瞞著所有人，陸以洋履行了和夜的約定， 　　到了地下，才發現一切和自己想像的不太一樣。 　　從夜的口中，他終於得知完整身世， 　　這位管理者卻拋出另一項驚人提議── 　　想要退休的他，希望陸以洋接替他「工作」。 　　去前保密到家，回來又得假裝失憶， 　　事關重大，陸以洋開始處理積欠多時的承諾， 　　除了考慮是否接任，他得送小宛入輪迴， 　　還要找到失蹤的高曉甜…… 　　到底怎麼做，才是「正確」的呢？ 　

　本書收錄番外〈七夕〉、外傳〈千結之吻〉。 　　六 　　自決定接任那刻起，他可能就只剩下這一世了。 　　人的一生實在太短，彷彿眨個眼就抵達終點， 　　從一無所知到執掌地下，從獨身一人到親友相伴， 　　陸以洋盡力活得精彩，傾心愛過，嘗遍酸甜苦辣， 　　這一路雖跌跌撞撞，又何其有幸， 　　所謂「活著」，不過就是生活裡看似尋常的一點一滴， 　　卻美好得讓人想珍藏於心底，供日後不斷回味。 　　他們的故事終將迎來結束，而時光依然奔流不息， 　　總有人會繼往開來，將他們的一切傳承下去， 　　屆時，又是另一個精彩的故事！ 　　本書收錄番外〈泥沼〉、〈微酸情事〉、〈差數〉、〈生死的界線〉、〈生日〉、〈極

惡之魂〉、〈活著的那些事〉、〈輪迴的終結〉、〈歸位〉和〈承諾〉。 本書特色 　　收錄全新番外，無比動人的最終卷！ 　　跨越生死，串連過去與未來── 　　入了地府，就再也無法感受日光和溫暖， 　　但這次，他已能勇敢前行…… 　　書盒套書組內容： 　　唯美硬殼書盒(全六本套裝尺寸) 　　作者親筆簽名板 作者簡介     蒔舞 　　不太務實的摩羯座，喜歡妄想和發呆，腦汁常常不夠用，暫存記憶體只有1%，喜歡犯罪電影和靈異小說，最強技能是馬上忘記事情。 卷九 順天應時 楔子 這是一個比他想像中更為明亮舒適的地方。 柔和的光線照射著整座城，抬頭看不到太陽卻覺得藍天極其耀眼，似乎還能

感覺到微風徐徐吹來。 他目瞪口呆的跟在夜身後行走，明亮的建築物和路邊談笑的人們，看起來就和自己生活的世界沒兩樣。 這個城有邊界嗎？這條道路有盡頭嗎？他十分好奇走到路的盡頭會看到什麼。 直到夜停了下來，他也跟著停下腳步，道路的盡頭是一棟宏偉的大樓。 「進來吧。」夜回頭朝他笑了笑，陸以洋跟著走進去。 「和想像中不一樣？」夜笑著。 「嗯，完全不一樣。」陸以洋跟著他進去，「我以為會是個陰暗又可怕的地方。」 「只是你沒看到而已。」夜帶著他走上樓梯。 鋪設明亮紅毯的寬廣樓梯走起來很舒服，踏上二樓，整片的落地窗可以看見周圍一片綠地，就目前所見來判斷，是平和美好的生活環境。 「這裡看起來很好。」陸以洋站在窗邊

眺望，想不到所謂的地府是這樣的。 「這是地面上，你進門的時候看見電梯了嗎？」夜轉身走向大樓裡，二樓就只有這麼一扇玻璃門，夜一走近門便自動打開，陸以洋跟著走進去。明亮的辦公室寬闊舒適，夜走到辦公桌後，坐上高背皮椅，這裡看起來，就像是董事長或是首長辦公室一樣，背後是整片的玻璃牆，只要椅背向後轉，就可以看見整座城。 「我簡單說明好了。」夜把手放在桌上，不似平常那般邪氣逼人，看起來穩重了些。 「嗯。」陸以洋站在桌前，也認真的點點頭。 「這裡是地府的入口第一站。」夜側過椅背望著下面平和悠閒的景象，「是給功過相抵的人平和生活的地方。」 轉回來看著陸以洋，夜笑著，「往下還有十層樓，每層樓的主人不一樣，你應該

聽說過。」 陸以洋當然聽說過傳說中的十殿閻王，「那所以你是……秦廣王？」 夜曖昧的笑容讓人看不出來他是或不是，但他只是搖搖頭，「不，我不是。」 「你進來的時候看見外面平和美好，是因為你自己的關係。」夜起身望著外面藍天無雲的好天氣，「你的心靈平和美好，你看見的自然就是這樣，每個人的信仰不同，看見的東西也不一樣。」 夜回頭望著他，「你聽你同學說過，來接他們的工具都不同吧？」 「嗯，好像千奇百怪。」陸以洋想起小良說過的話。

一種可垂直堆疊之氧化鉿電阻式記憶體陣列製程開發

為了解決記憶體尺寸的問題，作者邱文政 這樣論述：

隨著物聯網(Internet of Things , IoT)的普及以及人工智慧(artificial intelligence , AI)的應用，必須要有大量的資料運算。傳統的架構將運算及儲存放在不同單元，但是因為處理器和記憶體間的速度差異，將會使運算的性能受到限制。要解決這個問題主要的方式之一，就是在記憶體單元內增加處理功能來減少資料的傳輸。新興的非揮發性電阻式記憶體技術提供了這個機會。在眾多的非揮發性記憶體中，電阻式記憶體是最具潛力的。本論文中將會探討電阻式記憶體的特性及應用價值。　　電阻式記憶體是重要的新興記憶體。為了理解電阻式記憶體尺寸微縮後的特性和記憶體陣列性能。我們將使用NDL

所提供的CMOS平台來製作記憶體單元及迷你陣列，而在次10奈米的記憶體元件中，將使用特殊的自我對準側壁雙電極技術進行元件製作。其結果將提供對前瞻電阻式記憶體在記憶體元件以及迷你陣列上之微縮效應的評估。